Российская конференция и школа молодых ученых
по актуальным проблемам
полупроводниковой фотоэлектроники
(с участием иностранных ученых)
11-15 сентября 2017 г., Новосибирск
 
Приглашенные доклады
Новости
20.04.2017 Опубликован список Приглашенных докладов конференции.
19.04.2017 Продлён срок подачи тезисов до 30 апреля 2017 г.
23.03.2017 Размещена информация об организационном взносе.
10.03.2017 Добро пожаловать на сайт конференции "ФОТОНИКА 2017"!
06.03.2017 Информационное уведомление о конференции
ENGLISH

ПРИГЛАШЕННЫЕ ДОКЛАДЫ

Nitrogen atoms and vacancies in diamond: Detection and emission of high-frequency microwave radiation
Joerg Debus
TU Dortmund University, Dortmund, Germany
Блох и Ванье-Штарк ТГц излучения в сверхрешетке в области положительной статической дифференциальной проводимости
А.А.Андронов, А.В.Иконников, К.В.Маремьянин, Ю.Н.Ноздрин, В.И.Позднякова1, А.А.Мармалюк, А.А.Падалица, М.А.Ладугин2, В.А.Беляков, И.В.Ладенков, Г.Фефелов3
1Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород,
2Сигм-Плюс, Москва,
3OAO “Салют”, Нижний Новгород
Электромагнитные материалы на основе резонансных наночастиц
М.Ю. Барабаненков1,2, Ю.Н. Барабаненков3
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка,
2АО «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники», Москва, Зеленоград;
3ФГБУН «Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова» РАН
Лазеры терагерцового диапазона на основе узкозонных полупроводников
В.И.Гавриленко
Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород
Управление модовой структурой лазерных резонаторов и микрорезонаторов
А.Е. Жуков1, Н.В. Крыжановская1, Н.Ю. Гордеев1,2, А.В. Савельев1, В.В. Коренев1, Ю.С. Полубавкина1, Э.И. Моисеев1, М.В. Максимов1,2, Ф.И. Зубов1
1Санкт-Петербургский Академический университет, Санкт-Петербург,
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург
Инжекционные лазерные конвертеры видимого диапазона 530-590 нм на основе полупроводниковых гетероструктур А2В6
С.В. Иванов1, С.В. Сорокин1, А.Г. Вайнилович2, Е.В. Луценко2
1ФТИ им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург,
2Институт физики им. Б.И. Степанова НАН Беларуси, Беларусь
Лазеры среднего инфракрасного диапазона на основе кристаллов ZnSe: Fe2+
В.П. Калинушкин1, Н.Н. Ильичев1, Е.М. Гаврищук2, А.А. Гладилин1
1Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва,
2Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН, Нижний Новгород
Эффекты плазмонного усиления комбинационного рассеяния света и ИК поглощения полупроводниковыми нанокристаллами
А.Г. Милёхин1,2, Л.Л. Свешникова1, Т.А. Дуда1, Е.Е. Родякина1,2, С.А. Кузнецов2, И.А. Милёхин1,2, А.В. Латышев1,2, V.M. Dzhagan3, D.R.T. Zahn
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова, Новосибирск,
2Новосибирский Государственный Университет,
3Chemnitz University of Technology, Germany
Экспериментальная квантовая криптография с одиночными фотонами
И.И. Рябцев1,2, Д.Б. Третьяков1,2, А.В. Коляко1,2,3, А.С. Плешков1,2,4, В.М. Энтин1,2, И.Г. Неизвестный1,5
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск,
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск,
3Институт лазерной физики СО РАН, Новосибирск,
4Институт автоматики и электрометрии СО РАН, Новосибирск,
5Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск
Гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками Ge для фотодетекторов среднего ИК-диапазона
А.И. Якимов
Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск
Гетероэпитаксиальные структуры CdHgTe, выращиваемые методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Si(013), для перспективных ИК ФП
М.В. Якушев, В.С. Варавин, В.В. Васильев, С.А. Дворецкий, А.В. Латышев, Д.В. Марин, В.Г. Ремесник, И.В. Сабинина, Г.Ю. Сидоров, Ю.Г. Сидоров
Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск
 
© ИФП СО РАН, 2017. webmaster@isp.nsc.ru