|
| 5.16 |
Ю.В.Настаушев , О.В.Наумова, Т.А.Гаврилова, Ф.Н.Дульцев, Л.В.Соколов, А.Л.Асеев
Иcследование кремниевых нанокристаллов (вискеров) пассивированных высококонстантными диэлектриками на основе соединений титана |
| 5.17 |
Е.М.Дижур , С.В.Зайцев-Зотов, М.А.Ильина
Низкотемпературная проводимость NbS3 под давлением |
| 5.18 |
Н.Е.Капуткина , Ю.Е.Лозовик
Спектры, локализация электронов и спиновая перестройка основного состояния горизонтальных и вертикальных молекул из квантовых точек |
| 5.19 |
И.А.Кокурин , В.А.Маргулис
Спектр и баллистический транспорт электронов в полупроводниковой нанотрубке |
| 5.20 |
Х.Дау, В.С.Днепровский, Е.А.Жуков, М.В.Козлова , Т.Умайер
Резонансное взаимодействие ультракоротких мощных импульсов лазера с экситонами в полупроводниковых квантовых точках |
| 5.21 |
K.Král and M.Menšík
Optical line width in quantum dots |
| 5.22 |
К.А.Дроздов , А.А.Добровольский, И.С.Васильевский, С.Г.Дорофеев, П.Н.Тананаев, Д.Р.Хохлов
Энергетический спектр и оптические свойства квантовых точек CdSe(Cu) |
| 5.23 |
А.Б.Талочкин , И.Б.Чистохин, В.А.Марков
ИК фотопроводимость многослойных Ge/Si структур с квантовыми точками Ge |
| 5.24 |
А.В.Родина , Ал.Л.Эфрос
Тонкая структура биэкситонов в сферических нанокристаллах полупроводников квазикубической симметрии |
| 5.25 |
Т.С.Шамирзаев , К.С.Журавлев, F.Trojánek, B.Dzurňák, P.Malý
Захват носителей заряда в квантовые точки InAs/AlAs |
| 5.26 |
Я.И.Родионов, И.С.Бурмистров , А.С.Иоселевич
Сопротивление зарядовой релаксации в задаче о кулоновской блокаде |
| 5.27 |
А.И.Якимов, А.А.Блошкин , А.В.Двуреченский
Экситоны в двойных квантовых точках Ge/Si II-го типа |
| 5.28 |
Н.Е.Капуткина , Ю.Е.Лозовик, Р.Ф.Мунтяну, Ю.Х.Векилов
Апериодические одномерные последовательности квантовых точек во внешних электрическом и магнитном поле |
| 5.29 |
А.Б.Талочкин , В.А.Марков, А.Г.Черков
Релаксация механических напряжений в многослойных Ge/Si структурах с квантовыми точками Ge |
| 5.30 |
М.А.Семина , Р.А.Сергеев, Р.А.Сурис
Влияние локализации в неоднородных квантовых проволоках на энергии связи экситонов и трионов |
| 5.31 |
К.С.Журавлев , И.Г.Александров, P.O.Holtz
Линейно поляризованная микрофотолюминесценция квантовых точек GaN, сформированных в матрице AlN |
| 5.32 |
В.А.Петров , А.В.Никитин
Управление электрическим полем электронными интерференционными эффектами в полупроводниковых 1D наноструктурах |
| 5.33 |
Н.В.Сибирёв, В.Г.Дубровский, Г.Э.Цырлин, Ю.Б.Самсонкенко, М.А.Тимофеева, А.Г.Гладышев, М.В.Назаренко
Нелинейные эффекты при росте полупроводниковых нитевидных нанокристаллов |
| 5.34 |
А.Н.Резницкий , А.А.Клочихин, С.А.Пермогоров, В.В.Коренев, И.В.Седова, С.В.Сорокин, С.В.Иванов
Люминесценция двойных квантовых ям CdSe/ZnSe с самоорганизованными квантовыми точками |
| 5.35 |
К.Г.Беляев , В.Х.Кайбышев, А.А.Торопов, Т.В.Шубина, В.Н.Жмерик, С.В.Иванов, П.С.Копьев
Эффекты экситон-плазмонного взаимодействия в InGaN с наночастицами золота, осажденными из коллоидного раствора |
| 5.36 |
