Вернуться к расписанию
Секция 2
Примеси и дефекты
Заседание:Секционное
Дата:Понедельник, 28 сентября
Время:14:30-16:00
Место:Малый зал Дом Ученых, Новосибирск (Н2)
Приглашенные доклады
8.1
И.П.Звягин
Влияние микро- и наноструктуры на прыжковый перенос в неупорядоченных полупроводниках
8.2
Г.Ю.Сидоров,
 Ю.Г.Сидоров
, В.С.Варавин
Гидрогенизация пленок CdxHg1-xTe при химических обработках
8.3
Б.Г.Захаров,
 О.П.Пчеляков
, Ю.А.Серебряков, В.И.Стрелов, И.А.Прохоров, А.В.Колесников, М.А.Путято, Н.А.Паханов, Е.М.Труханов
Получение и использование кристаллов и эпитаксиальных гетеросистем на основе GaSb для создания высокоэффективных термофотоэлектрических преобразователей энергии