В 2014 году ФГБУН Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН отмечает 50-летний юбилей. Институт был создан на сибирской земле в период бурного развития новосибирского Академгородка в 1964 году на основе объединения Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники СО АН СССР и Института радиофизики и электроники СО АН СССР. За эти годы ИФП СО РАН превратился в междисциплинарный исследовательский центр, совмещающий в себе академическую науку, направленную на фундаментальные исследования, практическую реализацию востребованных высокотехнологических инновационных разработок для современной электроники и подготовку высококвалифицированных научных исследователей и инженерно-технических специалистов.
Институт занимает ведущие позиции в области физики полупроводников, физики конденсированного состояния, физики и технологии низкоразмерных систем для опто-, нано- и акустоэлектроники, фотоники, сенсорики, квантовой электроники, спинтроники. Основные фундаментальные достижения Института связаны с исследованием атомных процессов и электронных явлений на поверхности полупроводников и границах раздела полупроводниковых структур, квантовых эффектов в структурах пониженной размерности, в том числе, в эпитаксиальных сверхрешетках и гетероструктурах с квантовыми ямами, квантовыми нитями и квантовыми точками. На основе полученных результатов реализованы приборные разработки матричных фотоприемников инфракрасного диапазона для устройств ночного видения и тепловидения, электронно-оптических преобразователей, СВЧ-транзисторов и наносенсоров. Основой успехов научных исследований Института являются разработки оборудования и развития технологии молекулярно-лучевой эпитаксии, ионной имплантации, электронной и штамповой литографии, которые стали основой современных технологий для полупроводниковой электроники, а также разработки методов и оборудования на основе эллипсометрии, электронной, туннельной и атомно-силовой микроскопии, лазеров для диагностики и модификации материалов и структур.
Юбилейные мероприятия, посвященные празднованию 50-летия Института, пройдут с 15 по 18 сентября 2014 г.
Для участия в конференции в срок до 1 июня 2014 года следует зарегистрироваться ONLINE и разместить тезисы доклада.
|