Квантовые точки и квантовые кольца, получаемые в процессе гетероэпитаксии, привлекают к себе особое внимание и считаются перспективными объектами, как для фундаментальных исследований, так и для практических применений в области создания приборных структур нового поколения. В частности, комбинируя условия роста можно получать многослойные структуры с совмещением нанообъектов с различной размерностью. Разработан метод создания массива SiGe квантовых точек с возможностью контроля их плотности, размера и пространственного расположения в плоскости роста. На рисунке приведено СТМ - изображение трёхмерных островков в форме hut-кластеров, выращенных поверх SiGe наноколец. (а) Вид сверху (0.5 мкм x 0.5 мкм), (б) трёхмерный вид структуры ( 0.3 мкм x 0.3 мкм).

Работа будет представлена на конференции "Кремний 2012" в Санкт-Петербурге. П.А.Кучинская