|
| 7.10 |
Е.В.Кожемякина , К.С.Журавлев, Л.Вина, А.Амо
Спиновое расщепление линии экситонов в объемных образцах GaAs и AlGaAs |
| 7.11 |
М.М.Глазов , В.Д.Кулаковский
Тонкая структура энергетического спектра двух электронов в квантовой точке |
| 7.12 |
А.Ф.Зиновьева , А.В.Ненашев, В.А.Зиновьев, А.В.Двуреченский
Электрическое поле, возникающее из-за структурной асимметрии в системе с квантовыми точками |
| 7.13 |
О.В.Вихрова, Ю.А.Данилов, Б.Н.Звонков, А.В.Кудрин
Планарный эффект Холла в GaAs структурах с одиночным дельта-слоем марганца |
| 7.14 |
А.Ф.Зиновьева , Н.П.Степина, А.В.Двуреченский, А.С.Дерябин, А.С.Любин, Г.Д.Ивлев, N.A.Sobolev, M.C.Carmo
Эффект лазерного отжига в спиновых свойствах электронов в структурах с Ge/Si квантовыми точками |
| 7.15 |
В.Г.Гришаев , С.Н.Косолобов, Г.Э.Шайблер, А.С.Терехов
Эмиссия с поверхностных состояний ограничивает предельно-достижимую степень спиновой поляризации электронов, эмитированных из p+-GaAs(Cs,O) |
| 7.16 |
С.Г.Новокшонов
Электропроводность и спиновая поляризация 2D электронного газа в поперечном магнитном поле при наличии спин-орбитальной связи |
| 7.17 |
Л.Ю.Щурова , В.А.Кульбачинский
Tермодинамические, транспортные и магнетотранспортные свойства свободных носителей заряда в легированных марганцем структурах с квантовой ямой GaAs/InGaAs/GaAs |
| 7.18 |
Т.С.Шамирзаев , J.Debus, Д.Р.Яковлев, К.С.Журавлев, M.Bayer
Спиновая релаксация экситонов в непрямозонных квантовых точках InAs/AlAs первого рода |
| 7.19 |
В.В.Рыльков , Б.А.Аронзон, С.Н.Николаев, В.В.Тугушев, Е.С.Демидов, А.С.Левчук, В.П.Лесников, В.В.Подольский
Аномальный эффект Холла в слоях Si, сильно легированных Mn |
| 7.20 |
С.Н.Гриняев
Спиновая поляризация при туннелировании электронов в гетероструктурах GaAs/AlAs (001) |
| 7.21 |
С.С.Хлудков
Перспективы использования арсенида галлия в качестве материала для спинтроники |
|
| 11.6 |
С.П.Лебедев , В.Н.Петров, А.А.Лаврентьев, И.С.Котоусова, А.Н.Смирнов, А.А.Лебедев
Формирование пленок наноуглерода на поверхности монокристаллического карбида кремния методом сублимации в вакууме |
| 11.7 |
Р.М.Тазиев , В.Я.Принц
3D гибридные оболочки графен- полупроводник |
| 11.8 |
Б.Д.Шанина, А.М.Данишевский , А.И.Вейнгер, А.А.Ситникова, Р.Н.Кютт, А.В.Щукарев, С.К.Гордеев
О магнетизме палладиевых кластеров в нанопористом углероде |
| 11.9 |
Г.В.Тихомирова , Я.Ю.Волкова, А.Н.Бабушкин
Электропроводность фуллерена С60 и одностенных углеродных нанотрубок при давлениях до 50 ГПа |
| 11.10 |
И.А.Корнеев, В.А.Селезнев , В.Я.Принц, А.Е.Зарвин, В.В.Каляда, Н.Г.Коробейщиков
Новый способ формирования углеродных нанотрубок |
|
| 13.22 |
С.В.Морозов, В.Я.Алешкин, В.И.Гавриленко, А.А.Дубинов, К.В.Маремьянин , М.С.Жолудев, Б.Н.Звонков, А.А.Бирюков, С.М.Некоркин
Генерация разностной частоты в "двухчиповых" полупроводниковых лазерах GaAs/InGaAs/InGaP |
| 13.23 |
Г.Э.Шайблер , В.В.Бакин, А.С.Ярошевич, С.Н.Косолобов, А.С.Терехов, А.Ю.Андреев, К.Ю.Телегин, А.А.Падалица, А.А.Мармалюк
"Фотонный перенос" даёт значительный вклад в диффузию неравновесных электронов в p-GaAs |
| 13.24 |
А.В.Вишняков , В.С.Варавин, М.О.Гарифуллин, А.В.Придеин, В.Г.Ремесник, И.В.Сабинина, Г.Ю.Сидоров
Исследование влияния постимплантационного отжига на ВАХ ИК фотодиодов на основе р-CdхHg1-хTe |
