Вернуться к расписанию
Секция 2
Полупроводниковые приборы и устройства 4
Заседание:Секционное
Дата:Суббота, 03 октября
Время:09:00-11:00
Место:Конференц-зал ИОА СО РАН, Томск (Т2)
13.16
М.В.Дорохин
, О.В.Вихрова, Ю.А.Данилов, П.Б.Дёмина, Б.Н.Звонков, А.В.Кудрин, М.М.Прокофьева
Ферромагнитные эмиттеры в светоизлучающих диодах на основе квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs
13.17
Л.Л.Васильева, С.А.Волков, Д.Г.Есаев,
 М.А.Демьяненко
, И.О.Кравченко, В.Н.Овсюк, Б.И.Фомин
Термочувствительные слои оксидов ванадия для неохлаждаемых матричных микроболометрических приемников
13.18
А.В.Антонов, Ю.Н.Дроздов, З.Ф.Красильник, К.Е.Кудрявцев, Д.Н.Лобанов,
 А.В.Новиков
, С.В.Оболенский, М.В.Шалеев, Д.В.Шенгуров, В.Б.Шмагин, А.Н.Яблонский
SiGe гетероструктуры с самоформирующимися наноостровками для элементов кремниевой оптоэлектроники
13.19
В.К.Еремин
, А.Г.Забродский, Е.М.Вербицкая
Перспективы создания полупроводниковых трековых детекторов для экспериментов на коллайдерах с высокой светимостью
13.20
И.Б.Чистохин
, О.П.Пчеляков, Е.Г.Тишковский, В.И.Ободников, В.В.Максимов, А.А.Иванов, Е.И.Пинженин, E.Gramsch
Кремниевые лавинные диоды для регистрации ядерных частиц
13.21
Ю.В.Жиляев, Т.А.Орлова, Д.И.Микулик, Se.Nenonen, В.Н.Пантелеев,
 Н.К.Полетаев
, С.Л.Смирнов, С.А.Сныткина, Л.М.Федоров
Детекторы рентгеновского излучения на основе GaAs