Г.А.Качурин1, С.Г.Черкова1,2, В.А.Володин1,2, А.Г.Черков1,2, Д.В.Марин1,2,
Г.Н.Камаев1,2,
А.Х.Антоненко1,2,
В.А.Скуратов3
Формирование
светоизлучающих наноструктур имплантацией быстрых тяжелых ионов в
чередующиеся нанослои Si/SiO2
1Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН, Новосибирск
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск
3Объединенный институт ядерных исследований, Дубна
|