Конфедератова Ксения Александровна

Дата рождения:	01.10.1992
Вуз (дата окончания):	НГУ (2016)
Год поступления в аспирантуру:	2016
Форма обучения:	очная
Направление подготовки:	03.06.01 - "Физика и астрономия"
Специальность:	01.04.10 - "Физика полупроводников"
Научный руководитель:	д.ф.-м.н., в.н.с. Журавлев Константин Сергеевич
Лаборатория:	Лаб. №37
E-mail:	kseniya.konfederatovagmail.com

Публикации:

Статьи в рецензируемых научных журналах:

Название	Первая страница
E.E. Rodyakina, K.A. Konfederatova «Proximity effects in formation of photonic crystals by lithographic methods» Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing May 2016, Volume 52, Issue 3, pp 292–297
K S Zhuravlev, D V Gulyaev, I A Aleksandrov, T V Malin, V G Mansurov, Yu G Galitsyn, K.A. Konfederatova, Yen-Chun Chen and Wen-Hao Chang «Original method of GaN and InGaN quantum dots formation on (0001)AlN surface by ammonia molecular beam epitaxy» Journal of Physics: Conference Series, Volume 864, conference 1, 2017
Kseniya A. Konfederatova, Vladimir G. Mansurov, Timur V. Malin, Yurij G. Galitsyn, Ivan A. Aleksandrov, Vladimir I. Vdovin, Konstantin S. Zhuravlev "Role of the phase transition at GaN QDs formation on (0001)AlN surface by ammonia molecular beam epitaxy" Journal of Thermal Analysis and Calorimetry, 2018, doi:10.1007/s10973-018-7280-1

Труды конференций:

Название	Обложка	Первая страница
Конфедератова К.А. «Изучение эффектов близости при создании фотонных кристаллов литографическими методам» сборник тезисов МНСК-2014, стр. 20
Конфедератова К.А., Родякина Е.Е. «Коррекция эффекта близости при формировании фотонных кристаллов методом электронно-лучевой литографии» сборник тезисов Конференции и Школы Молодых Ученых По Актуальным Проблемам Физики Полупроводниковых Структур, 2014 г.
Конфедератова К.А., Родякина Е.Е. «Формирование однородных по размеру наноструктур методом электронно-лучевой литографии: методы коррекции эффектов близости» сборник тезисов конференции «Фотоника-2015», стр. 106
Конфедератова К.А., Мансуров В.Г., Галицын Ю.Г., Малин Т.В., Журавлев К.С. «Эпитаксиальный рост графеноподобного и графитоподобного AlN на поверхности (111) Si и измерение параметров кристаллической решетки методом ДБЭО» сборник тезисов «XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников 15-20 февраля 2016 г.», стр. 238, 239
Конфедератова К.А. «Процессы формирования гладкой поверхности (0001)AlN и GaN квантовых точек низкой плотности в аммиачной МЛЭ» сборник тезисов МНСК-2016, стр. 21
Конфедератова К.А. «Формирование GaN квантовых точек низкой плотности на поверхности (0001)AlN в аммиачной МЛЭ» сборник материалов XV Российской научной студенческой конференции, стр.172-174
К.А.Конфедератова, В.Г.Мансуров, Т.В.Малин, Ю.Г.Галицын, И.А.Александров, В.И.Вдовин, К.С.Журавлев «Формирование низкой плотности GaN-AlN квантовых точек при разложении смачивающего слоя» 11-я Всероссийская конференция «Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы» 1-3 февраля 2017 г., г.Москва, стендовый доклад
K.A. Konfederatova, V.G. Mansurov, T.V. Malin, Yu.G. Galitsyn, K.S.Zhuravlev «Formation of low-density GaN-AlN QDs goverened by evaporation of wetting layer» 19th European Workshop on Molecular Beam Epitaxy, 19-22 марта 2017 г., г. Санкт-Петербург, стендовый доклад
K.A. Konfederatova, V.G. Mansurov, T.V. Malin, Yu.G. Galitsyn, I.A. Aleksandrov, V.I. Vdovin, K.S. Zhuravlev «Role of the phase transition at GaN QDs Formation on (0001)AlN surface By Ammonia molecular beam epitaxy» XXI International Conference on Chemical Thermodynamics in Russia (RCCT– 2017), 26-30 июня 2017 г., г. Новосибирск, устный доклад
10. K.A. Konfederatova, V.G. Mansurov, T.V. Malin, Yu.G. Galitsyn, I.A. Aleksandrov, V.I. Vdovin, K.S. Zhuravlev «Formation of low-density GaN quantum dots on (0001)AlN surface by the decomposition of GaN wetting layer» 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS – 12), 24–28 июля 2017 г., г. Страсбург, Франция, стендовый доклад
Конфедератова К.А., Мансуров В.Г., Малин Т.В., Галицын Ю.Г., Александров И.А., Вдовин В.И., Журавлев К.С. «Получение низкой плотности GaN/AlN КТ в процессе перераспределения вещества на поверхности смачивающего слоя» XIII Российской Конференции по Физике Полупроводников, 2-6 октября 2017г, г. Екатеринбург, Россия, стендовый доклад

