Петрушков Михаил Олегович

Дата рождения: 10.06.1990
Вуз (дата окончания): НГТУ (2014)
Год поступления в аспирантуру: 2014
Форма обучения: очная
Направление подготовки: 03.06.01 - "Физика и астрономия"
Специальность: 01.04.10 - "Физика полупроводников"
Тема диссертации: МЛЭ GaAs на вицинальных подложках Si(001):влияние условий зарождения и роста на морфологию поверхности и кристаллографические свойства эпитаксиальных слоев
Научный руководитель: к.ф.-м.н. Путято Михаил Альбертович
Лаборатория: Лаб. №17
E-mail:

Публикации:

Статьи в рецензируемых научных журналах:

НазваниеПервая страница
И.Д. Лошкарев, А.П. Василенко, Е.М. Труханов, А.В. Колесников, М.А. Путято, М.Ю. Есин, М.О. Петрушков «Структурное состояние эпитаксиальных пленок GaP разных полярностей на отклоненных подложках Si(001)» Письма в ЖТФ, 2017, том 43, вып. 4, с.64-71
Д.С. Абрамкин, М.О. Петрушков, Е.А. Емельянов, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, А.В. Васев, М.Ю. Есин, И.Д. Лошкарев, А.К. Гутаковский, В.В. Преображенский, Т.С. Шамирзаев «Влияние дислокационного фильтра на основе LT-GaAs на совершенство слоев GaAs/Si» АВТОМЕТРИЯ, 2018, том 54, вып. 2, C. 85-92.
И.Д. Лошкарев, А.П. Василенко, Е.М. Труханов, А.В. Колесников, М.О. Петрушков, М.А. Путято «Рентгеноструктурный анализ эпитаксиальных слоев со свойствами дислокационного фильтра» Письма в ЖТФ, 2018, том 44, вып. 13, C. 19-27.
М.О. Петрушков, М.А. Путято, И.Б. Чистохин, Б.Р. Семягин, Е.А. Емельянов, М.Ю. Есин, Т.А. Гаврилова, А.В. Васев, В.В. Преображенский «Метод диффузии цинка в InP через узкий зазор с использованием планарного источника на основе Zn3P2». Письма в ЖТФ, 2018, том 44, вып. 14, c. 19-25.

Труды конференций:

