Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
НАУЧНЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ
  • актуальные направления физики конденсированных сред, в том числе физика полупроводников и диэлектриков, физика низкоразмерных систем;
  • элементная база микроэлектроники, наноэлектроники, квантовых компьютеров, в том числе физико-химические основы технологий микроэлектроники, наноэлектроники, оптоэлектроники, акустоэлектроники, микросенсорики;
  • актуальные проблемы оптики, лазерной физики, включая квантовую электронику.
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
Объемные: Si, GaAs, InAs
Квантовые структуры: Si/Ge, GaAlAs/InAlAs/GaAs, GaN, AlN, InN, InP, CdTe/ZnTe, CdHgTe/CdTe/GaAs, SOI
Гетероструктуры, многослойные структуры: Ge/Si, AlAs/GaAs, GaAlAs/InAlAs/GaAs, GaN/GaAs, AlGaN/GaN
ДОБРО ПОЖАЛОВАТЬ
В 2014 году ФГБУН Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН отмечает 50-летний юбилей. Институт был создан на сибирской земле в бурно развивающемся академгородке в 1964 году на основе объединения Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники СО АН СССР и Института радиофизики и электроники СО АН СССР. За эти годы ИФП СО РАН превратился в многогранный исследовательский центр, совмещающий в себе глубокую академическую науку, направленную на фундаментальные научные открытия, практическую реализацию востребованных высокотехнологических инновационных разработок для современной экономики и подготовку высококвалифицированных научных исследователей и элитных инженерно-технических специалистов. Институт занимает ведущие позиции в области физики полупроводников, физики конденсированного состояния, физики и технологии низкоразмерных систем опто-, нано- и акусто- электроники, сенсорики, однофотоники, одноэлектроники, квантовой электроники, спинтроники. Основные фундаментальные достижения Института связаны с исследованием атомных процессов и электронных явлений на поверхности полупроводников и границах раздела полупроводниковых структур, квантовых эффектов в структурах пониженной размерности, в том числе, в эпитаксиальных сверхрешетках и гетероструктурах с квантовыми ямами. На основе полученных результатов реализованы приборные разработки матричных фотоприемников инфракрасного диапазона для устройств ночного видения и тепловидения, электронно-оптических преобразователей, СВЧ-транзисторов, одноэлектронных транзисторов и наносенсоров. Особые достижения Института связаны с разработкой оборудования и развитием технологии молекулярно-лучевой эпитаксии, которая стала основой современных нанотехнологий для полупроводниковой электроники. Юбилейные мероприятия, посвященные празднованию 50-летия Института, пройдут с 15 по 20 сентября 2014 г.

НОВОСТИ
28.11.14 19.11.14 14.11.14 14.11.14

Уважаемые коллеги!
С 24 по 28 ноября в нашем Институте пройдет выездная сессия Научного Совета РАН по проблеме «Радиационная физика твердого тела».

ФАНО России провело в Новосибирском Академгородке форсайт-сессию, посвященную приоритетам развития отечественной науки.

Среда, 19 ноября 2014, 15.30, КЗ ТК
В.А. Голяшов, К.А. Кох, О.Е.Терещенко
Транспорт в кристаллах Bi2Te3 и Bi2-xSbxTe3 с градиентным p-n переходом

По состоянию на 12 часов дня 13 ноября через сайт www.fano-vote.ru проголосовало 8 758 человек ...

.© ИФП СО РАН, 2006-2014. Web-master: Sambur Nadezhda