Вернуться к расписанию
8-е заседание. Председатель - В.П.Попов
Дата: Среда, 24 октября
Время:17:30-19:00
Место: Малый зал Дом Ученых, Новосибирск
Приглашенные доклады
17:30 - 18:00
Р.И.Хайбуллин1,2, В.И.Нуждин1, О.Н.Лопатин2, А.Г.Николаев2
Геммологические аспекты ионной имплантации в минералы и их синтетические аналоги
1Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского КазНЦ РАН, Казань
2Казанский (Приволжский) федеральный университет, Казань
18:00 - 18:30
В.Н.Брудный
Эволюция электронной подсистемы неметаллических материалов под воздействием жесткой радиации: электронные свойства облученных полупроводников
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск
18:30 - 18:45
В.В.Хвостов
, К.Ф.Миннебаев, В.Е.Юрасова
Энергетическое распределение вторичных частиц при ионном облучении нанокристаллитов графита
Физический факультет МГУ им. М.В.Ломоносова, Москва
18:45 - 19:00
Д.А.Карташов
Методика численной оценки глубины p-n переходов, полученных ионной имплантацией на основе данных относительной двухволновой рентгеновской рефлектометрии
ОАО "НИИ молекулярной электроники", Москва, Зеленоград