ЛАБОРАТОРИЯ НЕРАВНОВЕСНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СИСТЕМ

RU
EN

Института физики полупроводников СО РАН

 

ГЛАВНАЯ

ПУБЛИКАЦИИ

РАЗРАБОТКИ

ПРИБОРЫ

СОТРУДНИКИ

ПАТЕНТЫ

АСПИРАНТЫ
 И CОИСКАТЕЛИ
Заведующий лабораторией

Двуреченский Анатолий Васильевич

член-корреспондент РАН,

доктор физ.-мат. наук, профессор

лауреат Государственной премии СССР

заместитель директора ИФП СО РАН

заведующий лабораторией

Научная деятельность:

    Область научных интересов А.В.Двуреченского: радиационные явления, атомная и электронная структура, электронные процессы в полупроводниковых низкоразмерных системах и приборах на их основе. Им обнаружены эффекты ионно-стимулированых структурных превращений в объеме и на поверхности полупроводников, установлены закономерности импульсного (лазерного) отжига полупроводниковых структур (Государственная премия СССР, премия академии наук СССР и академии наук ГДР). А.В.Двуреченским с сотрудниками разработана технология создания нового класса полупроводниковых структур с нанокристаллами германия в кремнии (двухмерные и трехмерные ансамбли квантовых точек) на основе исследованных морфологических изменений поверхности при росте из молекулярных, ионно-молекулярных пучков и последующего лазерного отжига; разработаны методы, обеспечивающие повышение однородности ансамбля квантовых точек по размерам. Выполнены пионерские работы по изучению свойств созданных наноструктур, выявлены одноэлектронные и коллективные эффекты, установлены электронная структура одиночных и ансамбля туннельно-связанных квантовых точек, закономерности переноса заряда, оптических переходов и спиновых состояний; обнаружен и изучен ряд новых парамагнитных центров. На основе полученных фундаментальных результатов разработаны и созданы новые конструкции фотоприемников, элементов памяти, созданы одноэлектронные транзисторы, резонансно-туннельные диоды.

Образование:

  • 1968 г. - окончил Новосибирский государственный университет по специальности "физика".
  • 1974 г. - защитил кандидатскую диссертацию "Взаимодействие дефектов, введенных ионной бомбардировкой, между собой и примесью"
  • 1988 г. - защитил докторскую диссертацию "Радиационная модификация неупорядоченных систем на основе кремния".
  • 1993 г. - присвоено звание профессора.
  • 2008 г.- избран членом-корреспондентом РАН по Отделению нанотехнологий и информационных технологий РАН (специальность "наноэлектроника").

Трудовая деятельность:

    Основное место работы:
    - Институт физики полупроводников Сибирского отделения Академии наук СССР, Новосибирск, 1968-1970г.г. – стажер-исследователь, 1970-1981г.г. – младший научный сотрудник, 1981-1986г.г. – старший научный сотрудник, 1986-1987г.г. – ведущий научный сотрудник, 1987-2000г.г. – заведующий лабораторией, 2000 - по н/вр. – заместитель директора по научной работе.

Педагогическая деятельность:

  • 1987-1991г.г. - доцент кафедры физики полупроводников Новосибирского государственного университета.
  • С 1991 по н/вр - профессор этой кафедры. Разработал и читает лекции по спецкурсам "Радиационная физика полупроводников", "Физические основы нанотехнологии". Под руководством А.В.Двуреченского защищено 12 кандидатских и две докторские диссертационные работы.
  • As a guest scientist he had worked in New York State University at Albany (1979), in Research Center Rossendorf, Dresden, Germany (since 1980 practically every year), Fudan University, Shanghai, China (2001, 2002, and 2006).

Премии и награды

  • Государственная премия СССР 1988г. в составе авторов за цикл работ "Открытие явления импульсной ориентированной кристаллизации твердых тел (лазерный отжиг)".
  • Международная премия академии наук СССР и академии наук Германской демократической республики 1988г. в составе авторов за цикл совместных работ "Разработка физических основ ионно-импульсной модификации материалов микроэлектроники".
  • Почетная грамота Российской академии наук, 1999г.
  • Почетная грамота Министерства образования и науки РФ, 2007г.

Общественная деятельность:

    Двуреченский А.В. - заместитель председателя Научного совета РАН по проблеме "Радиационная физика твердого тела", член научного совета РАН по проблеме "Физика полупроводников" и по проблеме "Физико-химические основы материаловедения полупроводников", редколлегии журнала "Известия ВУЗов, материалы электронной техники", заместитель председателя диссертационного совета по защитам докторских и кандидатских диссертаций при Институте физики полупроводников СО РАН, член ученого совета Института физики полупроводников СО РАН. 2008-2009 годы - член (в 2008 - член бюро) рабочей группы федеральной целевой программы РФ "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007 - 2012 годы" по направлению "Индустрия наносистем и материалы".

