Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых) ФОТОНИКА 2015 продолжает серию конференций, которые проходили в Новосибирске в 2003, 2008 и 2011 годах.

Цель конференции - обсудить современное состояние работ, проблемы и дальнейшие пути развития в области фотоэлектроники на основе полупроводниковых соединений А₃В₅, А₂В₆ и элементарных полупроводников.
Предполагается участие специалистов, работающих в областях:
- экспериментального и теоретического исследования квантовых систем и квантовых эффектов, оптических и фотоэлектрических явлений, включая квантование плазменных колебаний в полупроводниковых наноструктурах;
- формирования структур на основе полупроводниковых нанокристаллов и металлических нанокластеров, используя современные эпитаксиальные методы роста различных кристаллических материалов и гетероструктур CdHgTe, PbSnTe, A₃B₅, включая A3-нитриды, Si/Ge и другие гетеропары, а также изготовления на их основе фотоприемников, светодиодов, лазеров, СВЧ – транзисторов, оптоэлектронных устройств и приборов мощной СВЧ электроники;
- преобразования излучения в полупроводниковых структурах в ультрафиолетовой, видимой, ИК и терагерцовой областях спектра; модификации спектра излучения и спектра пространственного излучения за счет конструкции микро- и наноразмерных оптических структур;
- взаимодействия оптического излучения и СВЧ радиочастотного сигнала в задачах приема, передачи и обработки информации;
- производства фотоэлектронных и оптоэлектронных систем.

Основные направления:

• методы и технологии получения наноструктурированных материалов для перспективных фотоприемников ИК-диапазона;
• фотоэлектрические явления в полупроводниковых структурах;
• фотодетекторы ближнего и дальнего ИК-диапазонов на основе соединений А₂В₆ и А₃В₅, элементарных полупроводников и квантовых наноструктур (сверхрешетки, квантовые ямы, квантовые проволоки, квантовые точки);
• солнечные элементы, полупроводниковые преобразователи длинноволного излучения в коротковолновое излучение;
• полупроводниковые излучатели ближнего и дальнего ИК-диапазонов;
• терагерцовое излучение: полупроводниковые приемники и излучатели;
• физические основы элементной базы радиофотоники;
• приборы ночного видения: принципы построения, фотоэлектрические характеристики;
• новые направления в создании тепловизионных приборов, многоспектральные и комплексные устройства ночного видения.