НазваниеОбложкаПервая страница
Mikhail О. Petrushkov, Mikhail А. Putyato, Valerii V. Preobrazhenskii et al. // 14th International Conference of Young Specialists in Micro/Nanotechnologies and Electron Devices. 2013. P. 27-32.
Mikhail О. Petrushkov, Eugene А. Emelyanov, Nikolai A. Pakhanov et al. // 15th International Conference of Young Specialists in Micro/Nanotechnologies and Electron Devices. 2014. P. 45-50.
Dmitry M. Legan, Michael O. Petrushkov, Eugene A. Emelianov et al. // 16th International Conference of Young Specialists in Micro/Nanotechnologies and Electron Devices. 2015. P. 45-48.
Mikhail О. Petrushkov, Mikhail А. Putyato, Valerii V. Preobrazhenskii et al. // 16th International Conference of Young Specialists in Micro/Nanotechnologies and Electron Devices. 2015. P. 61-64.
Petrushkov, M.O., Putyato, M.A.,  Gutakovsky, A.K., et al. // Journal of Physics: Conference Series 741 (2016) 012020.
М. О. Петрушков, М. А. Путято, А. К. Гутаковский и др. Влияние слоев LT-GaAs на кристаллические свойства эпитаксиальных пленок GaAs, выращенных методом МЛЭ на подложках Si. «КРЕМНИЙ 2016», 12-15 сентября 2016 г., Новосибирск.
Т.С. Шамирзаев, М.А. Путято, Д.С. Абрамкин и др. Формирование, структура и люминесценция гибридных подложек GaP/Si. «КРЕМНИЙ 2016», 12-15 сентября 2016 г., Новосибирск.
M. О. Petrushkov, M. А. Putyato, A. K. Gutakovsky et al. // Impact of LT-GaAs layers on crystalline properties of the epitaxial GaAs films grown by MBE on Si substrates // 3rd International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures «Saint Petersburg OPEN 2016», March 28 – 30, 2016, Saint Petersburg.
М. О. Петрушков, Е. А. Емельянов, М. А. Путято и др. // Выращивание гетероструктур AIIIBV на подложках кремния методом МЛЭ для фотоэлектрических преобразователей // Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА 2015», 12-16 октября 2015 г., Новосибирск.
M. Petrushkov, E. Emelyanov, M. Putyato et al. Impact of nucleation conditions on the properties of GaSb/Si films with MBE. 19-й Европейский семинар по молекулярно-лучевой эпитаксии «Euro MBE 2017». 19 - 22 марта 2017 года, п. Коробицыно, г. Санкт-Петербург.
Е.А. Емельянов, М.О. Петрушков, М.А. Путято и др. XXI Международный симпозиум "НАНОФИЗИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА", 13-16 марта 2017г., Нижний Новгород.
Петрушков М.О., Абрамкин Д.С., Преображенский В.В. и др. // ФОРМИРОВАНИЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР GAAS/SI // XV МЕЖДУНАРОДНАЯ МОЛОДЕЖНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ ПО ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ И ЛАЗЕРНОЙ ФИЗИКЕ. Село Аршан, Республика Бурятия, 18-24 июля, 2016.
M. Petrushkov, E. Emelyanov, M. Putyato, B. Semyagin, A. Gutakovsky, S. Handarhaeva, A.Vasilenko, M. Esin, A. Vasev, A. Talochkin, V. Preobrazhenskii «Impact of nucleation conditions on the properties of GaSb/Si films with MBE». 19-й Европейский семинар по молекулярно-лучевой эпитаксии «Euro MBE 2017», 19 - 22 марта 2017 года, п. Коробицыно, г. Санкт-Петербург.
Mikhail O. Petrushkov, Mikhail A. Putyato, Eugeny А. Emelyanov et al. «Improvement of GaAs/Si epitaxial films optical properties by means of low-temperature GaAs intermediate layers». Международная конференция Nano and Giga Challenges in Electronics, Photonics and Renewable Energy «NGC2017», 18-22 сентября 2017 года, г. Томск.
Д.С. Абрамкин, М.О. Петрушков, Е.А. Емельянов и др. «Эпитаксиальные слои GaAs/Si как база для интеграции A3B5 гетероструктур в кремниевую технологию». Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «Фотоника 2017», 11-15 сентября 2017 года, г. Новосибирск.
Петрушков М.О., Путято М.А, Семягин Б.Р. и др. «Влияние условий зарождения на свойства пленок GaSb/Si(001), выращенных методом МЛЭ». XIII Российская конференция по физики полупроводников, 2-6 октября 2017 года, г. Екатеринбург.
Лошкарев И.Д., Василенко А.П., Петрушков М.О. и др. «Дислокационная структура и поворот кристаллической решетки пленки на отклоненной подложке Si (001)». XIII Российская конференция по физики полупроводников, 2-6 октября 2017 года, г. Екатеринбург.
Емельянов Е.А., Петрушков М.О., Лошкарев И.Д. и др. «МЛЭ твердых растворов InAsxSb1 x на вицинальных подложках GaAs(001) с использованием потоков молекул As2 и As4». XIII Российская конференция по физики полупроводников, 2 6 октября 2017 года, г. Екатеринбург.
Д.М. Леган, О.П. Пчеляков, М.О. Петрушков, В.В. Преображеский «Вычисление оптимальной толщины слоя InGaAs в трехкаскадном InGaAs/GaAs/InGaP солнечном элемента в зависимости от величины времени жизни неосновных носителей заряда в этом слое». Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «Фотоника 2017», 11-15 сентября 2017
М.О. Петрушков, Е.А. Емельянов, М.А. Путято и др. «Формирование р+ -областей в полупроводниковых структурах AIIIBV методом диффузии цинка с использованием Zn3P2». Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «Фотоника 2017», 11-15 сентября 2017
М.А. Путято, Н.А. Валишева, М.О. Петрушков и др. «Проблемы создания гибких двухкаскадных фотоэлектрических преобразователей на основе гетероструктур InGaP/GaAs». Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «Фотоника 2017», 11-15 сентября 2017
Д.С. Абрамкин, М. О. Петрушков, М.А. Путято и др. Гетероструктуры с InAs/AlAs квантовыми ямами и квантовыми точками, выращенные на GaAs/Si эпитаксиальных слоях. XXII Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", 12-15 марта, Нижний Новгород, стендовый доклад.

