Будажапова Анастасия Евгеньевна
| Вуз (дата окончания): | НГТУ (2018) |
| 2018 | |
| Форма обучения: | очная |
| 03.06.01 - "Физика и астрономия" | |
| Специальность: | 01.04.10 - "Физика полупроводников" |
| Тема диссертации: | Массивы наночастиц Ge и Si, формируемые в условиях несмачиваемости поверхностей Si и SiO2” |
| Научный руководитель: | д.ф.-м.н., в.н.с. Шкляев Александр Андреевич |
| Лаборатория: | Лаб. №20 |
| E-mail: |
Публикации:
Статьи в рецензируемых научных журналах:
| Название | Первая страница |
|---|---|
| Budazhapova A. E., Shklyaev A. A. Shapes of the micron-sized SiGe island grown on Si(100) in dewetting conditions //Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM), 2018 19th International Conference of Young Specialists. – IEEE, 2018 – С. 16-18. | |
| Shklyaev A. A., Budazhapova A. E. Submicron-and micron-sized SiGe island formation on Si (100) by dewetting //Thin Solid Films. – 2017 – Т. 642 – С. 345-351. | |
| Shklyaev A. A., Budazhapova A. E. Critical conditions for SiGe island formation during Ge deposition on Si (100) at high temperatures //Materials Science in Semiconductor Processing. – 2017 – Т. 57 – С. 18-23. | |
| Budazhapova A. E., Shklyaev A. A. Mechanisms of surface morphology formation during Ge growth on Si (100) at high temperatures //Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM), 2015 16th International Conference of Young Specialists. – IEEE, 2015 – С. 12-15. | |
| Shklyaev A. A., Budazhapova A. E. Ge deposition on Si (1 0 0) in the conditions close to dynamic equilibrium between islands growth and their decay //Applied Surface Science. – 2016 – Т. 360 – С. 1023-1029. |
Труды конференций:
| Название | Обложка | Первая страница |
|---|---|---|
| Будажапова А. Е., Шкляев А. А. Формирование островков вблизи равновесных условий между их ростом и распадом в процессе осаждения Ge на Si(100) при высоких температурах // 1st Russian National Conference NMST-2016 - сборник трудов конференции NMST 2016 - С. 38-41. |