Вернуться к расписанию
Секция 2
Полупроводниковые приборы и устройства
Заседание:Секционное
Дата:Среда, 30 сентября
Время:09:00-11:00
Место:Малый зал Дом Ученых, Новосибирск (Н2)
Приглашенные доклады
13.1
Л.Я.Карачинский
, С.А.Блохин, Д.А.Лотт, М.В.Максимов, А.Мутиг, А.М.Надточий, И.И.Новиков, В.А.Щукин, Д.Бимберг, Н.Н.Леденцов
Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 850нм со скоростью передачи данных 39Гбит/с
13.2
С.В.Иванов
, И.В.Седова, С.В.Сорокин, С.В.Гронин, Н.А.Гамов, Е.В.Жданова, В.Б.Студенов, Д.В.Перегудов, М.М.Зверев, И.М.Олихов, П.С.Копьев
Лазерные сборки с электронно-лучевой накачкой на основе квантоворазмерных структур ZnCdSe/ZnMgSSe
13.3
В.И.Иванов-Омский, Н.Л.Баженов,
 К.Д.Мынбаев
, В.А.Смирнов, Н.Н.Михайлов, Г.Ю.Сидоров, В.С.Варавин
Излучательные гетероструктуры HgCdTe среднего инфракрасного диапазона, выращенные молекулярно-лучевой эпитаксией
13.4
А.И.Якимов,
 В.В.Кириенко
, А.В.Двуреченский, А.И.Никифоров, А.А.Блошкин, В.А.Донченко, А.А.Землянов, Г.М.Цепелев
Быстрые фотодетекторы на гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками
13.5
В.А.Гриценко
Новое поколение флэш памяти на основе high-k диэлектриков