Российско-тайваньский симпозиум "Нанофотоника и наноэлектроника: материалы и физика".
25-27 августа 2008 г.
25-27 августа 2008 г.
С 25 по 27 августа в Институте проводится российско-тайваньский симпозиум "Нанофотоника и наноэлектроника: материалы и физика". Симпозиум проводится в рамках совместной программы Российского фонда фундаментальных исследований и Национального научного совета Тайваня (National Science Council of Taiwan), направленной на предоставление ученым обеих стран возможности найти перспективных партнеров для выполнения совместных проектов и представить результаты совместных научных исследований. На симпозиуме будут рассмотрены результаты и перспективы фундаментальных исследований в различных областях физики и материаловедения полупроводниковых наноразмерных объектов. Симпозиум нацелен на обсуждение вопросов создания наноструктур различных видов, их характеризации с атомарным разрешением и исследования их электронных, фононных и оптических свойств.
Сопредседатели симпозиума - К.С.Журавлев (ИФП СО РАН, Новосибирск) с российской стороны и проф. Юэн-Ву Суэн (Y.-W. Suen, National Chung Hsing University, Taichung) с тайваньской стороны.
Программа заседаний симпозиума
| Понедельник, 25 августа | |
| 10:00-10:15 | Opening Ceremony |
| 10:15-10:45 | Ge/Si Quantum Dot Nanostructures: Physics and Application. A. V. Dvurechenskii, Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk, Russia. |
| 10:45-11:15 | Structural Diagnostic of Semiconductor Material and Nanostructures. A. V. Latyshev, Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk, Russia. |
| 11:15-11:45 | Edge Excitations of Quantum Hall States of a Quantum Wire Array. Y.‑W. Suen, National Chung Hsing University, Taichung, Taiwan, R.O.C. |
| 11:45-12:05 | Coffee break |
| 12:05-12:35 | Si0.2Ge0.8 Quantum well PFET and NiGe Stressors. C. W. Liu, National Taiwan University, Taipei, Taiwan, R. O. C. |
| 12:35-13:05 | Subband Properties of PMOS Inversion Layer Using Strained Si1-xCx Alloys on (110) Si Substrate. C.-Y. Lin, National Chung Hsing University, Taichung, Taiwan, R.O.C. |
| 13:05-13:35 | Molecular Beam Epitaxy of ordered Ge-Si Nanostructures for Applications in Photovoltaics. O. P. Pchelyakov, Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk, Russia. |
| 13:40-15:00 | Lunch |
| 15:00-15:20 | Kinetics of Formation and Growth of GaN/AlN Quantum Dots by Ammonia Molecular Beam Epitaxy. V. G. Mansurov, Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk, Russia. |
| 15:20-15:40 | Electrostatic Screening In Nanostructures With Multycomponent Electron Plasma. A. V. Chaplik, Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk, Russia. |
| 15:40-18:30 | Visit to the laboratories of the Institute of Semiconductor Physics. |
| Вторник, 26 августа | |
| 10:00-10:20 | The Creation and Investigation of the Functional Characteristics of Semiconductor Nanoclusters on the Basis of Langmuir-Blodgett Layers. O. I. Semenova, Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk, Russia. |
| 10:20-10:50 | InGaAs Quantum Dots and Wires Grown by Molecular Beam Epitaxy. T. S. Lay, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan, R.O.C. |
| 10:50-11:10 | Nonradiative Recombination in GaN/AlN Quantum Dots by MBE. K. S. Zhuravlev, Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk, Russia. |
| 11:10-11:30 | Coffee break |
| 11:30-12:00 | Terahertz Photosensitivity of Submicron PbSnTe:In Films Under the Condition of Charge Carriers Injection from Contacts. A. E. Klimov, Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk, Russia. |
| 12:00-12:20 | Matrix Microbolometer Detector for Registration of Terahertz Radiation. D. G. Esaev, Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk, Russia. |
| 12:20-12:50 | The Impact of Nanocontact on Nanowire Based Nanoelectronics. W.-B. Jian, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan, R.O.C. |
| 13:00-15:00 | Lunch |
| 16:00-16:30 | Generation of Quantum Key in Fiber-Optic Communication Lines. I. I. Ryabtsev, Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk, Russia. |
| 16:30-17:00 | Polymer Based on Photonic Crystals Fabricated with Single Step Electron Beam Lithography. C.-S. Wu, National Changhua University of Education, Changhua Taiwan, R.O.C. |
| 17:00-17:20 | Fundamentals of Nanophotonic Multi-Reflector Filtering Technology for DWDM. A. V. Tsarev, Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk, Russia. |
| 17:30-18:30 | Poster session. Presentations of young scientists. |
| Среда, 27 августа | |
| 10:00-10:20 | Phonons in Semiconductor Nanostructures. A. G. Milekhin, Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk, Russia. |
| 10:20-10:40 | Coulomb Blockade in a Suspended Quantum Dot. A. G. Pogosov, Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk, Russia. |
| 10:40-11:00 | Energy Structure and Spin Relaxation Phenomena in InAs/AlAs Quantum Dots. T. S. Shamirzaev, Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk, Russia. |
| 11:00-11:20 | Coffee break |
| 11:20-11:40 | STM Study of Atomic Mechanism of Formation of Wetting Layer of Ge on Si. S. A. Teys, Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk, Russia. |
| 11:40-12:00 | Spin Relaxation in AlGaAs Compounds: Evidence for Size Quantization? A. M. Gilinsky, Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk, Russia. |
| 12:00-14:00 | Lunch |
| 14:00-16:00 | Round-table discussion |
| 16:00-16:15 | Closing session |