Вернуться к расписанию
Секция 2
Высокочастотные явления в полупроводниках
Заседание:Секционное
Дата:Пятница, 02 октября
Время:11:15-12:15
Место:Конференц-зал ИОА СО РАН, Томск (Т2)
Приглашенные доклады
9.1
Д.Р.Хохлов
, А.В.Галеева, Д.Е.Долженко, Л.И.Рябова, А.В.Никорич, С.Д.Ганичев, С.Н.Данилов, В.В.Бельков
Фотоэлектрические эффекты в легированных полупроводниках на основе теллурида свинца при воздействии лазерного терагерцового излучения
9.2
Л.Е.Голуб
, Е.Л.Ивченко, E.Deyo, B.Spivak
Квазиклассическая теория фотогальванических эффектов в нецентросимметричных полупроводниках