Михантьев Евгений Анатольевич

Дата рождения:	20.12.1988
Вуз (дата окончания):	НГТУ (2012)
Год поступления в аспирантуру:	2016
Форма обучения:	очная
Направление подготовки:	03.06.01 - "Физика и астрономия"
Специальность:	01.04.10 - "Физика полупроводников"
Научный руководитель:	к.ф.-м.н., с.н.с. Дворецкий Сергей Алексеевич
Лаборатория:	Лаб. 15
E-mail:	mikhantievgmail.com

Публикации:

Статьи в рецензируемых научных журналах:

Название	Первая страница
Михантьев Е. А., Неизвестный И. Г., Усенков С. В., Шварц Н. Л. Моделирование процесса формирования нанокластеров кремния при отжиге SiOx-слоёв // Автометрия. — 2011. — т. 47, No 5. — с. 88—97.
Карпов А. Н., Михантьев Е. А., Усенков С. В., Шварц Н. Л. Монте-Карло моделирование процесса формирования нанокластеров кремния в диоксиде кремния // Известия ВУЗов. Материалы электронной техники. — 2012. — No 1. — с. 33—39.
Mikhantiev E. A., Neizvestny I. G., Usenkov S. V., Shwartz N. L. Monte-Carlo simulation of the effect of silicon monoxide on silicon-nanocluster formation // Semiconductors. — 2014. — июль. — т. 48, No 7. — с. 891— 898.
Mikhantiev E. A., Neizvestny I. G., Usenkov S. V., Shwartz N. L. Silicon monoxide role in silicon nanocluster formation during Si-rich oxide layer annealing – Monte Carlo simulation // Computational Materials Science. — 2014. — июль. — т. 90. — с. 99—105.
Михантьев Е. А., Неизвестный И. Г., Усенков С. В., Шварц Н. Л. Влияние монооксида кремния на процесс формирования кремниевых нанокластеров (моделирование методом Монте-Карло) // Физика и техника полупроводников. — 2014. — т. 48, No 7. — с. 917—925.
Zverev A. V., Makarov Y. S., Mikhantiev E. A., Sabinina I. V., Sidorov G. Y., Dvoretskiy S. A. 384x288 readout integrated circuit for MWIR and LWIR HgCdTe based FPA // J. Phys.: Conf. Ser. — 2015. — нояб. — т. 643. — с. 012055.
Зверев А. В., Макаров Ю. С., Михантьев Е. А., Дворецкий С. А. Ячейка кремниевой интегральной микросхемы считывания со встроенным аналого-цифровым преобразованием // Автометрия. — 2016. — No 4.
Чесницкий А. В., Михантьев Е. А. Порог чувствительности изогнутых холловских мостиков InGaAs/AlGaAs/GaAs // Микроэлектроника. — 2016. — т. 45, No 2. — с. 112—118.
Zverev A., Makarov Y. S., Mikhant’ev E., Dvoretskii S. Cell of the silicon integrated reading circuit with built-it analog-digital converter // Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. — 2016. — т. 52, No 4. — с. 381—387.

Труды конференций:

Название	Обложка	Первая страница
Karpov A. N., Mikhantiev E. A., Usenkov S. V., Shwartz N. L. New event-scheduling algorithm for Monte Carlo simulation of multi-component systems // 2010 11th International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices. — Institute of Electrical, Electronics Engineers (IEEE), июнь 2010.
Mikhantiev E. A., Karpov A. N., Usenkov S. V., Shwartz S. L. Investigation of SiOx layer annealing process using Monte Carlo simulation // 2011 International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices Proceedings. — Institute of Electrical, Electronics Engineers (IEEE), 2011.
Shwartz N. L., Mikhantiev E. A., Neizvestny I. G., Usenkov S. V. Simulation of Si-nc formation during SiOx layers annealing // Abstract of IUPAC 7th International Symposium on Novel Materials and their Synthesis (NMS-VII) & 21th International Symposium on Fine Chemistry and Functional Polymers 16-21 October. — Shanghai, China, 2011. — с. 61.
Усенков С. В., Карпов А. Н., Михантьев Е. А., Шварц Н. Л. Моделирование процессов формирования кремниевых нанокластеров в системе SiO/SiO2 // Тезисы VIII Международной конференции «Кремний – 2011» 05-08 июля 2011. — Москва, 2011. — с. 191.
Mikhantiev E. A., Neizvestny I. G., Usenkov S. V., Shwartz N. L. Examination of SIO role in si-nanocrystal formation during SiOx layers annealing (Monte Carlo Simulation) // Abstract Book, of Asia-Pacific Academy of Materials topical seminar "Films and Structures for Innovative Applications" — Novosibirsk, Russia, 2012. — с. 133—134.
Mikhantiev E. A., Usenkov S. V., Shwartz N. L. Silicon monoxide influence on silicon nanocrystal formation // Proc. Int. Conf. and Seminar of Young Specialists Micro/Nanotechnologies and Electron Devices. — 2012. — с. 29—33.
Dvoretskiy S. A., Zverev A. V., Makarov Y. S., Mikhantiev E. A. High speed low power 384 ×288 readout integrated circuit for MWIR and LWIR MCT based FPA // Proc. 16th Int. Conf. of Young Specialists Micro/Nanotechnologies and Electron Devices. — июнь 2015. — с. 302— 305.
Makarov Y. S., Zverev A. V., Mikhantiev E. A., Dvoretskiy S. A. The noise model of CTIA-based pixel of SWIR HgCdTe focal plane arrays // Proc. 17th Int. Conf. of Young Specialists Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM). — июнь 2016. — с. 326—331.