| 13.25 |
В.П.Попов
Квазибаллистический перенос в модели неоднородной зависимости транспортных свойств в нанометровых полевых транзисторах |
| 13.26 |
И.И.Ижнин , А.В.Войцеховский, С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов, Ю.Г.Сидоров, В.С.Варавин, К.Д.Мынбаев, М.Поцяск, Н.Х.Талипов
Конверсия типа проводимости при ионном травлении МЛЭ структур CdHgTe с варизонными защитными слоями |
| 13.27 |
П.Н.Дробот
Осциллисторный RF-преобразователь |
| 13.28 |
Л.П.Авакянц, П.Ю.Боков , И.С.Васильевский, Г.Б.Галиев, Е.А.Климов, А.В.Червяков
Спектроскопия фотоотражения дельта-легированных PHEMT-структур на основе AlGaAs/InGaAs/GaAs |
| 13.29 |
Г.И.Айзенштат, М.А.Лелеков, И.И.Надреев, И.Ф.Нам , С.А.Рябков, О.П.Толбанов, А.В.Тяжев
Матричные арсенид галлиевые детекторы рентгеновских и гамма квантов |
| 13.30 |
Е.Д.Васильева, В.В.Уелин, А.В.Феопентов, Б.С.Явич, П.Ю.Боков, П.В.Иванников, А.В.Чуяс, А.Э.Юнович
Светодиоды белого свечения на основе гетероструктур с квантовыми ямами InGaN/AlGaN/GaN |
| 13.31 |
М.Д.Шарков , К.Ю.Погребицкий, М.Е.Бойко, С.Г.Конников
Аппаратура и рентгеноспектральные методики нанодиагностики материалов: XAFS и МУРР |
| 13.32 |
В.М.Трухан , В.Г.Федотов
Области практического применения материалов группы АIIВV (А-Zn, Cd; В-P, As) |
| 13.33 |
Г.Л.Курышев, В.Г.Половинкин
Расчет и оптимизация спектральных характеристик многослойных тонкопленочных структур в составе ФПУ |
| 13.34 |
В.М.Базовкин, Н.А.Валишева, А.А.Гузев, В.М.Ефимов, А.П.Ковчавцев, Г.Л.Курышев , И.И.Ли, В.Г.Половинкин, А.С.Строганов
Универсальное линейчатое фотоприемное устройство на основе InAs МДП структур для систем теплопеленгации |
| 13.35 |
Р.В.Лёвин , С.В.Сорокина, В.П.Хвостиков, Б.В.Пушный
Получение гетероструктур на основе GaSb методом газофазной эпитаксии из МОС |
| 13.36 |
С.В.Быткин, Т.В.Критская , Е.Г.Радин, В.И.Гончаров, В.Б.Колесник, Ю.И.Куницкий
Экспериментальное исследование характеристик тиристоров, изготовленных на SiGe при действии гамма-облучения |
| 13.37 |
М.Д.Вилисова, В.П.Гермогенов, О.Ж.Казтаев, В.А.Новиков, И.В.Пономарев
Исследование распределения электрического поля в детекторных структурах на GaAs с помощью СЗМ |
| 13.38 |
В.М.Залётин , М.С.Кузнецов, И.С.Лисицкий, И.П.Барков, И.М.Газизов, В.С.Хрунов
Кристаллы TlBr для детекторов радиации |
| 13.39 |
Г.Л.Курышев, А.Е.Настовьяк , В.Г.Половинкин
Модель релаксации неравновесного обеднения в МДП фотоприёмниках |
| 13.40 |
Г.Ф.Карлова , Т.Ю.Белополова
Исследование ионнолегированных структур с использованием технологии самосовмещения для создания датчиков магнитного поля c низким остаточным напряжением в n-GaAs |
| 13.41 |
В.Г.Божков, Н.А.Торхов , И.В.Ивонин, В.А.Новиков
Механизм включения контакта металл-полупроводник с барьером Шоттки |
| 13.42 |
А.В.Войцеховский, Н.Х.Талипов
Активация имплантированного бора и азота в гетероэпитаксиальных структурах CdxHg1-xTe, выращенных методами ЖФЭ и МЛЭ, при низкотемпературном отжиге под анодным окислом |
| 13.43 |
В.Г.Кеслер , В.А.Селезнёв, А.П.Ковчавцев, А.А.Гузев
Исследование поверхности InAs(111)A после химической обработки в насыщенном растворе HCl-изопропиловый спирт и отжигов в вакууме методами РФЭС и АСМ |
|