Российская конференция и школа по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники
22-26 августа 2011г., Новосибирск
Новости
06.09.2011 Фотоотчет
06.05.2011 ВНИМАНИЕ! Срок регистрации и подачи тезисов продлен до 20 мая 2011г.!
21.03.2011 Новый раздел Доклады по приглашению
18.01.2011 Прилагаем образцы документов для участников конференции.
16.12.2010 Добро пожаловать на сайт конференции "ФОТОНИКА 2011"
Контакты
Факс: (383)333-27-71
E-mail:
Ильина Лариса Александровна - ученый секретарь конференции
Тел.: (383)333-32-60
Тычинская Светлана Анатольевна
Тел.: (383)333-24-88
Адрес
Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН
пр. Ак. Лаврентьева 13, 600090 Новосибирск, Россия
О КОНФЕРЕНЦИИ

Российская конференция и школа по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники продолжает серию конференций, которые проходили в Новосибирске в 2003 и 2008 годах.

Полупроводниковая нанофотоэлектроника включает в себя широкий класс полупроводниковых материалов, явлений и приборов, осуществляющих взаимное преобразование оптического и электрического сигналов, и в настоящее время является уже не только областью научных исследований, но и основой создания широкого класса приборов и устройств гражданского и военного применения. Поэтому основной объем исследований в этой области направлен на разработку технологий новых более совершенных материалов, создание приборов и устройств с лучшими характеристиками по квантовой эффективности, пространственным разрешением и более высокой степенью интеграции. Решение практических задач, особенно в области ИК техники, диктует непрерывное ужесточение требований к совершенству ИК материалов в части кристаллической структуры и однородности распределения электрофизических характеристик в объеме материала. Необходимость обработки больших объемов информации требует расширения спектрального диапазона фотоэлектронных приборов с увеличением степени интеграции. И, наконец, проблема снижения стоимости фотоэлектронных изделий требует новых идей и подходов в изготовлении материалов, приборов и постановке методов контроля.

На конференции будут организованы пленарные, устные и стендовые сессии по следующим направлениям:

  • методы и технологии получения наноструктурированных материалов для перспективных фотоприемников ИК-диапазона;

  • фотоэлектрические явления в полупроводниковых структурах;

  • фотодетекторы ближнего и дальнего ИК-диапазонов на основе соединений А2В6 и А3В5, элементарных полупроводников и квантовых наноструктур (сверхрешетки, квантовые ямы, квантовые проволоки, квантовые точки);

  • солнечные элементы, полупроводниковые преобразователи длинноволного излучения в коротковолновое излучение;

  • полупроводниковые излучатели ближнего и дальнего ИК-диапазонов;

  • приборы ночного видения: принципы построения, фотоэлектрические характеристики;

  • новые направления в создании тепловизионных приборов, многоспектральные и комплексные устройства ночного видения.

Заполните регистрационную форму и примите участие в нашей конференции
Отправьте тезисы докладов
Список приглашенных докладов.
Организаторы конференции
Конференцию поддерживают
 
© ИФП СО РАН, 2011. Webmaster: Sambur Nadezhda, webmaster@isp.nsc.ru