Вернуться к расписанию
Секция 1
Гетероструктуры и сверхрешетки 2
Заседание:Секционное
Дата:Пятница, 02 октября
Время:11:15-12:25
Место:Конференц-зал Конгресс-центра "Рубин", Томск (Т1)
Приглашенный доклад
3.5
В.И.Гавриленко, А.В.Антонов,
 С.В.Морозов
, К.В.Маремьянин, А.Н.Яблонский, Д.И.Курицын, И.В.Ерофеева, С.М.Сергеев
Исследование релаксации примесной фотопроводимости в терагерцовом диапазоне в гетероструктурах In0.1Ga0.9As0.8P0.2 и Ge/Ge0.9Si0.1 с квантовыми ямами
3.6
Т.М.Бурбаев
, М.Н.Гордеев, Д.Н.Лобанов, А.В.Новиков, Н.С.Пташкин, М.М.Рзаев, Н.Н.Сибельдин, В.А.Цветков, Д.В.Шепель
Электронно-дырочная жидкость в SiGe-слоях гетероструктур Si/SiGe/Si
3.7
Б.А.Андреев
, З.Ф.Красильник, Д.И.Крыжков, А.Н.Яблонский, В.П.Кузнецов, T.Gregorkiewicz, Ng.Ng. Ha
Излучательные свойства эпитаксиальных структур Si:Er/SOI