Вернуться к расписанию
Секция 2
Объемные полупроводники
Заседание:Секционное
Дата:Вторник, 29 сентября
Время:09:00-10:50
Место:Малый зал Дом Ученых, Новосибирск (Н2)
Приглашенный доклад
1.1
В.Ф.Сапега
, Н.С.Аверкиев, К.Плуг
Поляризация дырок и ферромагнитный порядок в разбавленном магнитном полупроводнике (Ga,Mn)As
1.2
А.И.Вейнгер
, А.Г.Забродский, Т.В.Тиснек, С.И.Голощапов
Спин-пайерлсовский переход в примесной системе легированного полупроводника вблизи фазового перехода изолятор - металл
1.3
А.А.Фортунатов
, Ю.А.Нефедов, И.В.Кукушкин
Электронный спиновый резонанс в режиме целочисленного и дробного квантового эффекта Холла
1.4
А.А.Добровольский
, А.И.Артамкин, А.А.Винокуров, В.П.Зломанов, Л.И.Рябова, Д.Р.Хохлов, О.М.Иваненко, К.В.Мицен
Корреляционные эффекты в PbTe, легированном ванадием
1.5
Н.Н.Агеева, И.Л.Броневой,
  А.Н.Кривоносов
, Т.А.Налет
Участие электрон-фононного взаимодействия и субтерагерцовые автоколебания в сверхбыстрой автомодуляции поглощения света в GaAs