|
| 8.23 |
Е.П.Скипетров, Н.А.Пичугин , Б.Б.Ковалев, Е.И.Слынько, В.Е.Слынько
Электронная структура разбавленных магнитных полупроводников Pb1-x-ySnxCryTe |
| 8.24 |
Н.С.Аверкиев, М.Е.Левинштейн, П.В.Петров, А.Е.Черняков, Е.И.Шабунина , Н.М.Шмидт, Е.Б.Якимов
Особенности безизлучательной рекомбинации в синих светодиодах на основе квантово-размерных структур InGaN/GaN |
| 8.25 |
В.В.Привезенцев
Фотолюминесценции кристаллов кремния n-типа, легированных цинком |
| 8.26 |
В.А.Морозова, О.Г.Кошелев, Е.П.Веретенкин, В.Н.Гаврин, Ю.П.Козлова
Примесный фотовольтаический эффект на p-i-n структурах из нелегированного GaAs |
| 8.27 |
Б.А.Андреев, З.Ф.Красильник, Д.И.Крыжков , К.Е.Кудрявцев, В.П.Кузнецов
Особенности кинетики ЭЛ иона Er в структурах Si:Er с активным слоем, позиционированным в ОПЗ |
| 8.28 |
Н.А.Давлеткильдеев , М.М.Нукенов, Н.В.Сологуб
Фазовый состав микродефектов в сильно легированном n-GaAs |
| 8.29 |
Л.Н.Мазалов , Ю.П.Диков, Н.А.Крючкова, В.В.Соколов, E.В.Коротаев, А.Д.Федоренко
Электронное строение катион-замещенных полупроводников СuCr1-х MxS2 (M -V,Fe; x = 0 - 0.4) по данным рентгеноэлектронной и рентгеновской спектроскопии |
| 8.30 |
К.Е.Кудрявцев , В.Б.Шмагин, Д.В.Шенгуров, З.Ф.Красильник
Оптически активный центр Er-1 в диодных СМЛЭ структурах Si:Er/Si |
| 8.31 |
П.В.Петров , Ю.Л.Иванов, Н.С.Аверкиев
Поляризационная спектроскопия экситонов связанных на акцепторах в квантовых ямах GaAs/AlGaAs. Особенности фононных повторений |
| 8.32 |
Г.И.Воронкова , A.В.Батунина, В.В.Воронков, В.Н.Головина. A.С.Гуляева, Н.Б.Тюрина, M.Г.Mильвидский
Природа глубоких центров, возникающих в кремнии, легированном азотом, после термообработок 200 - 900°C |
| 8.33 |
С.А.Блохин , В.М.Лантратов, М.З.Шварц, А.Р.Ковш, М.В.Максимов, А.М.Надточий, С.А.Минтаиров, Н.А.Калюжный, Н.Н.Леденцов
In(Ga)As квантовые точки как активная среда для фотоэлектрических преобразователей в системе материалов AIIIBV |
| 8.34 |
А.Т.Лончаков
Спин-решеточная релаксация и параупругая восприимчивость в ультразвуковых свойствах кубических кристаллов A2B6:3d |
| 8.35 |
Т.Т.Корчагина , В.А.Володин, А.А.Попов, J.Koch, B.Chichkov
Кристаллизация кластеров кремния в пленках SiNx (x<4/3) с применением фемто- и наносекундных лазерных обработок |
| 8.36 |
А.Н.Акимов, А.Э.Климов, Н.С.Пащин, В.Н.Шерстякова , В.Н.Шумский
Переходные процессы в PbSnTe:In при инжекции носителей заряда из контактов |
| 8.37 |
В.В.Цыпленков , В.Н.Шастин
Релаксация состояний мелких доноров в деформированном кремнии при взаимодействии с междолинными фононами |
| 8.38 |
И.А.Курова, Н.Н.Ормонт
Особенности фотопроводимости нелегированных слоистых пленок аморфного гидрированного кремния |
| 8.39 |
И.Е.Тысченко , В.П.Попов
Накопление заряда в структурах кремний-на-изоляторе с азотированным слоем SiO2 |
