При Новосибирском государственном университете и Институте физики полупроводников СО РАН организован учебно-научный центр "Технология и физика полупроводниковых наноструктур". Сопредседателями центра являются заведующий лабораторией ИФП СО РАН, профессор Терехов А.С. и профессор Аржанников А.В.

ИФП входит в состав участников научно-образовательного комплекса (НОК) "Наносистемы и современные материалы" Новосибирского государственного университета, призванного обеспечить развитие структурно-функциональных исследований уникальных наносистем и материалов в рамках приоритетного направления развития науки, технологий и техники РФ "Индустрия наносистем и материалы", подготовку специалистов-исследователей высшей квалификациимагистров, аспирантов, кандидатов и докторов наук - по этому направлению Председатель Ученого совета, исполнительный директор НОК - д.ф.-м.н., профессор Аржанников А.В.

Институт является участником Научно-образовательного центра "Генерация и применение терагерцевого излучения", созданного на базе Новосибирского государственного университета, ряда Институтов СО РАН: ИЯФ, ИХКиГ, ИГД, ИФПИТПМ, ИЦиГ, КТИ НП и Новосибирского государственного технического университета. Председателем научного совета является д.ф.-м.н. Князев Б.А. (ИЯФ СО РАН), членами совета от ИФП СО РАН являются академик Чаплик А.В. и к.ф.-м.н Есаев Д.Г.

Совместно с Сибирским государственным университетом телекоммуникаций и информатики (ГОУ ВПО «СибГУТИ») Институт создал научно-образовательный центр «Материаловедение и микрофотоэлектроника»; директор центра - профессор Ситников С.Г., научный руководитель член-корр. РАН, профессор Неизвестный И.Г.

Совместно с Новосибирским государственным техническим университетом Институт создал научно-образовательный центр «Полупроводниковые нанотехнологии»; научный руководитель д.ф.-м.н. Гайслер В.А.

Совместно с Новосибирским государственным университетом Институт создал научно-образовательный центр «Физика конденсированных сред и физического материаловедения»; научный руководитель академик Латышев А.В.

Совместно с Якутским Государственным университетом им. М.К. Аммосова Институт организовал научно-образовательный центр «Нанотехнологии и нанокомпозиты», научный руководитель со стороны ИФП СО РАН д.ф.-м.н. Принц В.Я., со стороны ЯГУ д.п.н., профессор Сыромятникова В.Г.

Совместно с Новосибирским государственным университетом Институт организовал научно-образовательный центр «Современные сенсоры и сети передачи данных», научный руководитель член-корр. РАН Двуреченский А.В., исполнительный директор член-корр. РАН Федорук М.П.

Институт входит в состав научно-образовательного центра «Оптоэлектроника» созданного на базе Новосибирского государственного университета, ОАО «ЦКБ Точприбор», ИФП СО РАН, ИАиЭ СО РАН, КТИ НП СО РАН и ОАО «ПО НПЗ».

Академик Асеев А.Л. входит в состав Ученого совета НГУ, наблюдательного совета ТГУ, является членом Попечительского совета Программы развития Национального исследовательского Томского государственного университета; академик Асеев А.Л. и д.ф.-м.н. Погосов А.Г. входят в состав Ученого совета НГУ, академик РАН Асеев А.Л. и академик Латышев А.В. - члены Ученого совета физического факультета НГУ. Член-корр. РАН Двуреченский А.В. - член экспертного совета ВАК Минобрнауки РФ.

С 2014 г. работают три совместные лаборатории, созданные на базе ИФП СО РАН и Новосибирского государственного университета: лаборатория полупроводниковых и диэлектрических материалов, лаборатория квантовых явлений в конденсированных системах, лаборатория наносверхпроводимости.

На базе Института действует Центр коллективного пользования «Технологии наноструктурирования полупроводниковых, металлических, углеродных, биоорганических материалов и аналитические методы их исследования на наноуровне» (ЦКП «Наноструктуры»). Руководитель центра академик Латышев А.В.