Личное участие в конференциях:

НазваниеОбложка тезисовОбложка программыВремя выступленияПервая страница
Mikhail О. Petrushkov, Mikhail А. Putyato, Boris R. Semyagin, Eugene А. Emelyanov, Dmitry F. Feklin, Valerii V. Preobrazhenskii, GaAs MBE on Vicinal Substrates Si(001): Impact of Nucleation and Growth Conditions on Surface Morphology and Crystallographic Properties of the Epitaxial Layers, 14th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM 2013, Erlagol, Altai; Russian Federation, 1 July 2013 through 5 July 2013, устный доклад
Mikhail О. Petrushkov, Eugene А. Emelyanov, Nikolai A. Pakhanov, Valerii V. Preobrazhenskii, Mikhail А. Putyato, Oleg P. Pchelyakov, GaAs layers grown on silicon substrates by MBE for photovoltaic application, 15th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM 2014, Erlagol, Altai; Russian Federation, 30 June 2014 through 4 July 2014, устный доклад
Mikhail О. Petrushkov, Mikhail А. Putyato, Valerii V. Preobrazhenskii, Boris R. Semyagin, Eugene А. Emelyanov, GaAs MBE on Vicinal Substrates Si (001): Impact of Nucleation and Growth Conditions on Crystallographic Properties of the Epitaxial Layers, 16th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM 2015, Erlagol, Altai; Russian Federation, 29 June 2015 through 3 July 2015, устный доклад
М. О. Петрушков, Е. А. Емельянов, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, Н. А. Паханов, О. П. Пчеляков, В. В. Преображенский, Выращивание гетероструктур AIIIBV на подложках кремния методом МЛЭ для фотоэлектрических преобразователей, Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА 2015», Новосибирск, 12-16 октября 2015 г., стендовый доклад
M. О. Petrushkov, M. А. Putyato, A. K. Gutakovsky, V. V. Preobrazhenskii, E. А. Emelyanov, B. R. Semyagin, A.V. Vasev, Impact of LT-GaAs layers on crystalline properties of the epitaxial GaAs films grown by MBE on Si substrates, 3rd International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures «Saint Petersburg OPEN 2016», Saint Petersburg, March 28 – 30, 2016, стендовый доклад
М. О. Петрушков, М. А. Путято, А. К. Гутаковский, В. В. Преображенский, Е. А. Емельянов, Б. Р. Семягин, А. В. Васев, И. Д. Лошкарев, Влияние слоев LT-GaAs на кристаллические свойства эпитаксиальных пленок GaAs, выращенных методом МЛЭ на подложках Si, XI Конференция и X Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «КРЕМНИЙ 2016», Новосибирск, 12-15 сентября 2016 г., стендовый доклад
M. Petrushkov, E. Emelyanov, M. Putyato, B. Semyagin, A. Gutakovsky, S. Handarhaeva, A. Vasilenko, M. Esin, A. Vasev, A. Talochkin, V. Preobrazhenskii , Impact of nucleation conditions on the properties of GaSb/Si films with MBE, 19-й Европейский семинар по молекулярно-лучевой эпитаксии «Euro MBE 2017», п. Коробицыно, г. Санкт-Петербург. , 19-22 марта 2017г., стендовый доклад
Mikhail O. Petrushkov, Mikhail A. Putyato, Eugeny А. Emelyanov, Ivan D. Loshkarev, Demid S. Abramkin, Boris R. Semyagin, Andrey V. Vasev and Valerii V. Preobrazhenskii , Improvement of GaAs/Si epitaxial films optical properties by means of low-temperature GaAs intermediate layers, Международная конференция Nano and Giga Challenges in Electronics, Photonics and Renewable Energy «NGC2017», г. Томск., 18-22 сентября 2017 года, стендовый доклад
Петрушков М.О., Путято М.А, Семягин Б.Р., Лошкарев И.Д., Василенко А.П., Есин М.Ю., Васев А.В., Хандархаева С.Е., Гутаковский А.К., Преображенский В. В. , Влияние условий зарождения на свойства пленок GaSb/Si(001), выращенных методом МЛЭ, XIII Российская конференция по физики полупроводников, г. Екатеринбург. , 2-6 октября 2017 года, стендовый доклад
М.О. Петрушков, Е.А. Емельянов, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, И.Б. Чистохин, А.В. Васев, С.М. Гущин, Е.В. Скоробов, В.В. Преображенский, Формирование р+ -областей в полупроводниковых структурах AIIIBV методом диффузии цинка с использованием Zn3P2, Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «Фотоника 2017», г. Новосибирск, 11-15 сентября 2017 года, стендовый доклад

Личные достижения (дипломы, гранты, награды, сертификаты, именные стипендии):

  1. Стипендия ИФП 2016

Участие в грантах:

  1. Исполнитель: Грант РФФИ № 16-32-00172 мол_а
  2. Исполнитель: Грант РНФ №16-12-00023
  3. Исполнитель: Грант РНФ №17-72-10038
  4. Руководитель: Грант РФФИ №18-32-00125 мол_а

Научно-педагогическая практика:

  1. Предмет "Элементы и приборы наноэлектроники". Филиал кафедры ППиМЭ факультета РЭФ НГТУ в ИФП СО РАН, Руководитель Н.Л. Шварц.

