Вернуться к расписанию
Секция 2
Поверхность, пленки, слои
Заседание:Секционное
Дата:Понедельник, 28 сентября
Время:11:00-13:10
Место:Малый зал Дом Ученых, Новосибирск (Н2)
Приглашенные доклады
2.1
Т.И.Батурина
Переход в сверхдиэлектрическое состояние в критически разупорядоченных плёнках TiN
2.2
А.Г.Журавлев, К.В.Торопецкий, О.Е.Терещенко,
 В.Л.Альперович
Атомные реконструкции и электронные свойства атомно-гладкой поверхности GaAs с адсорбатами
2.3
А.А.Саранин
, Д.В.Грузнев, А.В.Зотов
Динамика атомов на поверхности с квазипериодическим рельефом: атомы Ge на Si(111)'5×5'-Cu
2.4
А.В.Васев
, М.А.Путято, В.В.Преображенский
Роль реконструкционного состояния ростовой поверхности в эпитаксии структурно совершенных слоев GaAs(001)
2.5
Ж.В.Смагина
, В.А.Зиновьев, В.А.Армбристер, А.В.Ненашев, С.А.Тийс, А.В.Двуреченский
Самоорганизация наноостровков Ge на Si(100) при облучении низкоэнергетическими ионами в процессе эпитаксии