16:00 - 16:15
|
А.Е. Маричев1,2, Г.С. Гагис1, Р.В. Левин1,2, Т.Б. Попова1,
Б.Я.Бер1, А.Б. Гордеева1, Б.В. Пушный1,2
Разработка
технологии изготовления твердых растворов InGaAsP для
фото электрических преобразователей
1ФТИ им. А.Ф.
Иоффе, Санкт-Петербург, Россия;
2НТЦ
микроэлектроники РАН, 194021, Санкт-Петербург,
Россия
|
16:15 - 16:30
|
И.Е. Тысченко1, В.А. Володин1,2, А.Г. Черков2, M. Stoffel3,
H. Rinnert3, M. Vergnat3, В.П. Попов1
Оптические свойства
нанокристаллов InSb, ионно-синтезированных в
структурах кремний-на-изоляторе.
1Институт физики
полупроводников им. А.В. Ржанова, Новосибирск, Россия;
2
Новосибирский государственный университет,
Новосибирск, Россия;
3Université de Lorraine, Institut Jean
Lamour UMR CNRS, Vandœuvre-lès-Nancy Cedex, France.
|
16:30 - 16:45
|
А.А. Шкляев
Формирование островков SiGe
субмикронного размера на кремнии на основе эффекта
несмачиваемости
Институт физики полупроводников
им. А.В. Ржанова, Новосибирск, Россия
|
16:45 - 17:00
|
Ж.В. Смагина1, В.А. Зиновьев1, П.А. Кучинская1,
Е.Е. Родякина1,2, Б.И. Фомин1, В.А. Армбристер1,
Г.К. Кривякин1, А.В. Двуреченский1,2
Методы
формирования ансамбля квантовых точек Ge/Si на
структурированных подложках для перспективной
элементной базы кремниевой фотоники
1Институт
физики полупроводников им. Ржанова СО РАН,
Новосибирск, Россия;
2Новосибирский государственный
университет, Новосибирск, Россия
|
17:00 - 17:15
|
Р.И. Баталов1, В.И. Нуждин1, В.Ф. Валеев1,
Н.В. Курбатова1, В.В. Воробьев2, Ю.Н. Осин2,
Г.Д. Ивлев3, А.Л. Степанов1
Формирование
фоточувствительных слоев Ag:Si и Ag:GeSi с
наночастицами серебра методами ионной имплантации и
импульсного лазерного отжига
1Казанский физико-
технический институт КазНЦ РАН, Казань, Россия;
2Междисциплинарный центр «Аналитическая
микроскопия» Казанского федерального университета,
Казань, Россия;
3Белорусский государственный
университет, Минск, Беларусь.
|
|