Леган Дмитрий Михайлович
| Дата рождения: | 15.01.1987 |
| Вуз (дата окончания): | НГТУ (2011) |
| 2014 | |
| Форма обучения: | очная |
| 03.06.01 - "Физика и астрономия" | |
| Специальность: | 01.04.10 - "Физика полупроводников" |
| Тема диссертации: | Исследование и оптимизация гетероэпитаксиальных микро- и нанослоев соединений AIIIBV, выращенных для высокоэффективных солнечных элементов |
| Научный руководитель: |
д.ф.-м.н., проф. Пчеляков Олег Петрович |
| Лаборатория: | Лаб. №17 |
| E-mail: |
Публикации:
Статьи в рецензируемых научных журналах:
| Название | Первая страница |
|---|---|
| Д. О. Кунецов, Е. Г. Тишковский, Д. М. Леган. Оценка предельного КПД трёхконтактного солнечного элемента на основе гетероструктуры GaAs на Si. Автометрия, 2011, Т. 47, №5, с. 78-81. |  |
Труды конференций:
| Название | Обложка | Первая страница |
|---|---|---|
| Д. М. Леган, О. П. Пчеляков. XVII Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике. 2015 |  |
 |
| Dmitry M. Legan et al. 16th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices. 2015 |  |
 |
| Д. М. Леган, О. П. Пчеляков. 22-я Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых. 2016 |  |
 |
| Д. М. Леган, О. П. Пчеляков, М. О. Петрушков, В. В. Преображенский. "ФОТОНИКА 2017", Новосибирск 2017, устный доклад. |
Личное участие в конференциях:
| Название | Обложка тезисов | Обложка программы | Время выступления | Первая страница |
|---|---|---|---|---|
| Д. М. Леган, О. П. Пчеляков, Моделирование кремниевого солнечного элемента при различных степенях легирования подложки и различном времени жизни неосновных носителей заряда, XVII Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, Санкт-Петербург, 23-27 ноября 2015 года, стендовый доклад |  |
 |
 | |
| Dmitry M. Legan et al., A Solar Cell, Based on the Epitaxial Layers of AIIIBV Compounds, Transferred from the Substrate onto the Flexible Polymeric Carrier, 16th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, Загородный спортивно-оздоровительный комплекс НГТУ «Эрлагол», близ села Чемал, 29 июня – 3 июля 2015 года, устный доклад |  |
|
 | |
| Д. М. Леган, О. П. Пчеляков, Вычисление оптимальной толщины слоя In0.3Ga0.7As в трехкаскадном In0.3Ga0.7As/GaAs/In0.5Ga0.5P солнечном элементе, 22-я Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых, Детский оздоровительный комплекс «Спутник» под Таганрогом, 21-28 апреля 2016, стендовый доклад |  |
|
 | |
| Д. М. Леган, О. П. Пчеляков, М. О. Петрушков, В. В. Преображенский, Вычисление оптимальной толщины слоя In0.3Ga0.7As в трехкаскадном In0.3Ga0.7As/GaAs/In0.5Ga0.5P солнечном элементе в зависимости от величины времени жизни неосновных носителей заряда в этом слое., ФОТОНИКА 2017, Новосибирск, 11-15 сентября 2017, устный доклад | |
Личные достижения (дипломы, гранты, награды, сертификаты, именные стипендии):
- Диплом за лучший стендовый доклад в секции «физика полупроводников и диэлектриков» на конференции ВНКСФ-22, 2016 год.
Участие в грантах:
- Грант РНФ №16-12-00023: «Полупроводниковые наногетероструктуры для высокоэффективных термофотовольтаических элементов». Руководитель проекта: О. П. Пчеляков.
- Грант РФФИ №16-29-03292: «Молекулярно-лучевая эпитаксия гетероструктур на основе Ge-Si-Sn для многокаскадных солнечных элементов. Руководитель проекта: О. П. Пчеляков.
Научно-педагогическая практика:
- Новосибирский Государственный Университет. Руководитель: А. В. Двуреченский. Название курса: «Радиационная физика».
Отчёты о выполнении НИР:
1-й семестр:
1. Проведен анализ литературы, посвященной созданию эффективных солнечных элементов на основе соединений A3B5, выращенных на различных подложках и носителях.2. Освоен программный модуль «Epi/Matpar» из программного пакета «Sentaurus TCAD», необходимый для моделирования многослойных эпитаксиальных структур.
3. Освоена методика измерения ВАХ и КПД солнечных элементов с помощью установки – имитатора солнечного излучения.
2-й семестр:
1. Проведен анализ литературы, посвященной созданию эффективных солнечных элементов на основе соединений A3B5, выращенных на различных подложках и носителях.2. С помощью программного пакета «Sentaurus TCAD» был смоделирован кремниевый солнечный элемент, для дальнейшего моделирования InGaP/GaAs/Si (подложка) солнечного элемента.
3-й семестр:
1. Проведен анализ литературы, посвященной созданию 3-х каскадных инвертированных In0.3Ga0.7As/GaAs/In0.5Ga0.5P солнечных элементов, а также исследованию их выходных характеристик.2. С помощью программного пакета «Sentaurus TCAD» был смоделирован каскад In0.3Ga0.7As инвертированного трехкаскадного In0.3Ga0.7As/GaAs/In0.5Ga0.5P солнечного элемента.
4-й семестр:
1. Проведен анализ литературы, посвященной созданию 3-х каскадных инвертированных In0.3Ga0.7As/GaAs/In0.5Ga0.5P солнечных элементов, а также исследованию их выходных характеристик.2. С помощью программного пакета «Sentaurus TCAD» был смоделирован каскад In0.3Ga0.7As инвертированного трехкаскадного In0.3Ga0.7As/GaAs/In0.5Ga0.5P солнечного элемента и была проведена оптимизация его толщины в зависимости от времени жизни неосновных носителей заряда.
5-й семестр:
Была придумана и выращена структура эпитаксиальных слоев In0.3Ga0.7As на полуизолирующей подложке GaAs через градиентные буферные слои AlAs -> In0.3Al0.7As. Начаты эксперименты по измерению времени жизни неосновных носителей заряда в слое In0.3Ga0.7As.6-й семестр:
Был проведен поиск оптимальной температуры излучающего тела, необходимой для выравнивания токов неравновесных носителей заряда в обоих каскадах в двухкаскадном Si-GaSb термофотоэлементе.
Аннотация выпускной квалификационной работы: 