В среду, 14 февраля, в 15:00 в конференц-зале ЛТК ИФП СО РАН состоится семинар.

Отчеты аспирантов ИФП:

Есин М.Ю. "Изучение формирования ступенчатой поверхности Si(100) при молекулярно-лучевой эпитаксии методом дифракции быстрых электронов"
Научный руководитель: Никифоров А.И.

Леган Д.М. "Экспериментальное исследование свойств слоя In0.3Ga0.7As, выращенного на подложке GaAs для высокоэффективного трехкаскадного солнечного элемента In0.3Ga0.7As/GaAs/In0.5Ga0.5P"
Научный руководитель: Пчеляков О.П.

Петрушков М.О. "Исследование влияния низкотемпературных слоев LT-GaAs на свойства эпитаксиальных пленок GaAs/Si(100)"
Научный руководитель: Путято М.А.