Стимулированное излучение на переходах между лестницами Ванье-Штарка в полупроводниковых сверхрешетках |
А.А. Андронов, Е.П. Додин, Ю.Н. Ноздрин, Д.И. Зинченко1; М.А. Ладугин, А.А. Мармалюк, А.А. Падалица2; В.А. Беляков, И.В. Ладенков, А.Г. Фефелов3 |
1ИФМ РАН, Н.Новгород
2ФГУП «Салют», Н.Новгород
3«Сигм-Плюс», Москва |
Космическая фотосенсорика |
И.Д. Бурлаков1,2, В.П. Пономаренко1,3, А.М. Филачев1,2 |
1АО «НПО «Орион», Москва
2МГТУ МИРЭА, Москва
3МФТИ (ГУ), Москва |
Воздействие мощного импульсного ИК излучения на свойства гетероэпитаксиальных структур HgCdTe |
А.В. Войцеховский1, Н.Х. Талипов2 |
1Томский государственный университет, Томск
2Военная академия Ракетных войск стратегического назначения им. Петра Великого, Москва |
Эффекты гигантского магнитосопротивления в гибридных структурах ферромагнетик/полупроводник, индуцированные оптическим излучением |
Н.В. Волков |
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск |
Лазеры дальнего ИК диапазона на основе узкозонных полупроводников и гетероструктур с квантовыми ямами |
В.И. Гавриленко |
Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород |
Разработка неклассических излучателей на основе полупроводниковых квантовых точек |
В.А. Гайслер |
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск |
Перспективы коллоидной оптоэлектроники |
С.В. Гапоненко |
Институт физики им. Б.И.Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь |
Фотоприемные устройства на основе гетероэпитаксиальных структур теллурида кадмия и ртути |
Брунев Д.В., Васильев В.В., Варавин В.С., Вишняков А.В., Дворецкий С.А., Марчишин И.В., Михайлов Н.Н., Сабинина И.В., Сидоров Г.Ю., Сидоров Ю.Г., Якушев М.В., А.В. Латышев |
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск |
Асимметричные барьерные слои и их применение в полупроводниковых лазеров |
А.Е. Жуков1, М.В. Макисмов1,2, Ю.М. Шерняков2,1, Н.В. Крыжановская1, Ф.И. Зубов1, А.С Паюсов1,2, Ю.В. Кудашова1, Е.С. Семенова3, Л.В. Асрян4 |
1Санкт-Петербургский Академический университет, Санкт-Петербург
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург
3DTU Fotonik, Technical University of Denmark, Kgs. Lyngby, Denmark
4Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, Virginia, USA |
Terahertz Detectors Based on Plasma Oscillations in Nanometer Field Effect Transistors |
W. Knap1,2, D. But1, N. Dyakonova1, D. Coquillat1, M. Vitiello3, S.D. Ganichev4, M.Sypek5 |
1Charles Coulomb Laboratory, CNRS &Montpellier University, Montpellier (France)
2High Pressure Institute Polish Academy of Sciences Warsaw (Poland)
3NEST, Istituto Nanoscienze - CNR and Scuola Normale Superiore Pisa (Italy)
4Terahertz Center, University of Regensburg, Regensburg, 93040, (Germany)
5Optical Information Processing Laboratory, Warsaw University of Technology, (Poland) |
Матричные болометрические приемники в исследованиях на терагерцовом лазере на свободных электронах |
Б.А. Князев1,2, В.В. Герасимов1,2, М.А. Демьяненко3, Д.Г. Есаев3, И.В. Марчишин3, А.А. Никитин2, Ю.Ю. Чопорова1,2 |
1Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера СО РАН
2Новосибирский государственный университет
3Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН
|
Потенциальные возможности Новосибирского лазера на свободных электронах для исследований в области длин волн (270 – 5) микрон |
Г.Н. Кулипанов |
Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера СО РАН, Новосибирск |
Лазерная нанолитография |
Ю.Н. Кульчин |
Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток |
Мощные высокоскоростные фотодиоды Шоттки для устройств и систем радиофотоники |
С.А. Малышев, А.Л. Чиж, К.Б. Микитчук, А.А. Тептеев, А.С. Шуленков |
Институт физики НАН Беларуси, Минск |
Комбинационное рассеяние света и инфракрасное поглощение полупроводниковыми нанокристаллами на плазмонных структурах |
А.Г. Милёхин1,2, Л.Л. Свешникова1, Т.А. Дуда1, Е.Е. Родякинa1, С.А. Кузнецов2, V.M. Dzhagan3, А.В. Латышев1, D.R.T. Zahn3 |
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
2Новосибирский Государственный университет, Новосибирск
3Semiconductor Physics, Technische Universität Chemnitz, Chemnitz, Germany |
Фотолюминесцентная характеризация эпитаксиальных слоев твердых растворов CdHgTe |
К.Д. Мынбаев1,2, Н.Л. Баженов1, Н.Н. Михайлов3, М.В. Якушев3, В.С. Варавин3, С.А. Дворецкий3 |
1ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
|
Status of mid and long infrared detectors at Vigo System |
A. Piotrowski |
VIGO System S.A., Ożarów Mazowiecki (Poland) |
Высокоскоростные оптические модуляторы на основе нелинейно-оптических полимеров |
А.И. Плеханов |
Институт автоматики и электрометрии СО РАН |
Информационное обеспечение систем наблюдения распределенных роботизированных комплексов |
С.М. Борзов1, А.В. Голицын2, Б.С. Долговесов1, О.И. Потатуркин1, М.Н. Филиппов1 |
1Институт автоматики и электрометрии СО РАН, Новосибирск
2Новосибирский филиал ИФП СО РАН «КТИ ПМ», Новосибирск
|
Проблемы создания высокоэффективных солнечных преобразователей для космических аппаратов |
О.П. Пчеляков |
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск |
Формирование лазерных пучков терагерцового диапазона на основе применения дифракционной компьютерной оптики |
В.С. Павельев1,2, А.Н. Агафонов1, Н.А. Винокуров3,4, Б.О. Володкин1, Б.А. Князев3,4, Г.Н. Кулипанов3, В.А. Сойфер1,2, К.Н. Тукмаков1, Ю.Ю. Чопорова3,4 |
1Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королёва (национальный исследовательский университет)
2Институт систем обработки изображений РАН
3Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера СО РАН
2Новосибирский государственный университет
|
Оптические свойства кирально-модулированных фотонных структур |
С.Г. Тиходеев |
Институт общей физики им. А.М. Прохорова, Москва |
Быстродействующие вертикально-излучающие лазеры |
В.М. Устинов |
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург |
Терагерцовое зондирование поверхностных состояний в топологических изоляторах |
Д.Р. Хохлов |
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва |
Высокоорганизованные J-агрегаты полиметиновых красителей как сенсоры в фотоэлектронике |
Б.И.Шапиро |
Московский государственный университет тонких химических технологий им. М.В. Ломоносова |
Список приглашенных докладов будет дополняться на основании отбора из представленных тезисов.