В среду, 7 июня, в 15:00 в конференц-зале Термостатированного корпуса состоится семинар.

В.А. Голяшов

Электронная структура поверхности и электрофизические свойства трехмерных топологических изоляторов
на основе халькогенидов и халькогалогенидов висмута и сурьмы

(по материалам диссертации)

Работа посвящена изучению физическо-химических, электрофизических и электронных свойств объема и поверхностей скола монокристаллов трехмерных топологических изоляторов на основе твердых растворов халькогенидов висмута и сурьмы Bi_xSb_2-xTe_ySe_3-y и полупроводника с гигантским расщеплением Рашбы BiTeI. Экспериментально и теоретически показана инертность поверхности скола монокристаллов Bi₂Se₃ к окислению. Предложен и реализован метод получения кристаллов Bi₂Te₃ и Bi_xSb_2-xTe₃ со встроенным p-n переходом. Изучены условия формирования гетерограницы Рашбовский полупроводник – трехмерный топологический изолятор на поверхности (0001) BiTeI при прогреве в вакууме.