Поздравляем победителей в Конкурсе научных работ ИФП СО РАН 2017 года!
2017Раздел "Конкурс научных работ"
По первому направлению:
1 премия:
А.А. Шевырин, А.Г. Погосов, А.К. Бакаров, А.А. Шкляев, Физические механизмы возбуждения и детектирования колебаний наноэлектро-механических систем с двумерным электронным газом – 7.15 балла
2 премия:
Д.А. Козлов, М.Л. Савченко, З.Д. Квон, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, Трехмерный топо-логический изолятор на основе напряженной пленки теллурида ртути толщиной 80 нм – 4.9 балла
В.А. Голяшов, К.А. Кох, T. Bathon, S. Achilli, P. Sessi, M. Bode, О.Е. Терещенко, Экспериментальная реализация p-n перехода в монокристаллах трехмерного топологического изолятора Bi2Te3 – 4.45 балла
3 премия:
Р. А.Жачук, С.А. Тийс, Атомная структура поверхности Si(331)-12×1 – 3.05 балла
И.И. Бетеров, И.И. Рябцев, Д.Б. Третьяков, В.М. Энтин, Е.А. Якшина, М. Саффман, С. Бергамини, Е.А. Кузнецова, К. Андреева, А. Марковски, З. Ифтикхар, А. Цинис, А. Экерс, Двухкубитовые вентили на основе резонансов Фёрстера, перестраиваемых электрическим полем – 2.33 балла
Д.И. Рогило, Л.И Федина, С.С. Косолобов, Б.С. Рангелов, А.В. Латышев, Зарождение 2D островков Si на поверхности Si(111) на начальных и поздних стадиях роста: роль проницаемости ступеней при пирамидальном росте – 2.24 балла
По второму направлению:
1 премия:
П. С. Загубисало, А. Г. Паулиш, Теоретическое и экспериментальное исследование пьезооптического преобразователя для высокочувствительных датчиков деформаций – 6.24 балла
2 премия:
В.Я. Принц, Е.В. Наумова, С.В. Голод, В.А. Селезнев, А.А. Бочаров, В.В.Кубарев, Терагерцовые электромагнитные мета-материалы и системы на основе 3D элементов из напряженных нанопленок – 4.86 балла
3 премия:
И.А. Милёхин, С.А. Кузнецов, Л.А. Свешникова, Т.А. Дуда, Е.Е. Родякина, А.Г. Милёхин, А.В. Латышев, Наноантенны среднего и дальнего ИК диапазонов для детектирования полупроводниковых и органических наноструктур – 2.62 балла
Премия молодому участнику – соавтору премированной работы присуждена И.А. Милёхину (3 место по направлению II)
Лучшим докладчиком признан А.А. Шевырин (1 место по направлению I)