Вернуться к расписанию
Секция 2
Поверхность, пленки, слои 2
Заседание:Секционное
Дата:Вторник, 29 сентября
Время:11:05-12:55
Место:Малый зал Дом Ученых, Новосибирск (Н2)
2.6
А.С.Терехов
Заряженные цезий-индуцированные состояния на Ga - стабилизированной поверхности GaAs (001) [4×2] формируются цезиевыми кластерами
2.7
Ю.Н.Дроздов, З.Ф.Красильник, А.В.Новиков, М.В.Шалеев,
 Д.В.Юрасов
Влияние напряженных SiGe слоев на критическую толщину двумерного роста Ge
2.8
А.В.Копылов
, А.В.Принц, В.Я.Принц
3D упругие свободностоящие нанооболочки: моделирование, получение, свойства
2.9
А.А.Добровольский,
 В.И.Черничкин
, З.М.Дашевский , В.А.Касиян, Л.И.Рябова, Д.Р.Хохлов
Транспортные свойства и фотопроводимость нанокристаллических пленок PbTe(In)
Приглашенный доклад
2.10
В.А.Быков
Приборостроение для нанотехнологии - состояние и перспективы развития