|
| 1.6 |
А.И.Вейнгер, А.Г.Забродский, Т.В.Тиснек , С.И.Голощапов
Угловые зависимости СВЧ магнитосопротивления p-Ge при низких температурах и проблема усреднения эффективной массы дырок |
| 1.7 |
С.Ю.Саркисов , М.М.Назаров, О.П.Толбанов, А.П.Шкуринов
Генерация и детектирование импульсного терагерцового излучения в кристаллах GaSe, GaSe1-xTex и GaSe1-xSx |
| 1.8 |
В.Е.Архинчеев
Прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка в системах конечных размеров |
| 1.9 |
А.Ф.Орлов, Л.А.Балагуров, И.В.Кулеманов , Ю.Н.Пархоменко, А.В.Картавых, В.В.Сарайкин, В.И.Зиненко
Компенсация носителей заряда в ферромагнитном кремнии, имплантированном марганцем |
|
| 2.11 |
А.Г.Настовьяк, И.Г.Неизвестный, Н.Л.Шварц
Влияние условий роста на морфологию нановискеров (Монте-Карло моделирование) |
| 2.12 |
В.И.Козловский, Д.Е.Свиридов , Д.А.Санников
Исследование сколов наноразмерной гетероструктуры CdS/ZnSSe методом сканирующей микроскопии сопротивления растекания |
| 2.13 |
С.А.Тийс, Р.А.Жачук, Б.З.Ольшанецкий
Исследование методом СТМ поверхностных структур Sr на Si(111) |
| 2.14 |
Ю.Г.Галицын , А.А.Лямкина, С.П.Мощенко, А.И.Торопов
Статистическое рассмотрение образования самоорганизованного ансамбля квантовых точек InAs на (001)GaAs |
| 2.15 |
А.В.Войцеховский , С.Н.Несмелов, С.М.Дзядух, В.С.Варавин, С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов, Ю.Г.Сидоров, М.В.Якушев
Вольт-фарадные характеристики МДП-структур на основе варизонного МЛЭ Hg1-xCdxTe при пассивации эпитаксиально выращенным in situ CdTe |
| 2.16 |
В.А.Швец , М.В.Якушев, И.А.Азаров, Е.В.Спесивцев, С.В.Рыхлицкий, Ю.Г.Сидоров
Эллипсометрическая in situ методика контроля состава слоев CdZnTe при их эпитаксиальном выращивании методом МЛЭ |
| 2.17 |
П.Л.Новиков , С.Бинетти, А.Ле Донне, Ф.Монталенти
Механизм формирования нанокристаллов в пленках Si при плазмо-химическом осаждении |
| 2.18 |
М.В.Якушев , Д.В.Брунев, К.Н.Романюк, А.Е.Долбак, А.С.Дерябин, Ю.Г.Сидоров
Морфология поверхности подложки Si(310), используемой для молекулярно лучевой эпитаксии CdHgTe |
| 2.19 |
Н.Н.Михайлов , С.А.Дворецкий, В.А.Швец, С.Д.Ганичев, З.Д.Квон
Контролируемое выращивание одиночных и множественных CdхHg1-хTe/HgTe/CdхHg1-хTe квантовых ям |
| 2.20 |
И.В.Ивонин , И.А.Бобровникова
Микрорельеф поверхности и элементарные процессы роста при эпитаксии полупроводников А3В5 |
| 2.21 |
Г.А.Качурин , В.А.Скуратов, С.Г.Черкова, Д.В.Марин, А.Г.Черков
Формирование квантово-размерных нанокристаллов Si в слоях SiO2 при облучении тяжелыми ионами высоких энергий |
| 2.22 |
О.Е.Терещенко , К.В.Торопецкий, С.В.Еремеев, С.Е.Кулькова
Новые Ga-обогащенные реконструкции на поверхности GaAs(001) |
| 2.23 |
М.А.Путято , В.В.Преображенский, Б.Р.Семягин, Ю.Б.Болховитянов
МЛЭ GaP на Si(001): влияние условий зарождения слоя GaP на его полярность |
| 2.24 |
А.С.Дерябин , Л.В.Соколов, Е.E.Родякина
Индуцированная C самоорганизация островков Ge при МЛЭ Ge/CaF2/Si(111) |
| 2.25 |
В.Н.Неведомский, Н.А.Берт, В.В.Чалдышев , В.В.Преображенский, М.А.Путято, Б.Р.Семягин
Самоорганизация полупроводниковых InAs и полуметаллических As квантовых точек в едином процессе молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs |
| 2.26 |
Л.В.Арапкина , В.А.Юрьев, В.М.Шевлюга
Структура поверхности Si(001) с реконструкцией с(8×n) |
|
| 3.8 |
О.А.Шегай, В.И.Машанов, А.И.Никифоров, В.В.Ульянов, О.П.Пчеляков
Фотопроводимость Si/Ge/Si структур с целым и полуцелым числом монослоев Ge |
| 3.9 |
В.В.Белых , М.Х.Нгуен, Н.Н.Сибельдин, М.Л.Скориков, В.А.Цветков
Динамика перехода от режима слабой связи к режиму сильной связи в системе экситонных поляритонов в полупроводниковых микрорезонаторах |
| 3.10 |
Ю.Г.Пейсахович, А.А.Штыгашев
Осцилляции тока при фотоэмиссии из двойной квантовой ямы |
