Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
НАУЧНЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ
  • актуальные направления физики конденсированных сред, в том числе физика полупроводников и диэлектриков, физика низкоразмерных систем;
  • элементная база микроэлектроники, наноэлектроники, квантовых компьютеров, в том числе физико-химические основы технологий микроэлектроники, наноэлектроники, оптоэлектроники, акустоэлектроники, микросенсорики;
  • актуальные проблемы оптики, лазерной физики, включая квантовую электронику.
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
Объемные: Si, GaAs, InAs
Квантовые структуры: Si/Ge, GaAlAs/InAlAs/GaAs, GaN, AlN, InN, InP, CdTe/ZnTe, CdHgTe/CdTe/GaAs, SOI
Гетероструктуры, многослойные структуры: Ge/Si, AlAs/GaAs, GaAlAs/InAlAs/GaAs, AlGaN/GaN
ДОБРО ПОЖАЛОВАТЬ
ИФП СО РАН создан в 1964 году на основе объединения Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники СО АН СССР и Института радиофизики и электроники СО АН СССР. У истоков создания ИФП стоял выдающийся ученый академик Анатолий Васильевич Ржанов.
Сегодня ИФП СО РАН - многогранный исследовательский центр, совмещающий в себе глубокую академическую науку, направленную на фундаментальные научные открытия, практическую реализацию востребованных высокотехнологических инновационных разработок для современной экономики и подготовку высококвалифицированных научных исследователей и элитных инженерно-технических специалистов.
Институт занимает ведущие позиции в области физики полупроводников, физики конденсированного состояния, физики и технологии низкоразмерных систем опто-, нано- и акусто- электроники, сенсорики, однофотоники, одноэлектроники, квантовой электроники, спинтроники.
В состав Института входит 23 научных лаборатории, Новосибирский филиал ИФП СО РАН «Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники», в котором разрабатывается и выпускается ряд тепловизионных систем и приборов. На базе Института действует один из наиболее эффективно работающих центров коллективного пользования – ЦКП «Наноструктуры». В Институте работает около 1000 человек, в том числе в филиале ИФП СО РАН «КТИПМ» - около 220 человек. Общее число научных сотрудников - 227 человек из них, 2 академика РАН, 4 член-корреспондента РАН, 41 доктор наук; 140 кандидатов наук.

НОВОСТИ
16.10.15 21.07.15 09.07.15 26.06.15

С 12 по 16 октября 2015 г. в Институте будет проходить Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых) ФОТОНИКА 2015.

3 и 17 июля сотрудники Института приняли участие в прогулке по Обскому водохранилищу. В среду, 15 июля, в 10 часов в конференц-зале Административного корпуса состоится Институтский семинар.

Вторник, 30 июня 2015, 10.00 КЗ ЛТК