Родионов Андрей Алексеевич
Дата рождения: | 18.11.1992 |
Вуз (дата окончания): | НГУ (2015) |
2015 | |
Форма обучения: | очная |
03.06.01 - "Физика и астрономия" | |
Специальность: | 01.04.10 - "Физика полупроводников" |
Тема диссертации: | Оптический метод регистрации спина свободных электронов с пространственным разрешением в гетероструктурах A3B5 |
Научный руководитель: | д.ф.-м.н., профессор Терещенко Олег Евгеньевич |
Лаборатория: | Лаб. №37 |
E-mail: |
Публикации:
Статьи в рецензируемых научных журналах:
Труды конференций:
Личное участие в конференциях:
Участие в грантах:
- Эпитаксиальный рост и электронные свойства многоподзонных систем на основе селективно-легированных гетероструктур GaAs/AlAs. (Бакаров Асхат Климович)
- Транспортные свойства и спин-зависимые эффекты в топологических изоляторах со встроенным p-n переходом. (Голяшов Владимир Андреевич)
- Структура спин-поляризованных электронных состояний в дираковских материалах на основе Ge. (Терещенко Олег Евгеньевич)
- Гигантское спиновое расщепление Рашбы в полупроводниковых соединениях BiTeX (X=I,Br, Cl): спиновая поляризация в немагнитных материалах как основа нового поколения структур для спинтроники. (Терещенко Олег Евгеньевич)
- Создание и исследование электронных свойств границы раздела систем с ферромагнитным упорядочением на топологических изоляторах (Кавеев Андрей Камильевич)