| 3.11 |
А.Я.Шульман
Туннельный гамильтониан – строгий вывод |
|
| 4.19 |
А.А.Грешнов , Г.Г.Зегря, Э.Н.Колесникова
Релевантные квантовые поправки к проводимости в магнитном поле: баллистические диффузоны и квантовый эффект Холла |
| 4.20 |
М.В.Якунин, С.М.Подгорных, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий
Спиновые расщепления в квантовой яме n-HgTe/CdxHg1-xTe с инвертированным зонным спектром |
| 4.21 |
В.Шикин , С.Назин
Двухкомпонентная холловская гидродинамика в 2Д проводящих системах |
| 4.22 |
А.В.Иконников , В.Я.Алешкин, В.И.Гавриленко, Б.Н.Звонков, Д.В.Козлов, К.В.Маремьянин, О.Драченко, Mi.Goiran, Je.Leotin, Mi.Orlita, Jo.Wosnitza, Ma.Helm
Проявления эффектов обменного взаимодействия в циклотронном резонансе двумерных электронов и дырок |
| 4.23 |
И.Л.Дричко , И.Ю.Смирнов, А.В.Суслов, О.А.Миронов
Гигантское положительное магнетосопротивление в p-Si/SiGe/Si квантовой яме в параллельном магнитном поле |
| 4.24 |
Э.Г.Батыев
Сверхпроводящее состояние экситонного диэлектрика |
| 4.25 |
А.А.Шерстобитов , Г.М.Миньков, А.В.Германенко, О.Э.Рут, И.В.Солдатов, Б.Н.Звонков
Экспериментальное исследование пространственного распределение электронного газа в сильнонеупорядоченных двумерных системах |
| 4.26 |
Г.М.Миньков , А.А.Шерстобитов, В.А.Ткаченко, О.А.Ткаченко
Переход к перколяции и прыжковой проводимости в структурах с двумерным разупорядоченным массивом антиточек |
| 4.27 |
В.М.Эдельштейн
Возбуждение парамагнитного резонанса в двумерных асимметричных полупроводниковых структурах электрическим полем |
| 4.28 |
И.С.Бурмистров , Н.М.Щелкачев
Электронные свойства двумерной неупорядоченной электронной жидкости: роль спиновых и долинных степеней свободы |
| 4.29 |
В.Г.Попов , S.Wiedmann, J.-C.Portal
Температурная зависимость спектров резонансного туннелирования электронов между двумерными электронными газами в квантующих магнитных полях |
| 4.30 |
Д.А.Козлов , З.Д.Квон, А.Е.Плотников
Квазиклассический и квантовый транспорт в двумерном электронном газе с решеткой антиточек, имеющих резкие границы |
| 4.31 |
И.В.Андреев, В.М.Муравьев , И.В.Кукушкин
Бесконтактное измерение проводимости двумерных электронов в режиме гигантских осцилляций магнитосопротивления, индуцированных микроволновым излучением |
| 4.32 |
А.В.Германенко , N.Kozlova, Г.М.Миньков, О.Э.Рут, А.А.Шерстобитов, J.Freudenberger
Определение величины эффективного g-фактора двумерного электронного газа с низкой подвижностью |
| 4.33 |
Р.З.Витлина , Л.И.Магарилл, А.В.Чаплик
2D плазмоны в магнитном поле в системах со спин-орбитальным взаимодействием (СОВ) |
| 4.34 |
И.В. Рожанский , М.Б. Лифшиц, С.А. Тарасенко, Н.С. Аверкиев
Переключение локализованных двумерных состояний акустическим солитоном |
| 4.35 |
Е.Л. Шангина , К.В. Смирнов, В.В. Ковалюк, Г.Н. Гольцман, А.А. Веревкин, Д.В. Морозов, А.И. Торопов Предельное время релаксации в полупроводниковых приборах на эффекте разогрева двумерного газа |
| 4.36 |
В.Е.Бисти
Взаимодействие межподзонных и плазменных возбуждений в двойных асимметричных электронных слоях |
| 4.37 |
М.В.Буданцев , А.Г.Погосов, А.Е.Плотников, А.К.Бакаров, А. И. Торопов, J.C.Portal
Исследование неравновесного состояния двумерного электронного газа в режиме целочисленного квантового эффекта Холла в наклонных магнитных полях |
| 4.38 |
И.Н.Котельников , С.Е.Дижур
Межподзонные 2D поляроны и туннельная плотность состояний двумерной электронной системы высокой плотности в GaAs |
| 4.39 |
К.Э.Нагаев , О.С.Айвазян, Т.В.Костюченко
Эффекты электрон-электронного рассеяния в широких баллистических микроконтактах |
|
| 12.4 |
Е.В.Наумова , В.Я.Принц, С.В.Голод, В.А.Селезнев, В.А.Сейфи, В.В.Кубарев
Киральные метаматериалы на основе прецизионных метал-полупроводниковых спиралей |