Вернуться к расписанию
Секция 2
Примеси и дефекты 3
Заседание:
Секционное
Дата:
Четверг, 01 октября
Время:
16:00-18:20
Место:
Конференц-зал ИОА СО РАН, Томск (Т2)
8.10
Н.Х.Талипов
, А.В.Войцеховский
Электрофизические свойства ионно-имплантированных кристаллов и гетероэпитаксиальных слоев МЛЭ КРT
8.11
В.Н.Брудный,
А.В.Кособуцкий
Свойства дефектных состояний GaN и AlN под давлением
8.12
В.И.Окулов
, Г.А.Альшанский, Т.Е.Говоркова, А.Т.Лончаков, К.А.Окулова, С.М.Подгорных, С.Ю.Паранчич
К экспериментальному обоснованию гибридизации электронных состояний на примесях переходных элементов в полупроводнике
8.13
Л.В.Красильникова
, А.Н.Яблонский, Б.А. Андреев, З.Ф.Красильник, В.П.Кузнецов, В.Г.Шенгуров
Кинетика эрбиевой люминесценции в структурах Si:Er/Si и Si
1-x
Ge
x
:Er/Si при межзонном и прямом оптическом возбуждении
8.14
Т.А.Комиссарова
, М.А.Шахов, В.Н.Жмерик, Т.В.Шубина, Р.В.Парфеньев, С.В.Иванов
Аномальная зависимость коэффициента Холла от магнитного поля в пленках InN
8.15
Б.Г.Захаров
, В.И.Стрелов,
Ю.А.Осипьян
Проблемы и перспективы выращивания монокристаллов в условиях микрогравитации
8.16
А.Т.Лончаков
, В.И.Окулов, С.Ю.Паранчич
Низкотемпературные аномалии электронной и фононной теплопроводности селенида ртути с примесями 3d переходных металлов