1. 19-72-30023 «Физико-химические основы создания функциональных полупроводниковых наносистем», руководитель Латышев А.В.
  2. 19-12-00070 «Коллективные эффекты в усилении поглощения и излучения света ИК диапазона в наноструктурах на основе кремния», руководитель Двуреченский А.В.
  3. 19-19-00069 «Исследование высокоэнергетических явлений нано и субнаносекундной длительности в сверхсильных электрических полях в газовом разряде», руководитель Бохан П.А.
  4. 19-72-10046 «Экспериментальное и численное исследование наноструктурированных материалов на основе графена и его соединений», руководитель Небогатикова Н.А.
  5. 20-79-10092 «Разработка фотонных кристаллов на основе наноструктур GeSiSn с элементами плазмоники», Тимофеев В.А.
  6. 21-72-20184 «Диэлектрические микро- и нанорезонаторы с контролируемым позиционированием излучателей», руководитель Зиновьев В.А.
  7. 21-19-00873 «Массивы энергоэффективных нанопереключателей с фазовым переходом полупроводник-металл для биогибридных и нейроморфных систем», руководитель Селезнев В.А.
  8. 21-72-10134 «Исследование электрофизических свойств границы раздела диэлектрической пленки HfO2, выращенной методом атомно-слоевого осаждения, и узкозонного полупроводника CdHgTe в зависимости от химического состава интерфейса и режима роста», руководитель Сидоров Г.Ю.
  9. 22-22-20074 «Эффект близости в системе графен-топологический изолятор», руководитель Степина Н.П.
  10. 22-22-00634 «Влияние легирующей примеси на атомную и электронную структуру оксида гафния и свойства мемристоров на его основе: первопринципное моделирование», руководитель Перевалов Т.В.
  11. 22-29-01063 «Напряженные сегнетоэлектрические кремниевые нанопроволочные транзисторы и диоды в структурах кремний-на-сапфире для терагерцовой электроники», руководитель Попов В.П.
  12. 22-72-10124 «Ван-дер-ваальсовый рост слоистых селенидов металлов на поверхности селенида висмута с контролируемой морфологией», руководитель Рогило Д.И.
  13. 22-19-00369 «Разработка и исследование мемристоров на основе SiNxOy и SiGexOy для памяти терабитного масштаба и нейроморфных устройств искусственного интеллекта», руководитель Володин В.А.
  14. 22-12-00343 «Электронный транспорт в подвешенных полупроводниковых наноструктурах и наноэлектромеханических системах», руководитель Погосов А.Г.
  15. 22-22-00726 «Многоподзонный транспорт высокоподвижных носителей заряда в латеральных сверхрешетках на основе квантовых ям GaAs и HgTe», руководитель Быков А.А.
  16. 22-12-20024 «Создание новых квантовых материалов и наносистем для твердотельной и вакуумной спинтроники и оптоэлектроники», руководитель Терещенко О.Е.
  17. 22-12-00022 «Спиновая динамика в непрямозонных полупроводниковых наноструктурах A3B5», руководитель Шамирзаев Т.С.
  18. 22-22-20031 «Новые полупроводниковые AIII-BV гетероструктуры с квантовыми точками для создания ячеек универсальной памяти», руководитель Абрамкин Д.С.
  19. 22-19-00191 «Массивы наноразмерных структур с 2D -3D архитектурой из композитных частиц на основе графена и фторированного графена для гибкой наноэлектроники», руководитель Антонова И.В.
  20. 22-12-00302 «Плазмон-усиленная ближнепольная оптическая спектроскопия полупроводниковых наноструктур», руководитель Милёхин А.Г.