| 8.40 |
В.В.Болотов, В.Е.Кан
Фотолюминесценция в термообработанном кремнии |
| 8.41 |
Э.Ю.Даниловский , М.М.Мездрогина, В.В.Криволапчук, Р.В.Кузьмин, М.В.Еременко, Г.А.Бордовский, А.В.Марченко, М.В.Чукичев
Формирование спектров излучения в кристаллах ZnO, легированных Fe, Cu |
| 8.42 |
М.Ю.Леонов , А.В.Войцеховский, С.А.Шульга, Н.Х.Талипов
Расчет профилей распределения радиационных дефектов в КРТ при воздействии высокоинтенсивными импульсными лазерными пучками |
| 8.43 |
К.Е.Кудрявцев , В.Б.Шмагин, В.П.Кузнецов, Д.В.Шенгуров, З.Ф.Красильник
Особенности температурного гашения электролюминесценции СМЛЭ Si:Er/Si диодов с различными типами эрбиевых излучающих центров |
| 8.44 |
К.В.Феклистов , Л.И.Федина, А.Г.Черков
Неоднородная преципитация бора в кремнии на стадии Оствальдовского созревания |
|
| 10.3 |
В.Ш.Алиев , И.А.Бадмаева
Синтез пленок Pb фталоцианина и исследование их структуры и электрофизических свойств |
| 10.4 |
Е.В.Тихонов , И.А.Белогорохов, Д.Р.Хохлов, Л.Г.Томилова
Спектры комбинационного рассеяния света полупроводниковых структур на основе фталоцианина эрбия |
| 10.5 |
А.Р.Тамеев , Р.Г.Рахмеев, А.Н.Лачинов, Р.Б.Салихов, А.А.Бунаков, В.Р.Никитенко, А.В.Ванников
Транспорт носителей заряда в пленках полидифениленфталида |
| 10.6 |
А.А.Лачинов , Н.В.Воробьева, В.М.Корнилов
Управляющее напряжение для инжекционного гигантского магнетосопротивления в системе металл\полимер |
| 10.7 |
А.В.Зиминов , В.В.Криволапчук, М.М.Мездрогина, С.М.Рамш, И.Г.Спиридонов, Т.А.Юрре
Формирование спектров излучения фталоцианинов европия |
| 10.8 |
В.В.Шелковников , Т.В.Романова, Н.А.Орлова, С.В.Рыхлицкий, Е.В.Спесивцев
Оптические свойства тонких твердых пленок полиметиновых красителей в видимой и ближней ИК-области |
| 10.9 |
И.А.Бадмаева , Л.Л.Свешникова
Исследование топохимической фотополимеризации тонких пленок Ленгмюра-Блоджетт ацетиленовых кислот |
| 10.10 |
Н.А.Крючкова , Л.Н.Мазалов, А.И.Боронин, Р.В.Гуляев, Т.В.Басова, В.А.Пляшкевич
Исследование электронного строения комплексов СuPc и СuPcFM16 методами рентгеноэлектронной спектроскопии и квантовой химии |
| 10.11 |
И.Р.Набиуллин , А.Н.Лачинов
К вопросу о возникновении электронного переключения в системе металл-полимер-металл в результате изменения граничных условий |
| 10.12 |
P.Б.Салихов , А.Н.Лачинов, Р.Г.Рахмеев, А.А.Бунаков
Барьеры в гетероструктурах кремний-полимер-металл |
| 10.13 |
Р.В.Гайнутдинов , Л.В.Саргош, Н.Д.Степина, К.Л.Сорокина, А.Л.Толстихина
Влияние условий синтеза на структуру и электрические свойства нанокомпозитов допированный полианилин/диэлектрическая матрица |
| 10.14 |
А.Н.Лачинов, Р.Г.Рахмеев , Р.М.Гадиев, Р.Б.Салихов
Исследование полевого эффекта на интерфейсе полимер/полимер |
|