Отчёты о выполнении НИР:

1-й семестр:

Проанализированы литературные данные по МЛЭ соединений AIIIBV на подложках кремния и составлен черновой вариант обзора литературы (2014-2016г).

2-й семестр:

Проведены эксперименты по исследованию влияния способов подготовки поверхности Si на свойства эпитаксиальных слоев, выращенных на этой поверхности. Определено, что на подложках, прошедших очистку под слоем галлия, формируется пленка кремния более высокого качества по сравнению со пленками, выращенными на поверхности очищенной в потоке атомов Si (2014-2015г).

3-й семестр:

Проведены эксперименты по изучению влияния слоев LT-GaAs на структурные свойства эпитаксиальных пленок GaAs/Si(001). Обнаружено, что в слоях LT-GaAs с большой плотностью прорастающих дислокаций образуются кластеры мышьяка, также как это происходит в бездислокационных пленках LT-GaAs. Определено, что дислокации влияют на положение и размер кластеров As, а кластеры практически не влияют на эволюцию системы прорастающих дислокаций. Показано, что наличие слоя LT-GaAs на границе раздела GaAs/Si(001) снижает плотность прорастающих дислокаций, а наличие слоя LT-GaAs в объеме GaAs не существенно влияет на плотность прорастающих дислокаций (2014-2016г).

4-й семестр:

Методом МЛЭ выращены пленки GaSb/Si(001), толщиной 500нм, для изучения влияния условий зарождения на их свойства. С помощью методов АСМ и XRD проведены измерения данных структур.

5-й семестр:

Продолжение исследования влияния условий зарождения на свойства пленок GaSb/Si(001). С помощью метода ПЭМ показано, что в пленках 500нм GaSb/Si(001), выращенных через подслой GaP, на границе раздела GaSb/Si встречаются 90-градустные дислокации, а также имеются пары комплементарных 60-градусных дислокаций.
Учитывая этот факт, методом МЛЭ выращены тонкие пленки 50нм GaSb/Si(001) через подслои GaP при различных условиях.

6-й семестр:

Методом МЛЭ выращены структуры 2,5мкм GaAs/Si(001) с различной ориентацией при наличии и отсутствии слоев LT-GaAs. С помощью метода АСМ показано, что слои LT-GaAs снижают среднеквадратичную шероховатость поверхности пленок GaAs/Si(001). Из анализа рентгеноструктурных измерений следует, что кристаллическое качество пленок со слоями LT-GaAs сравнимо с качеством пленок без них. По результатам исследования методом ФЛ показано, что наличие слоев LT-GaAs в пленках GaAs/Si(001) повышает интенсивность ФЛ в несколько раз.

7-й семестр:

Проведены исследования влияния слоёв LT-GaAs и послеростового циклического отжига на совершенство эпитаксиальных слоев GaAs/Si(001). С помощью метода ПЭМ показано, что LT-GaAs слои могут выступать в роли дислокационных фильтров, снижая плотность ПД. С помощью ФЛ определено, что послеростовой отжиг структур GaAs/Si(001) со вставками слоев LT-GaAs при температуре 650 градусов С позволяет снизить концентрацию точечных дефектов – центров безызлучательной рекомбинации в приповерхностном слое структуры, до уровня близкого к концентрации таких дефектов в гомоэпитаксиальном GaAs.

8-й семестр:

Получены гетероструктуры с квантовыми точками InAs/AlAs, выращенными на эпитаксиальных пленках GaAs/Si. Обнаружена низкотемпературная ФЛ, связанная с рекомбинацией носителей заряда в квантовых точках (КТ) и в смачивающем слое (СС). Показано, что КТ и СС характеризуются энергетическим строением первого рода.
С учетом полученных результатов за время обучения в аспирантуре подготовлена выпускная квалификационная работа.

Аннотация выпускной квалификационной работы: