События

В среду, 24 апреля 2024 г., в 14-00 в актовом зале админ. корпуса состоится
Торжественное заседание Ученого совета, посвященное 60-летию Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН.
04.04.24
Конкурс научных работ ИФП 2024 года будет проходить 8 и 9 апреля в конференц зале АК
В понедельник, 1 апреля 2024 г., в 15-00
в конференц-зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
15 марта 2024 года.
В понедельник, 4 марта 2024 г., в 15-00
в конференц-зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

Во вторник, 26 декабря, в 15 часов в конференц-зале Административного корпуса состоятся защиты диссертаций...

Объявления

Во вторник, 12.03.2024 в 10 ч.
в конференц-зале Административного корпуса состоится Институтский семинар

Во вторник, 20.02.2024 в 10 ч.
в конференц-зале Административного корпуса состоится Институтский семинар

В среду, 14.02.2024 в 15 ч.
состоится открытый онлайн-семинар ИФП СО РАН, на котором будет представлен обзорный доклад В. Д. Лахно “ДНК-нанотехнологии и нанобиоэлектроника”.

В четверг, 1.02.2024 в 15 ч.
в конференц-зале Административного корпуса состоится Институтский семинар

В среду, 24.01.2024 в 10 ч.
в конференц-зале Административного корпуса состоится Институтский семинар

27.12 в 15:00 в конференционном зале ТК планируется семинар лаб.№3.

Кафедра физики полупроводников Новосибирского государственного университета

Заведующий кафедрой: Латышев Александр Васильевич, академик РАН, д.ф.-м.н.
e-mail:

Секретари кафедры: Родякина Екатерина Евгеньевна, к.ф.-м.н.
Казанцев Дмитрий Михайлович, к.ф.-м.н.

E-mail кафедры:
телефон кафедры: (383)330-98-74

Направление подготовки: 510104 физика полупроводников, микроэлектроника.

Система подготовки специалистов - двухуровневая : первая ступень - основное базовое четырехлетнее образование завершается защитой квалификационной работы бакалавра, вторая - двухгодичная магистратура, с защитой магистерской диссертации.

Выпускники кафедры подготовлены для работы в области физики и техники полупроводников, физики структур пониженной размерности, процессов микро- и нанотехнологии, физико-химии и технологии поверхности и межфазных границ, микро- и наноэлектроники. Выпускники кафедры могут работать также преподавателями дисциплин физико-математического профиля в школах, колледжах и вузах России. Лучшие выпускники магистратуры проходят обучение в аспирантуре.

Филиал кафедры полупроводниковых приборов и микроэлектроники факультета радиотехники и электроники Новосибирского государственного технического университета

Заведующая филиалом кафедры - Шварц Наталия Львовна, к.ф.-м.н.
Тел: +7(383)333-14-75, e-mail:

Официально филиал кафедры ППиМЭ НЭТИ в ИФП СО РАН был организован в апреле 1988г. (Приказ № 114 от 28.04.88 за подписью ректора НЭТИ проф. Г.П.Лыщиннского). Но уже с начала 60-х годов (прошлого века) в ИФП стали приходить на практику и дипломное проектирование студенты НЭТИ кафедры Полупроводниковой и квантовой электроники (ПиКЭ) по специальностям физическая электроника(ФЭ) и полупроводниковые приборы(ПП). А начиная с середины 60-х годов А.В.Ржанов и А.Ф. Кравченко начали читать в НЭТИ лекции.

Заведующим филиала с 1988 по 2010 год являлся Игорь Георгиевич Неизвестный.

В настоящее время заведующий кафедрой ППиМЭ в НГТУ является В.А.Гайслер, а заведующей филиала кафедрой В ИФП - Н.Л.Шварц.

Ежегодно около половины выпускников магистров филиала кафедры поступают в аспирантуру ИФП.

Филиал кафедры физики полупроводников Томского государственного университета

Заведующий филиалом кафедры - д.ф.-м.н., профессор О.П.Пчеляков

Филиал кафедры технической физики Сибирского государственного аэрокосмического университета имени академика М.Ф. Решетнева

Заведующий филиалом кафедры - д.ф.-м.н., профессор О.П.Пчеляков