Личное участие в конференциях:

Название	Обложка тезисов	Обложка программы	Время выступления	Первая страница
Конфедератова К.А., Изучение эффектов близости при создании фотонных кристаллов литографическими методам, МНСК-2014, г. Новосибирск,, апрель 2014 г., устный доклад
Конфедератова К.А., Родякина Е.Е., Коррекция эффекта близости при формировании фотонных кристаллов методом электронно-лучевой литографии, Конференция и Школа Молодых Ученых По Актуальным Проблемам Физики Полупроводниковых Структур, г. Новосибирск, октябрь 2014 г., стендовый доклад
Конфедератова К.А., Мансуров В.Г., Галицын Ю.Г., Малин Т.В., Журавлев К.С., Эпитаксиальный рост графеноподобного и графитоподобного AlN на поверхности (111) Si и измерение параметров кристаллической решетки методом ДБЭО, XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, г. Екатеринбург, 15-20 февраля 2016 г., стендовый доклад
Конфедератова К.А., Процессы формирования гладкой поверхности (0001)AlN и GaN квантовых точек низкой плотности в аммиачной МЛЭ, МНСК-2016, г. Новосибирск, апрель 2016 г., устный доклад
K.A. Konfederatova, V.G. Mansurov, T.V. Malin, Yu.G. Galitsyn, K.S. Zhuravlev, Formation of low-density GaN-AlN QDs goverened by evaporation of wetting layer, 19th European Workshop on Molecular Beam Epitaxy, г. Санкт-Петербург, 19-22 марта 2017г., стендовый доклад
K.A. Konfederatova, V.G. Mansurov, T.V. Malin, Yu.G. Galitsyn, I.A. Aleksandrov, V.I. Vdovin, K.S. Zhuravlev, Role of the phase transition at GaN QDs Formation on (0001)AlN surface By Ammonia molecular beam epitaxy, XXI International Conference on Chemical Thermodynamics in Russia (RCCT– 2017), г. Новосибирск, Россия, 26-30 июня 2017 г., устный доклад

Личные достижения (дипломы, гранты, награды, сертификаты, именные стипендии):

1. Диплом 3ей степени по МНСК 2014 г.
2. Диплом 2ой степени по МНСК 2016 г.

Участие в грантах:

1. Грант № 14-22-00143 «In situ и ex situ высокоразрешающая аналитическая микроскопия для изучения атомных процессов на поверхности, границах раздела и в объеме твердотельных низкоразмерных систем» (грант РНФ)
2. Грант № 17-02-00947 А, Ван-дер-Ваальсовские и графеноподобные кристаллы AlN и SiN, Статус: Поддержана.
3. Грант № 17-52-04023 Бел_мол_а, Атомная и энергетическая структура гетерограниц и интерфейсных дефектов в низкоразмерных структурах на основе нитридов металлов третьей группы, Статус: Получены печатные формы 10.10.2016.
4. Проект № 14.613.21.0039, Создание новых лазерных сред на основе AlGaN гетероструктур, активированных дефектами; исследование их люминесцентных и генерационных свойств и разработка лазерных систем на этой основе сине-зеленого спектрального диапазона.
5. Грант № 17-52-18054 Болг_а, Энергетическая релаксация горячих электронов в глубоких квантовых ямах, Статус: Получены печатные формы 05.12.2016
6. Грант № 17-52-45108 ИНД_а, Наноструктуры GaN/AlN на графеноподобном AlN, Статус: Поддержана
7. Грант № 17-42-543091 р_мол_а, In situ пассивированние поверхности AlN/GaN гетероструктуры с двумерным электронным газом, Статус: Зарегистрирована.