А.В.Ненашев , А.Ф.Зиновьева, А.В.Двуреченский
Вариационный метод вычисления энергетических уровней в квантовых точках пирамидальной формы
| 5.37 |
О.М.Сресели, О.С.Ельцина , Л.В.Беляков, Д.Н.Горячев
Рост фототока в нанопористом кремнии при больших энегриях квантов |
| 5.38 |
А.В.Антонов, М.Н.Дроздов, Ю.Н.Дроздов, Л.Д.Молдавская , В.И.Шашкин, О.И.Хрыкин, А.Н.Яблонский
Фотопроводимость в области 1 - 2.5 мкм при комнатной температуре в структурах InAs/GaAs с нанокластерами InAs, выращенных методом МОГФЭ |
| 5.39 |
А.Н.Яблонский , А.В.Новиков, Д.Н.Лобанов, З.Ф.Красильник
Механизмы излучательной рекомбинации в структурах SiGe/Si с самоформирующимися Ge(Si) островками |
| 5.40 |
А.М.Гилинский , С.П.Мощенко, А.А.Лямкина, Д.В.Дмитриев, К.С.Журавлев
Фотолюминесценция квантовых точек InAs/GaAs, полученных методом капельной эпитаксии |
|
| 6.7 |
Н.Г.Колин , А.Я.Поляков, Н.Б.Смирнов, А.В.Говорков, А.В.Корулин, Д.И.Меркурисов, В.М.Бойко, В.М.Залётин
О возможности регистрирования нейтронов полупроводниковыми детекторами на основе нитрида галлия |
| 6.8 |
В.А.Шалыгин, Л.Е.Воробьев, Д.А.Фирсов, В.Ю.Паневин, А.Н.Софронов, Г.А.Мелентьев , А.В.Андрианов, А.О.Захарьин, Н.Н.Зиновьев, S.Suihkonen, H.Lipsanen
Терагерцовая люминесценция n-GaN в электрическом поле |
| 6.9 |
И.Г.Аксянов, В.Н.Бессолов , Ю.В.Жиляев, М.Е.Компан, Е.В.Коненкова, С.А.Кукушкин, А.В.Осипов, В.П.Рубец, Н.А.Феоктистов, Ш.Шарофидинов, М.П.Щеглов
Широкозонные III-нитридные слои на Si : роль промежуточных α-SiC+β-SiC комбинированных слоев |
| 6.10 |
Ю.Т.Ребане , Р.И.Горбунов, Ф.Е.Латышев, Ю.С.Лелико , А.С.Зубрилов, А.И.Цюк, Ю.Г.Шретер
Цилиндрические ростовые структуры в пленках нитрида галлия |
| 6.11 |
М.Д.Павлюк , Ю.М.Иванов, В.М.Каневский, Е.А.Борисова, В.Ф.Дворянкин и А.А.Кудряшов
Выращивание монокристаллов CdTe и CdZnTe для получения детекторов цифрового рентгеновского изображения |
| 6.12 |
В.В.Емцев, А.М.Иванов, В.В.Козловский , А.А.Лебедев, Г.А.Оганесян, Д.С.Полоскин, Н.Б.Строкан
Радиационное дефектообразование в карбиде кремния при электронном и протонном облучении |
| 6.13 |
Н.Г.Колин , А.Я.Поляков, Н.Б.Смирнов, А.В.Говорков, А.В.Марков, Т.Г.Югова, А.В.Корулин, Д.И.Меркурисов, В.М.Бойко, Е.Б.Якимов
Особенности радиационного дефектообразования в эпитаксиальных плёнках нитрида галлия, полученных методом латерального заращивания |
|
| 9.3 |
М.Л.Орлов
Механизмы детектирования субмиллиметрового излучения короткоканальными полевыми транзисторами |
| 9.4 |
Н.С.Аверкиев, С.О.Слипченко, З.Н.Соколова , И.С.Тарасов
AlGaAs-GaAs волновод для среднего и дальнего ИК излучения |
| 9.5 |
В.Н.Трухин , Н.Н.Зиновьев
Радиационное экранирование терагерцового поля, генерируемого ультракороткими световыми импульсами в фотопроводнике |
| 9.6 |
В.Я.Алешкин, А.А.Дубинов
Генерация разностной частоты терагерцового диапазона в двухчастотном InGaAs/InGaAsP/InP лазере |
| 9.7 |
М.А.Ормонт
Особенности поведения бесфононной прыжковой проводимости в области кроссовера от линейной к квадратичной частотной зависимости |
|
|