Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
НАУЧНЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ
  • актуальные направления физики конденсированных сред, в том числе физика полупроводников и диэлектриков, физика низкоразмерных систем;
  • элементная база микроэлектроники, наноэлектроники, квантовых компьютеров, в том числе физико-химические основы технологий микроэлектроники, наноэлектроники, оптоэлектроники, акустоэлектроники, микросенсорики;
  • актуальные проблемы оптики, лазерной физики, включая квантовую электронику.
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
Объемные: Si, GaAs, InAs
Квантовые структуры: Si/Ge, GaAlAs/InAlAs/GaAs, GaN, AlN, InN, InP, CdTe/ZnTe, CdHgTe/CdTe/GaAs, SOI
Гетероструктуры, многослойные структуры: Ge/Si, AlAs/GaAs, GaAlAs/InAlAs/GaAs, AlGaN/GaN, InSb/AlInSb
ДОБРО ПОЖАЛОВАТЬ
ИФП СО РАН создан в 1964 году на основе объединения Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники СО АН СССР и Института радиофизики и электроники СО АН СССР. У истоков создания ИФП стоял выдающийся ученый академик Анатолий Васильевич Ржанов.
Сегодня ИФП СО РАН - многогранный исследовательский центр, совмещающий в себе глубокую академическую науку, направленную на фундаментальные научные открытия, практическую реализацию востребованных высокотехнологических инновационных разработок для современной экономики и подготовку высококвалифицированных научных исследователей и элитных инженерно-технических специалистов.
Институт занимает ведущие позиции в области физики полупроводников, физики конденсированного состояния, физики и технологии низкоразмерных систем опто-, нано- и акусто- электроники, сенсорики, однофотоники, одноэлектроники, квантовой электроники, спинтроники.
В состав Института входит 23 научных лаборатории, Новосибирский филиал ИФП СО РАН «Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники», в котором разрабатывается и выпускается ряд тепловизионных систем и приборов. На базе Института действует один из наиболее эффективно работающих центров коллективного пользования – ЦКП «Наноструктуры». В Институте работает около 1000 человек, в том числе в филиале ИФП СО РАН «КТИПМ» - около 220 человек. Общее число научных сотрудников - 227 человек из них, 3 академика РАН, 4 член-корреспондента РАН, 41 доктор наук; 140 кандидатов наук.

19.01.17 12.01.17 29.12.16 27.09.16
В среду, 25 января, в 10 часов в конференц-зале Административного корпуса состоится Институтский семинар. 11 января Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН посетила группа участников Третьей зимней школы юного физика «Архимед» проводимой СУНЦ НГУ. 29 декабря 2016 г. в ИФП СО РАН прошел традиционный предновогодний научный семинар.

Фоторепортаж
Как сообщила начальник Управления академического взаимодействия и обеспечения деятельности Научно-координационного совета ФАНО России Евгения Степанова...