2013

А.В. Гайслер, А.С. Ярошевич, И.А. Деребезов, А.К. Калагин, А.К. Бакаров, А.И. Торопов, Д.В. Щеглов, В.А. Гайслер, А.В. Латышев, А.Л. Асеев
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5.
Т.И. Батурина, А.К. Гутаковский, А.В. Латышев, D. Kalok, Ante Bilušić, V.M. Vinokur, M.R. Baklanov, C. Strunk
Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников А3В5.
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
Universität Regensburg, Germany.
IMEC, Leuven, Belgium.
Argonne National Laboratory, USA.
Д.И. Рогило, Л.И. Федина, С.С. Косолобов, B. Ranguelov, А.В. Латышев
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
А.И. Якимов, В.В. Кириенко, В.А. Армбристер
Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем.
G.M. Gusev, Е.Б. Ольшанецкий, З.Д. Квон, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий
Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников А3В5.
Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений А2В6.
Departamento de Física dos Materiais e Mecânica, Instituto de Física da Universidade de São Paulo, Brazil.
А.А. Шевырин, А.Г. Погосов, М.В. Буданцев, А.К. Бакаров, А.И. Торопов
Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем.
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений A3B5.
М.В. Энтин, Л.И. Магарилл
Лаборатория теоретической физики.
А.А. Быков, А.В. Горан, W. Mayer, С.А. Виткалов
Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников А3В5.
Physics Department, City College of the City University of New York, USA.
З.Д. Квон, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий
Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников А3В5.
Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений А2В6.
А.В. Ненашев, Ф. Янссон, Я.О. Оелерих, Д. Хюммер, А.В. Двуреченский, Ф. Гебхард, С.Д. Барановский
Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем.
Department of Physics and Material Sciences Center, Philipps-University, Marburg, Germany.
Е.А. Емельянов, Д.Ф. Феклин, А.В. Васев, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, В.В. Преображенский
Лаборатория физических основ эпитаксии полупроводниковых гетероструктур.
А.Г. Журавлев, М.Л. Савченко, А.Г. Паулиш, В.Л. Альперович
Лаборатория неравновестных процессов в полупроводниках.
Новосибирский филиал ИФП СО РАН «КТИ ПМ».
В.П. Попов, М.А. Ильницкий, Л.Н. Сафронов, А.Г. Паулиш
Лаборатория физических основ материаловедения кремния.
Новосибирский филиал ИФП «КТИ ПМ».
Т.В. Малин, В.Г. Мансуров, А.М. Гилинский, Д.Ю. Протасов, А.С. Кожухов, А.П. Василенко, К.С. Журавлёв
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5.
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
В.Г. Кеслер, А.А. Гузев, А.П. Ковчавцев, З.В. Панова, А.В. Царенко
Лаборатория физических основ интегральной микроэлектроники.
Е.Е. Родякина, П.А. Кучинская
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем.
С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, В.Г. Ремесник, В.С. Варавин
Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков полупроводниковых соедине- ний А2В6.
A.A. Шкляев, Д.В. Гуляев, А.С. Кожухов, К.С. Журавлёв, А.В. Латышев, В.A. Армбристер, А.В. Двуреченский
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем.
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5.
Ю.Б. Болховитянов, А.П. Василенко, А.К. Гутаковский, А.С. Дерябин, Л.В. Соколов
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений А3В5.
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
А.К. Гутаковский, В.В. Преображенский
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений А3В5.
А.И. Никифоров, В.И. Машанов, В.А. Тимофеев, С.А. Тийс, О.П. Пчеляков
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений А3В5.
И.Е. Тысченко, В.А. Володин, M. Фёльсков, А.Г. Черков, В.П. Попов
Лаборатория физических основ материаловедения кремния, лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
Исследовательский центр Россендорф общества Фраунгофера, Дрезден, Германия.
А.А. Шкляев, К.Н. Романюк, А.В. Латышев
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений.
Н.А. Небогатикова, И.В. Антонова, В.Я. Принц
Лаборатория физики и технологии трехмерных наноструктур.
А.Г. Милехин, Н.А. Ерюков, Л.Л. Свешникова, Т.А. Дуда
Лаборатория физической химии поверхности полупроводников и систем полупроводник-диэлектрик.
А.Н. Акимов, А.Э. Климов, Н.С. Пащин, С.П. Супрун, Е.В. Федосенко, В.Н. Шумский
Лаборатория физики и технологии гетероструктур.
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
Д.Б. Третьяков, И.И. Бетеров, В.М. Энтин, Е.А. Якшина, И.И. Рябцев
Лаборатория нелинейных резонансных процессов и лазерной диагностики.
И.И. Бетеров, Е.А. Якшина, Д.Б. Третьяков, В.М. Энтин, И.И. Рябцев, M. Saffman, В.П. Жуков, C.W. Mansell, C. MacCormick, S. Bergamini, М.П. Федорук
Лаборатория нелинейных резонансных процессов и лазерной диагностики.
В.Л. Курочкин, Ю.В. Курочкин, И.И. Рябцев, А.В. Зверев, И.Г. Неизвестный
Лаборатория нелинейных резонансных процессов и лазерной диагностики.
Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений А2В6.
Группа моделирования электронных и технологических процессов микроэлектроники.
П.А. Бохан, П.П. Гугин, Д.Э. Закревский, М.А. Лаврухин
Лаборатория мощных газовых лазеров.
Н.Н. Рубцова, В.Г. Гольдорт, В.Н. Ищенко, Е.Б. Хворостов, С.А. Кочубей, В.А. Решетов, И.В. Евсеев
Лаборатория лазерной спектроскопии и лазерных технологий.
А.В. Царев
Лаборатория оптических материалов и структур.
А.А. Алексеева, А.Г. Настовьяк, Н.Л. Шварц
Группа моделирования электронных и технологических процессов микроэлектроники.
И.В. Рогова, П.С. Кривошеев, А.В. Гусаченко
Отдел электронных систем Новосибирского Филиала ИФП СО РАН «КТИПМ».
А.Ю. Поляков, А.В. Ненашев, С.А. Рудин
Лаборатория вычислительных систем. Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем.