Вернуться к расписанию
9-е заседание. Председатель - Р.И.Хайбуллин
Дата:Четверг, 25 октября
Время:09:00-11:00
Место: Малый зал Дом Ученых, Новосибирск
Приглашенные доклады
09:00 - 09:30
Н.А.Соболев
Инженерия структурных дефектов и люминесцентных центров в имплантационной технологии Si светодиодов
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе, Санкт-Петербург
09:30 - 10:00
K.Nordlund
, R.Wei, E.Holmström, and A.Kuronen
Molecular dynamics simulations of the primary state of damage in irradiated Si and GaN nanowires
Department of Physics University of Helsinki, Finland
10:00 - 10:15
И.В.Антонова1, В.А.Скуратов2, I.Balberg3
Формирование Ge нанокристаллов в SiO2 и Al2O3 с участием ионов высоких энергий
1Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН, Новосибирск
2Объединенный институт ядерных исследований, Дубна
3The Racah Institute of Physics, Hebrew University, Jerusalem, Israel
10:15 - 10:30
С.Е.Демьянов, Е.Ю.Канюков
Ионно-трековая технология создания наноструктурированных сенсоров магнитного поля
НПЦ НАН Беларуси по материаловедению, Минск
10:30 - 10:45
Г.А.Качурин1, С.Г.Черкова1,2, В.А.Володин1,2, А.Г.Черков1,2, Д.В.Марин1,2, Г.Н.Камаев1,2, А.Х.Антоненко1,2, В.А.Скуратов3
Формирование светоизлучающих наноструктур имплантацией быстрых тяжелых ионов в чередующиеся нанослои Si/SiO2
1Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН, Новосибирск
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск
3Объединенный институт ядерных исследований, Дубна
10:45 - 11:00
А.Н.Михайлов1, А.И.Белов1, А.О.Тимофеева1, В.К.Васильев1, И.Ю.Жаворонков1, А.В.Барсуков1, Д.С.Королев1, Д.И.Тетельбаум1, В.И.Сахаров2, И.Т.Серенков2, Е.И.Шек2, Н.А.Соболев2
Ионно-лучевая модификация наноструктур на основе кремния, излучающих свет на длине волны 1,54 мкм
1Научно-исследовательский физико-технический институт ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург