| С1-1 |
А.И. Гумаров1, Н.М.Лядов2, Е.Н.Дулов1, В.Ф.Валеев2, N.Dogan3, Б.З.Рамеев2,3, A.Mackova4,5, V.Hnatowicz5, Л.Р.Тагиров1,2, Р.И.Хайбуллин1,2
Исследование
влияния температуры подложки на структурные и магнитные свойства ZnO,
имплантированного ионами Fe или Сo 1Казанский (Приволжский) федеральный университет, Казань
2Казанский физико-технический институт КНЦ РАН, Казань
3Gebze Institute of Technology, Gebze-Kocaeli, Turkey
4Nuclear Physics Institute of the AS CR, Rez 130, Czech Republic
5Department of Physics, J.E. Purkinje University, Usti nad Labem, Czech Republic |
| С1-2 |
Г.Г.Гумаров, А.В.Алексеев, В.Ю.Петухов, В.Ф.Валеев
Дозовая зависимость
магнитных свойств силицидов железа, ионносинтезированных во внешнем
магнитном поле Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского КазНЦ РАН, Казань
|
| С1-3 |
Н.И.Халитов1,2, Н.М.Лядов1, В.А.Шустов1, Р.И.Хайбуллин1,2, И.А.Файзрахманов1,2, П.А.Горбатова2, В.В.Парфенов2
Формирование нанокомпозитных пленок
мультиферроиков BaTiO3:Co методом ионно-стимулированного осаждения
1Казанский физико-технический институт, Казань
2Казанский Федеральный Университет, Казань
|
| С1-4 |
Е.Е.Родякина1, С.С.Косолобов1,2, А.В.Латышев1,2
Морфология
поверхности кремния при эпитаксиальном росте и сублимации 1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова, Новосибирск
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск
|
| С1-5 |
Г.Ф.Карлова1, Г.И.Кольцов2, С.Ю.Юрчук2
Ионная имплантация бериллия в
арсенид галлия и возможность использования её для создания гетеробиполярных
транзисторов 1ОАО "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов", Томск
2НИТУ МИСиС, Москва
|
| С1-6 |
Н.Н.Герасименко1, Н.Медетов1, Ю.А.Рябикин2, С.Ж.Токмолдин2, К.Б.Тыныштыкбаев2
О
единой
природе
трещин
радиационного
и
нерадиационного происхождения на примере анодно протравленного р-Si (100)
1МИЭТ, Зеленоград
2Физико-технический институт МОН РК, Алматы
|
| С1-7 |
Р.С.Мадатов, Т.Б.Тагиев, Ю.М.Мустафаев,
Ф.П.Абасов
Влияние
проникающеого излучения на фотоэлектрические свойства монокристаллов GaS
и GaS:Er
Институт Радиационных Проблем НАН Азербайджана, Баку
|
| С1-8 |
А.В.Желаннов1, В.Е.Удальцов2, Д.Г.Фёдоров1,2
Применение ионной имплантации
при формировании омических контактов к диодным структурам на основе нитрида
галлия 1ОАО "ОКБ - Планета", Великий Новгород
2Новгородский государственный университет им. Я.Мудрого, Великий Новгород
|
| С1-9 |
А.К.Шестаков, К.С.Журавлев
Компьютерное исследование электрофизических
процессов в ионно-легированном полевом GaAs-транзисторе с затвором Шоттки
при изменении параметров профиля легирования канала Институт физики полупроводников им.А.В.Ржанова СО РАН, Новосибирск
|
| С1-10 |
И.И.Ижнин1, Е.И.Фицыч1, А.Ю.Бончик2, Г.В.Савицкий2, А.В.Войцеховский3,
С.А.Дворецкий4, Н.Н.Михайлов4, Ю.Г.Сидоров4, В.С.Варавин4, К.Д.Мынбаев5
Релаксация дефектной структуры эпитаксиальных плёнок CdHgTe, подвергнутых
обработке низко- и высокоэнергетическими ионами
1Научно-производственное предприятие "Карат", Львов, Украина
2Институт прикладных проблем механики и математики им. Я.С. Пидстригача НАН Украины, Львов
3Томский государственный университет, Томск
4Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
5Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе, Санкт-Петербург
|
| С1-11 |
А.В.Войцеховский1, Н.Х.Талипов2
Влияние воздействия мощного импульсного
лазерного
ИК-излучения
на
свойства имплантированных
бором,
гетероэпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe p-типа
1Томский государственный университет, Томск
2Военная академия ракетных войск стратегического назначения им. Петра Великого, Москва
|
| С1-12 |
Г.В.Баранов, А.Г.Итальянцев, О.М.Орлов
Перераспределение
имплантированного As в условиях диффузии, стимулированной радиационными
дефектами ОАО "НИИМЭ", Москва, Зеленоград |
| С1-13 |
М.В.Драгуть1,2, Д.А.Усик1, Д.М.Мишарин1
Оценка величины поверхностной
обеднённой области GaAs после ПХТ методом послойного химического травления
1ОАО "ОКБ - Планета", Великий Новгород
2Новгородский государственный университет им. Я.Мудрого, Великий Новгород
|
| С1-14 |
А.А.Кошкарёв, А.В.Ненашев, А.В.Двуреченский
Учёт анизотропии
вычислении упругой деформации в квантовых проволоках и точках
при вычислении упругой деформации в квантовых проволоках и точках
Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН, Новосибирск
|
| С1-15 |
В.В.Карзанов, Н.А.Карпов
Влияние имплантации кремния на люминесцентные
свойства AlN
Нижегородский государственный университет им. Н.И.Лобачевского, Нижний Новгород
|
| С1-16 |
П.А.Кучинская1, В.А.Зиновьев1,
А.В.Ненашев1,2, В.А.Армбристер1,
А.В. Двуреченский1,2
Пространственная организация квантовых точек в кольцевые
цепочки в многослойных структурах Ge/Si
1Институт Физики Полупроводников им.А.В.Ржанова СО РАН, Новосибирск
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск |
| С1-17 |
А.А.Гисматулин1, А.Х.Антоненко1,2, Г.Н.Камаев1,2, Г.А.Качурин1, С.Г.Черкова1,2, А.Г.Черков1,2, В.А.Скуратов3
Электрофизические свойства многослойных структур
Si/SiO2 с нанокластерами Si, формируемыми облучением высокоэнергетичными
ионами Хе
1Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН, Новосибирск
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск
3Объединенный институт ядерных исследований, Дубна
|
| С1-18 |
Ф.Ф.Комаров1, Ю.Жук2, Л.А.Власукова1, О.В.Мильчанин1, В.Веш3, Э.Вендлер3, М.В.Гребень1, М.А.Моховиков1, И.Н.Пархоменко1
Структура и оптические свойства
слоев кремния с нанокристаллами InSb и InAs, формируемыми ионно-лучевым
синтезом
1Белгосуниверситет, Минск, Беларусь
2M. Curi-Skladowska University, Lublin, Poland
3F. Schiller University Jena, Jena, Germany
|
| С1-19 |
В.А.Ласткин2, А.С.Ионов2, В.В.Гаврушко1
Исследование ионно-диффузионных
профилей легирования кремния мышьяком
1Новгородский государственный университет им. Я.Мудрого, Великий Новгород
2ОАО "ОКБ - Планета", Великий Новгород
|
| С1-20 |
Р.И.Баталов1, Р.М.Баязитов1, Г.А.Новиков1, Н.В.Курбатова1, П.И.Гайдук2, Г.Д.Ивлев2, С.Л.Прокопьев2
Формирование гетероструктур SiGe/Si методами
магнетронного распыления и наносекундного ионного/лазерного отжига
1Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского КазНЦ РАН, Казань
2Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь
|
| С1-21 |
Д.И.Тетельбаум1, А.Н.Михайлов1, Д.В.Гусейнов1, А.И.Белов1, А.Б.Костюк1, Д.С.Королев1, М.П.Федонин2, Д.А.Павлов2, А.И.Бобров2, В.Н.Трушин1, А.С.Маркелов1
Особенности ионно-лучевого воздействия на структуру слоев
оксидов кремния и алюминия, содержащих нанокластеры Au
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного
университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
2Физический факультет Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского,
Нижний Новгород
|
| С1-22 |
С.Н.Нагорных1, В.И.Павленков1, И.А.Чугров1, А.В.Ершов1, А.Н.Михайлов1, А.И.Белов1, Д.И.Тетельбаум1, Д.И.Крыжков2, Л.В.Красильникова2
О влиянии
размеров нанокристаллов кремния на температурную зависимость спектра
фотолюминесценции
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
2Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород
|
| С1-23 |
А.О.Тимофеева,
А.И.Белов,
А.Н.Михайлов,
Д.И.Тетельбаум
Влияние
встроенного электрического поля при ионном облучении кремния на систему
вторичных радиационных дефектов
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного
университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
|
| С1-24 |
А.Н.Михайлов1,
Д.С.Королев1, А.Б.Костюк1, А.И.Белов1, Д.И.Тетельбаум1,
Д.А.Грачев2, И.А.Чугров2, А.В.Ершов2
Влияние облучения ионами Au, Er и Zr на
оптические свойства оксидных структур с нанокристаллами Si
1
Научно-исследовательский физико-технический институт ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний
Новгород
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
|
| С1-25 |
Т.Х.Хасанов
Диффузия кислорода и паров воды на границе раздела двуокись
кремния - кремний
Институт физики полупроводников им.А.В.Ржанова СО РАН, Новосибирск |
| С1-26 |
Д.И.Рогило1,2, Л.И.Федина1,
С.С.Косолобов1,2, А.В.Латышев1,2
Смена кинетических ограничений высокотемпературного роста Si на Si(111)-(7×7)
Институт физики полупроводников им.А.В.Ржанова СО РАН, Новосибирск |
| С1-27 |
V.N.Popok1, J.Samela2, K.Nordlund2, V.P.Popov3
Radiation Damage in Diamond by
Implantation of Argon Cluster Ions
1Department of Physics and Nanotechnology, Aalborg University, Denmark
2Department of Physics and Helsinki Institute of Physics, University of Helsinki, Finland
3Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk
|
| С1-28 |
И.Е.Тысченко1, В.А.Володин1,2, В.П.Попов1
Кристаллизация пленок кремния-на-
изоляторе, имплантированных большими дозами ионов водорода и отожженных в
миллисекундном импульсном режиме
1Институт физики полупроводников им.А.В.Ржанова СО РАН, Новосибирск
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск
|
| С1-29 |
О.Н.Горшков, Д.А.Павлов, И.Н.Антонов, М.Е.Шенина, А.Ю.Дудин, А.И.Бобров,
А.П.Касаткин, К.В.Сидоренко
Исследование
процесса
формирования
наноразмерных частиц золота в тонких плёнках диоксида германия методом
ионной имплантации
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного
университета им. Н.И.Лобачевского, Нижний Новгород
|
|