Спин-зависимые транспортные и оптические эффекты в низкоразмерных наноструктурах

Научный руководитель: академик А.В. Чаплик

Год основания: 1996

Основные направления научных исследований коллектива: теория электронных процессов в низкоразмерных системах, электронные процессы в низкоразмерных системах сложной геометрии при нестационарных внешних воздействиях, кинетические и оптические свойства разупорядоченных систем пониженной и дробной размерностей (фракталы), сильно коррелированные двумерные электронные системы, спин-зависимые транспортные и оптические эффекты в низкоразмерных наноструктурах.

Развитие фундаментальных представлений об атомных процессах, структуре и технологиях твердотельных наносистем с новыми функциональными свойствами, включая разработку модельных структур, в сочетании с расчетами квантового транспорта и новых когерентных явлений

Год основания: 2006

Научные руководители: академик А.Л. Асеев, член-корреспондент РАН А.В. Латышев

определение атомных механизмов формирования поверхностей, границ раздела и структурных дефектов полупроводниковых, металлических, диэлектрических и биологических материалов; создание и исследование низкоразмерных структур для нанотехнологий, микро- и наноэлектроники методами оптической, электронной, ионной и зондовой литографии; исследования методами просвечивающей и сканирующей электронной микроскопии атомной структуры, морфологии и химического состава широкого класса материалов для различных областей фундаментальной и прикладной науки, таких как полупроводниковое материаловедение, катализ, минералогия, медицина и биология.

Радиационные дефекты в полупроводниках

Основатель школы: профессор Л.С. Смирнов

Год основания: 2003

Рост и свойства полупроводниковых гетеросистем и наноструктур

Год основания: 1997

Основатель НШ: профессор И.С.Стенин

Научный руководитель: профессор О.П.Пчеляков

Общее количество членов коллектива НШ: 24

Количество молодых (до 35 лет) членов коллектива НШ: 7

Основные направления научных исследований коллектива: Исследование процессов гетероэпитаксии и самоформирования квантоворазмерных наноструктур при молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) полупроводниковых соединений типа А3В5, А4В4 и А2В6, включая нитриды металлов третьей группы. Развитие теории упругой и пластической релаксации героэпитаксиальных механических напряжений, дефектообразования и поверхностного массопереноса на начальных стадиях формирования наноструктур и гетеропереходов. Получение многослойных композиций и квазиупорядоченных наносистем на основе полупроводниковых соединений элементов 3, 4, 5 и 6 групп и их твердых растворов, содержащих квантовые ямы, квантовые точки и нити на различных подложках, исследование их структур и физических свойств. Создание базы знаний для полупроводникового материаловедения и физики конденсированного состояния в направлении синтеза многослойных полупроводниковых композиций и наноструктур для микро-, нано, и оптоэлектроники. Совершенствование экспериментального оборудования и программного обеспечения теоретических и экспериментальных исследований

Распределенные вычислительные системы с программируемой структурой

Год основания: 1970

Научный руководитель: Заслуженный деятель науки Российской Федерации член-корр. РАН проф. д.т.н. Виктор Гаврилович Хорошевский

Основные направления научных исследований коллектива: научным коллективом школы ведутся работы в области теории функционирования большемасштабных распределённых вычислительных систем (ВС), их архитектуры и проектирования и параллельных вычислительных технологий.

  • архитектура и функциональные структуры распределенных вычислительных систем
  • Алгоритмы и методы организации функционирования большемасштабных распределенных вычислительных систем
  • Параллельное мультипрограммирование
  • Осуществимость параллельного решения задач
  • Надежность, живучесть, технико-экономическая эффективность распределенных вычислительных систем
  • Параллельные вычислительные технологии
  • Разработка распределенных вычислительных систем
  • Моделирование большемасштабных распределенных ВС и параллельных вычислительных технологий