Вернуться к расписанию
Секция 2
Примеси и дефекты 2
Заседание:Секционное
Дата:Среда, 30 сентября
Время:11:15-13:15
Место:Малый зал Дом Ученых, Новосибирск (Н2)
8.4
В.Н.Шумский
Локализованные состояния, захват электронов и фоточувствительность в PbSnTe:In
8.5
М.М.Мездрогина
, В.В.Криволапчук, Э.Ю.Даниловский, Р.В.Кузьмин, Ю.В.Кожанова
Сенсибилизация излучения и механизмы миграции электронных возбуждений в кристаллах III- нитридов и наноструктурах на их основе, легированных Eu, Sm, Er, Tm
8.6
А.Г.Казанский
, Guanglin Kong, Xiangbo Zeng
Спектральные зависимости поглощения в двухфазных пленках гидрированного кремния
8.7
В.Я.Алешкин, А.А.Антонов, В.И.Гавриленко, Б.Н.Звонков,
 Д.В.Козлов
Примесная фотопроводимость в напряженных гетероструктурах p-InGaAs/GaAsP
8.8
А.Э.Климов
, В.Н.Шумский
Инжекция из контактов и анизотропия гальваномагнитных явлений в пленках узкозонного сегнетоэлектрика PbSnTe:In
8.9
Л.С.Смирнов
Размышления о реакциях в решетках кристаллов