на базе лабораторий:
молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений А3В5;
физических основ эпитаксии полупроводниковых гетероструктур;

Лабораторно-технологический корпус15 сентября 2016 г.
Комната №362Четверг, 10 часов

Ивин Сергей Викторович

Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева

Физико-химические процессы на поверхности растущего Si1-xGex при гидридной эпитаксии

Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
по специальности 02.00.04 – физическая химия

Рецензент – кандидат физико-математических наук Никифоров Александр Иванович




на базе лабораторий:
молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений А3В5;
физических основ эпитаксии полупроводниковых гетероструктур;

Лабораторно-технологический корпус15 сентября 2016 г.
Комната №362Четверг, 11 часов

Лазовой Кирилл Александрович

Национальный исследовательский Томский государственный университет

Кинетика формирования наногетероструктур с квантовыми точками германия на кремнии
для приборов оптоэлектроники

Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по специальности 01.04.10 – физика полупроводников

Рецензент – кандидат физико-математических наук Тимофеев Вячеслав Алексеевич