Вернуться к расписанию
Секция 2
Полупроводниковые приборы и устройства 3
Заседание:Секционное
Дата:Пятница, 02 октября
Время:09:00-11:00
Место:Конференц-зал ИОА СО РАН, Томск (Т2)
13.10
Г.С.Соколовский
, В.В.Дюделев, Д.А.Винокуров, А.Г.Дерягин, А.Е.Жуков, С.Н.Лосев, А.В.Лютецкий, М.В.Максимов, И.И.Новиков, Н.А.Пихтин, С.О.Слипченко, З.Н.Соколова, Э.У.Рафаилов, В.Сиббет, В.М.Устинов, В.И.Кучинский, И.С.Тарасов
Аномальные динамические характеристики полупроводниковых лазеров с квантоворазмерной активной областью
13.11
Л.Н.Сафронов,
 М.А.Ильницкий
, О.В.Наумова, В.П.Попов
Характеристики асимметричного двухзатворного МДП транзистора на КНИ
13.12
В.Л.Курочкин
Полупроводниковые детекторы одиночных фотонов в видимом и ближнем ИК диапазоне
13.13
В.А.Ткаченко
, О.А.Ткаченко, З.Д.Квон, А.И.Торопов, А.В.Латышев, А.Л.Асеев
Мезоскопические наноустройства: структура и свойства
13.14
М.В.Якушев
, В.С.Варавин, С.А.Дворецкий, И.В.Сабинина, Ю.Г.Сидоров, А.В.Сорочкин, А.О.Сусляков
Гетероструктуры HgCdTe на подложках Si(310) для инфракрасных фотоприемников
13.15
А.В.Антонов,
 В.И.Гавриленко
, А.В.Иконников, К.В.Маремьянин, А.А.Ластовкин, С.В.Морозов, Д.В.Ушаков, Ю.Г.Садофьев, N.Samal
Исследование квантовых каскадных лазеров ТГц диапазона и их применение для спектроскопии полупроводниковых структур