Вернуться к расписанию
Секция 2
Примеси и дефекты 4
Заседание:
Секционное
Дата:
Пятница, 02 октября
Время:
14:00-16:00
Место:
Конференц-зал ИОА СО РАН, Томск (Т2)
8.17
В.Р.Галахов, Э.З.Курмаев,
Т.П.Суркова
3d примеси в полумагнитных полупроводниках на основе соединений ZnO и Cu
2
O
8.18
К.А.Ковалевский
, Р.Х.Жукавин, С.Г.Павлов, Х.В.Хьюберс, В.Н.Шастин
Стимулированное излучение доноров V-группы в однооснодеформированном кремнии
8.19
А.Н.Яблонский
, Л.В.Красильникова, Б.А.Андреев, Д.И.Крыжков, В.П.Кузнецов, В.Г.Шенгуров, З.Ф.Красильник
Особенности спектров возбуждения эрбиевой ФЛ в эпитаксиальных структурах Si:Er/Si, SiGe:Er/Si и Si:Er/SOI
8.20
Р.В.Парфеньев,
Д.В.Шамшур
, А.Г.Андрианов, А.В.Черняев, Н.Ю.Михайлин
Влияние гидростатического сжатия на сверхпроводящие свойства Pb
0.3
Sn
0.7
Te, легированного индием
8.21
В.Я.Алешкин, А.В.Антонов, В.И.Гавриленко,
Л.В.Гавриленко
, Б.Н.Звонков
Резонансы Фано в спектре фототока p-GaAs и гетероструктур с квантовыми ямами p-InGaAs/GaAsP
8.22
И.И.Ижнин
, Р.Я.Мудрый, С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов, Ю.Г.Сидоров, В.С.Варавин, К.Д.Мынбаев, М.Поцяск
Исследование дефектной структуры МЛЭ гетероэпитаксиальных слоев CdHgTe, легированных As