3 августа 2016 года исполнилось бы 80 лет Константину Константиновичу Свиташеву, профессору, доктору физико-математических наук, члену-корреспонденту РАН, директору Института физики полупроводников Сибирского отделения РАН (1990-1998 годы).

Научную деятельность в Институте физики полупроводников К.К. Свиташев начал в 1962 г. младшим научным сотрудником после окончания физического факультета Ленинградского государственного университета и трёх лет работы в Государственном оптическом институте им. С.И. Вавилова. Аспирантура, защита кандидатской (1966 г.), а затем докторской (1974 г.) диссертаций — обычный путь становления и роста учёного.

Константин Константинович — один из ведущих специалистов в области оптических и фотоэлектрических явлений в полупроводниковых структурах. Он является автором более 180 научных работ и двух книг по проблемам физики поверхности полупроводников и тонких плёнок, лазерной эллипсометрии. Его работами охвачены практически все научные направления Института: физика полупроводников и диэлектриков, физико-химические основы технологий микроэлектроники, наноэлектроники, а также микрофотоэлектроники. Наиболее важные результаты были получены К.К. Свиташевым в областях исследований свойств поверхности полупроводников и границ раздела с диэлектриками и металлами, разработки технологий создания новых классов полупроводниковых большеформатных матричных фотоприёмников, развития теории и практической реализации эллипсометрических методов исследования тонких слоев металлов, диэлектриков и полупроводников.

Уже в 1968 году К.К. Свиташевым впервые была по достоинству оценена перспективность и незаменимость метода эллипсометрии в разработке научных основ и контроле производства элементов и приборов микроэлектроники. В течение ряда лет под научным руководством Константина Константиновича широким фронтом велись многочисленные исследования, направленные на создание теоретической и практической базы метода эллипсометрии. Одновременно с этим разрабатывались и производились эллипсометры — приборы прецизионного неразрушающего контроля параметров тонких плёнок и слоев. Эллипсометры, разработанные в ИФП, успешно изготавливались на Опытном заводе СО РАН, Феодосийском приборостроительном заводе и других предприятиях. Всего было выпущено более 500 приборов.

Под научным руководством К.К. Свиташева эллипсометрия превратилась в востребованный метод нанодиагностики, который широко применяется как при проведении научных исследований, так и в промышленности. Благодаря основополагающим работам К.К. Свиташева наша страна имеет в настоящее время эллипсометры мирового класса, а Институт физики полупроводников СО РАН по праву считается одним из ведущих мировых центров исследований в области эллипсометрии. За развитие теории метода эллипсометрии и практическое внедрение в промышленность разработанных эллипсометрических приборов и установок Константин Константинович в составе коллектива авторов удостоен Премии Совета Министров СССР.

Организаторские способности К.К. Свиташева наиболее ярко проявились на посту директора Института физики полупроводников. Важная особенность его стиля работы — умение сочетать углублённую теоретическую разработку проблем с практической работой по созданию опытных образцов приборов и устройств. В значительной мере это проявилось в том, что в годы его руководства Институтом существенно расширились и укрепились научные связи ИФП с предприятиями ряда отраслей промышленности по совместной реализации крупных научно-технических программ. Под его руководством ИФП СО РАН активно строился и сформировался как крупный исследовательский центр с широким фронтом научной и прикладной деятельности. Работы, проводимые в Институте, неизменно опирались на богатые технологические возможности, важнейшей из которых является технология молекулярно-лучевой эпитаксии. Создание в ИФП СО РАН под научным руководством К.К. Свиташева высокоэффективной управляемой технологии МЛЭ со 100%-ным прецизионным эллипсометрическим контролем явилось одним из важнейших достижений Института. Наиболее значимым результатом этой работы является технологический комплекс молекулярно-лучевой эпитаксии «Обь». Ярким примером практического использования квантовых эффектов в полупроводниковых структурах являются лазеры с вертикальным резонатором, фотоприёмные структуры с квантовыми ямами и устройства СВЧ-электроники, разработке и созданию которых большое значение придавал К.К. Свиташев в последние годы своей жизни. Настойчивость и целеустремлённость руководителя в сочетании с простотой, дружелюбием, умением работать с людьми позволили ему в короткий срок создать новое научно-технологическое подразделение в Институте — Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники, включающий в свой состав технологов, конструкторов и производственников. Здесь разрабатывается и изготавливается уникальное тепловизионное оборудование и приборы ночного видения, в том числе и в интересах укрепления обороноспособности страны.

Константин Константинович успешно совмещал научную и научно-организаторскую работу с преподавательской деятельностью. Им были разработаны курсы лекций «Контактные явления в полупроводниках», «Оптические измерения», «Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках». Под его руководством подготовлены и защищены докторская и пять кандидатских диссертаций. В нём ярко проявился дар учителя и наставника. Своим ученикам он стремился передать не только научные знания, но и нормы научной этики, уважительное отношение к окружающим.

Учёный разносторонних интересов, широких познаний, педагог и прекрасный организатор — таким предстаёт перед нами сквозь череду прошедших лет Константин Константинович.