В соответствии с основными научными направлениями в Институте проводятся исследования в рамках государственного задания и Программ фундаментальных исследований СО РАН №№ II.8.1., II.8.2., II.8.3., II.9.4., II.10.2., II.11.1.

Программа II.8.1.

Квантовая физика полупроводниковых наноструктур
(Координатор - академик А.Л. Асеев)

II.8.1.1. Электронные процессы в низкоразмерных системах и наноструктурах
Руководители – академик А.В. Чаплик, д.ф.-м.н. З.Д. Квон.

II.8.1.2. Фундаментальные исследования атомных и фотоэлектронных явлений на поверхности фотокатодов с эффективным отрицательным электронным сродством
Руководитель - д.ф.-м.н. А.С. Терехов.

II.8.1.3. Физико-химические основы базовых элементов перспективных систем технического зрения инфракрасного диапазона спектра
Руководитель - д.ф.-м.н. Ю.Г. Сидоров.

II.8.1.4. Структурные, оптические и электрофизические свойства низкоразмерных гетероструктур полупроводник-диэлектрик на основе элементов и соединений IV группы, их оксинитридов и оксидов металлов для нано-, нейроморфной электроники и квантовой информатики
Руководитель - д.ф.-м.н. В.П. Попов.

II.8.1.5. Физика границ раздела в наноструктурах на основе полупроводников типа А2В6, А3В5 и других конденсированных сред
Руководитель - д.ф.-м.н. А.П. Ковчавцев, к.х.н. Н.А. Валишева.

II.8.1.6. Физико-химические основы фотоприемных устройств инфракрасного диапазона на основе соединений А3В5 и неохлаждаемых матричных микроболометрических приемников
Руководитель - к.ф.-м.н. Д.Г. Есаев.

Программа II.8.2.

Фундаментальные основы твердотельных устройств микро- и наноэлектроники
(Координатор член-корр. РАН И.Г. Неизвестный)

II.8.2.1 Гетероструктуры на основе PbSnTe:In для матричных фотоприемников, чувствительных в терагерцовой области спектра, и элементной базы спинтроники
Руководитель - д.ф.-м.н. А.Э. Климов.

II.8.2.2 Генерация квантового ключа в протяженных атмосферных и оптоволоконых квантовых линиях связи с высокими потерями
Руководители - член-корр. И.И. Рябцев, член-корр. РАН И.Г. Неизвестный.

II.8.2.3 Гетероструктуры на основе материалов А3В5 для СВЧ-электроники и СВЧ-фотоэлектроники
Руководители - к.ф.-м.н. А.И. Торопов, д.ф.-м.н. К.С. Журавлев.

II.8.2.4. Функциональные оптоэлектронные материалы и волновые процессы в микро-наноразмерных структурах
Руководитель - к.ф.-м.н. В.В. Атучин.

II.8.2.5 Разработка научных основ эпитаксии наногетероструктур А3В5 для нового поколения ИК-фотоприемных устройств, в том числе и на подложках кремния
Руководитель – к.ф.-м.н. В.В. Преображенский.

Программа II.8.3.

Характеризация и свойства твердотельных наноструктур
(Координатор - академик РАН А.В. Латышев)

II.8.3.1. Структура и механизмы формирования поверхности, границ раздела и дефектов полупроводниковых наносистем
Руководитель - академик РАН А.В. Латышев.

II.8.3.2. Характеризация свойств эпитаксиальных наногетероструктур на основе полупроводников А3В5, Ge и Si в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии
Руководитель - д.ф.-м.н. О.П. Пчеляков.

II.8.3.3. Физико-технологические основы роста напряженных наногетероструктур и нанодиагностика квантово-размерных структур на основе кремния и германия
Руководитель - к.ф.-м.н. А.И. Никифоров.

Программа II.9.4.

Наноструктуры и физические принципы приборов на их основе для электроники, фотоники и магнитных систем
(Координатор - член-корр. РАН А.В. Двуреченский)

II.9.4.1. Электронные и оптические явления в полупроводниковых наноструктурах
Руководитель - член-корр. РАН А.В. Двуреченский.

II.9.4.2. Исследование физических свойств новых 2D и 3D наноструктур и материалов для практических применений
Руководитель - д.ф.-м.н. В.Я. Принц.

II.9.4.3. Исследование оптических и электронных свойств гибридных наноструктур на основе полупроводников и диэлектриков.
Руководители - д.ф.-м.н. А.Г. Милёхин, к.х.н. О.И. Семенова.

II.9.4.4. Инструментарий параллельного мультипрограммирования распределенных вычислительных систем и моделирования гетероэпитаксии на структурированных подложках
Руководитель - д.т.н. К.В. Павский.

Программа II.10.2.

Фундаментальные проблемы взаимодействия лазерного излучения с однородными и структурированными средами, перспективные технологии и устройства фотоники
(Координатор - академик А.М. Шалагин)

II.10.2.8. Когерентные и нелинейные явления в однородных и структурированных средах и в элементах фотоники при взаимодействии с интенсивным лазерным излучением и пучками заряженных частиц
Руководитель - д.ф.-м.н. Н.Н. Рубцова.

Программа II.11.1.

Актуальные проблемы и прикладные аспекты оптико-информационных технологий
(Координатор - д.т.н. Ю.В. Чугуй)

II.11.1.3. Физико-технологические основы оптико-электронных систем и приборов видимого, инфракрасного и терагерцового диапазонов
Руководитель - к.т.н. В.Н. Федоринин.