Избранные публикации:

    С 1970 по 2007 г.г. опубликовано 287 научных работ.
    Среди опубликованных:

    Монографии, главы монографий, обзоры.

  1. А.В.Двуреченский, Г.А.Качурин, Е.В.Нидаев, Л.С.Смирнов. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов. М. Наука, 1982, 208 с.
  2. В.В.Болотов, А.В.Васильев, А.В.Двуреченский, Г.А.Качурин, Н.Б.Придачин, Л.С.Смирнов. Вопросы радиационной технологии полупроводников. Новосибирск, Наука, 1980, 292 с. (перевод на английский: V.V.Bolotov, A.V.Vasiljev, A.V. Dvurechensky, G.A.Kachurin, N.B.Pridachin, L.S.Smirnov, V.F.Stas’ A survey of semiconductors radiation techniques. Moscow, Mir, 1982, 288).
  3. Н.Н.Герасименко, А.В.Двуреченский, Л.С.Смирнов. Радиационные дефекты при облучении полупроводников тяжелыми частицами. В кн.: Физические процессы в облученных полупроводниках. Под ред. Л.С.Смирнова, Новосибирск, Наука, 1977, с. 150 – 185.
  4. Н.Н.Герасименко, А.В.Двуреченский. Низкотемпературные, активированные облучением изменения структуры и состава полупроводников. В кн.: Физические процессы в облученных полупроводниках. Под ред. Л.С.Смирнова, Новосибирск, Наука, 1977, с. 186 – 219.
  5. А.В.Двуреченский, А.И.Якимов. Гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками. УФН, 2001, т.171, №12, с. 7.
  6. А.В. Двуреченский, А.И. Якимов. Квантовые точки 2-го типа Ge/Si. ФТП, 2001, т. 35, вып. 9, с. 1143-1153.
  7. A.I. Yakimov and A.V. Dvurechenskii. Germanium self-assembled quantum dots for mid-infrared photodetectors. – In: Intersubband Infrared Photodetectors, ed. by V. Ryzhii, Selected Topics in Electronics and Systems, 2003, Vol. 27, World Scientific, Singapore, 281-298.
  8. А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, О.П. Пчеляков, С.А. Тийс, А.И. Якимов. МЛЭ-системы Ge/Si и структуры с квантовыми точками для элементов наноэлектроники. В кн.: Нанотехнологии в полупроводниковой электроники, под. ред. А.Л. Асеева, Новосибирск, Издательство Сибирского отделения РАН, 2004, с. 308-336.
  9. А.В. Двуреченский, А.И. Якимов. Гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками для нанотранзисторов, фототранзисторов и фотодиодов. В кн.: Нанотехнологии в полупроводниковой электроники, под. ред. А.Л. Асеева, Новосибирск, Издательство Сибирского отделения РАН, 2004, с. 308-336.
  10. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov. Germanium Self-Assembled Quantum Dots in Silicon: Growth, Electronic Transport, Optical Phenomena, and Devices. Chapter 2 in: Handbook of Semiconductor Nanostructures and Nanodevices, Volume 1, edited by A.A. Balandin and K.L. Wang (American Scientific Publishers, NY), p. 33-102, 2006.
  11. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, and A.I. Nikiforov. Germanium Self-Assembled Quantum Dots in Silicon for Nano- and Optoelectronics (Review). –Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics. 2006, v.1, № 2, 119-175.
  12. A.V. Dvurechenskii, A.I. Yakimov, N.P. Stepina, V.V. Kirienko, P.L. Novikov. SiGe nanodots in electro-optical SOI devices. - In: Nanoscaled Semiconductor-on-Insulator Structures and devices, ed. S. Hall, Springer, 2007, p. 113-128.

    13. Оригинальные работы:

