Гамбарян Маргарита Петровна

Дата рождения: 20.12.1990
Вуз (дата окончания): НГТУ (2015)
Год поступления в аспирантуру: 2018
Форма обучения: очная
Направление подготовки: 03.06.01 - "Физика и астрономия"
Специальность: 01.04.10 - "Физика полупроводников"
Тема диссертации: «Нанокристаллы Ge и GeSi в матрице германосиликатного стекла: формирование, структурные, оптические и электрофизические свойства»
Научный руководитель: д.ф.-м.н. Володин Владимир Алексеевич
Лаборатория: Лаб. №24
E-mail:

Публикации:

Статьи в рецензируемых научных журналах:

НазваниеПервая страница
V.A. Volodin, M.P. Gambaryan, A. G. Cherkov, V. I. Vdovin, M. Stoffel, H. Rinnert, M. Vergnat "Infrared photoluminescence from GeSi nanocrystals embedded in a germanium–silicate matrix" December 2015, Journal of Experimental and Theoretical Physics 121(6):1076-1081
V.A.Volodin, M.P.Gambaryan, A. G. Cherkov, M. Stoffel, H. Rinnert, M. Vergnat "Structure and infrared photoluminescence of GeSi nanocrystals formed by high temperature annealing of GeOx /SiO2 multilayers" August 2016, Materials Research Express 3(8):085019

Труды конференций:

НазваниеОбложкаПервая страница
М.П. Гамбарян, С.Г. Черкова, В.А. Володин "ИК-фотолюминесценция плёнок GexSiyOz: вклад дефектов и нанокластеров германия", Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых) "Фотоника 2019", 27-31 мая 2019 г., Новосибирск, постерный доклад
М.П. Гамбарян, Г.К. Кривякин, С.Г. Черкова, В.А. Володин "Проявление квантоворазмерных эффектов в нанокристаллах и аморфных нанокластерах германия в плёнках GeSixOy" XIV Российская конференция по физике полупроводников 9-13 сентября, санаторий «Сосновка», Новосибирск, Россия стендовый доклад

Личное участие в конференциях:

НазваниеОбложка тезисовОбложка программыВремя выступленияПервая страница
М.П. Гамбарян, С.Г. Черкова, В.А. Володин, ИК-фотолюминесценция плёнок GexSiyOz: вклад дефектов и нанокластеров германия, Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых) "ФОТОНИКА 2019", Новосибирск, 27-31 мая 2019 г., стендовый доклад
М.П. Гамбарян, Г.К. Кривякин, С.Г. Черкова, В.А. Володин, Проявление квантоворазмерных эффектов в нанокристаллах и аморфных нанокластерах германия в плёнках GeSixOy, XIV Российская конференция по физике полупроводников, санаторий «Сосновка», Новосибирск, Россия, 9-13 сентября 2019 г., стендовый доклад

Отчёты о выполнении НИР:

1-й семестр:

Изучались образцы, представляющие собой толстые плёнки состава GeO[SiO] и GeO[SiO2], выращенные методом электронно-лучевого испарения мишеней из порошков диоксида германия и монооксида или диоксида кремния.

1. В спектрах ИК-поглощения плёнок обоих типов обнаружены пики, соответствующие поглощению на колебаниях связей Si-O, Ge-O, а также Si-O-Ge.
2. В спектре КРС плёнки GeO[SiO] обнаружен пик с положением 273 см(-1), который однозначно свидетельствует о наличии в данной плёнке кластеров аморфного германия.
3. Предположительно, в процессе осаждения плёнки из паров GeO и SiO на её поверхности протекает следующая реакция:
GeO + SiO → Ge + SiO2.

2-й семестр:

1. Проведены отжиги образцов при температурах от 400 oC до 650 oC.
В спектрах ИК-поглощения плёнок обоих типов обнаружены пики, соответствующие поглощению на колебаниях связей Si-O, Ge-O, а также Si-O-Ge.
2. Исследовано образование Ge-нанокристаллов в отожжённых плёнках GeO[SiO] и GeO[SiO2].
В спектрах КРС обнаружены пики, которые свидетельствуют о наличии кластеров аморфного германия и нанокристаллов германия, причём приблизительные размеры составляют около 6 нм (GeO[SiO]) и 6,4 нм (GeO[SiO2]).
3. В исходных плёнках обнаружена ФЛ с максимумом 1050 нм при низких температурах. В плёнках, содержащих Ge-НК, наблюдается ФЛ с максимумом 1400-1600 нм. Возможно это проявление квантоворазмерного эффекта в Ge-НК. Выяснение природы ФЛ требует дальнейших исследований.
4. Представлен постер на конференции «Фотоника-2019».