  13. A.I.Yakimov, V.A.Markov, A.V.Dvurechenskii, O.P.Pchelyakov. "Coulomb staircase" in a Si/Ge structure. Phil. Mag. B, 1992, v.65, Iss.4, p.701-705.
  14. Yakimov A.I., Markov V.A., Dvurechenskii A.V., Pchelyakov O.P. Conductance oscillations in Si/Ge heterostructures containing quantum dots. J. Phys.: Condens. Matter, 1994, v.6, p.2573-2582.
  15. A.I.Yakimov, A.V.Dvurechenskii, Yu.Proskuryakov, A.I.Nikiforov, O.P.Pchelyakov, S.A.Teys, A.K.Gutakovskii. Normal-incidence infrared photoconductivity in Si p-i-n diode with embedded Ge self-assembled quantum dots. Appl. Phys. Lett., 1999, v. 75, № 10, p. 1413-1415.
  16. А.В.Двуреченский, А.И.Якимов. Квантовые точки в системе Ge/Si. Известия ВУЗов. Материалы электронной техники. 1999, №4, 4-10.
  17. A.V.Dvurechenskii, V.A.Zinovyev, V.A.Markov, V.A.Kudryavtsev. Surface reconstruction induced by low-energy ion-beam pulsed action during Si(111) molecular beam epitaxy. Surface Science. 1999, v.425, №2-3, p.185-194.
  18. A.I.Yakimov, A.V. Dvurechenskii, N.P.Stepina, A.I. Nikiforov. Depolarization shift of the in-plane polarized interlevel resonance in a dense array of quantum dots. Phys. Rev. B, 2000, v. 62, № 15, p. 9939-9942.
  19. А.В. Двуреченский, В.А. Зиновьев, В.А. Кудрявцев, Ж.В.Смагина. Эффекты низкоэнергетического ионного воздействия при гетероэпитаксии Ge/Si из молекулярных пучков. Письма в ЖЭТФ, 2000, т.72, №3, 190-194.
  20. А.В. Ненашев, А.В. Двуреченский. Пространственное распределение упругих деформаций в структурах Ge/Si с квантовыми точками. ЖЭТФ, 2000, № 9, т.118, с.570-578.
  21. A.I.Yakimov, A.V.Dvurechenskii, A.I.Nikiforov, Yu.Yu. Proskuryakov. Interlevel Ge/Si quantum dot infrared photodetector. J. Appl. Phys., 2001, v. 89, № 10, p. 5676-5681.
  22. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, Н.П. Степина, А.И. Никифоров, А.В. Ненашев. Эффекты электрон-электронного взаимодействия в оптических свойствах плотных массивов квантовых точек, ЖЭТФ, 2001, т.119, вып. 3, стр.574-589.
  23. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, С.В. Чайковский. Высота барьера и туннельный ток в диодах Шоттки со встроенными слоями квантовых точек. Письма в ЖЭТФ, 2002, том 75, вып. 2, с. 113-117.
  24. A.I. Yakimov, A.S. Derjabin, L.V. Sokolov, O.P.Pcheljakov, A.V. Dvurechenskii, M.M. Moiseeva, N.S. Sokolov. Growth and characterization of CaF2/Ge/CaF2/Si(111) quantum dots for resonant tunneling diodes operating at room temperature. Appl. Phys. Lett., 2002, v.81, № 3, pp.449-501.
  25. A.V.Dvurechenskii, A.V.Nenashev, A.I. Yakimov. Electronic structure of Ge/Si quantum dots. Nanotechnology, 2002, v. 13, № 1, p. 75-80.
  26. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, V.V.Kirienko, A.I. Nikiforov. Ge/Si quantum-dot metal-oxide-semiconductor field-effect transistor. Appl. Phys. Lett., 2002, v. 80, № 25, p. 4783-4785.
  27. А.В. Двуреченский, А.И. Якимов. Квантовые точки Ge в МДП- и фототранзисторных структурах. Известия Академии наук: серия физическая, 2003, т. 67, вып. 2, 166-169.
  28. А. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii and A. F. Zinovieva. Wave functions and g-factor of holes in Ge/Si quantum dots. Phys. Rev. B, 2003, 67, 205301.
  29. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, С.В. Чайковский, С.А. Тийс. Фотодиоды Ge/Si со встроенными слоями квантовых точек Ge для ближней инфракрасной области (1.3-1.5 мкм). ФТП, 2003, 37, вып. 11, 1383-1388.
  30. А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский, А. Ф. Зиновьева. Эффект Зеемана для дырок в системе Ge/Si с квантовыми точками. ЖЭТФ, 2003, том 123, вып.2, 362-372.
  31. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, В.В. Кириенко, Н.П. Степина, А.И. Никифоров, В.В. Ульянов, С.В. Чайковский, В.А. Володин, М.Д. Ефремов, М.С. Сексенбаев, Т.С. Шамирзаев, К.С. Журавлев. Волноводные Ge/Si-фотодиоды со встроенными слоями квантовых точек Ge для волоконно-оптических линий связи. ФТП 2004, 38, вып. 10, 1265-1269.
  32. А. В. Двуреченский. Импульсная ориентированная кристаллизация твердых тел (лазерный отжиг). Соровский образовательный журнал 2004, том 8, №1, 1-7.
  33. А. V. Nenashev, A. F. Zinovieva and A. V. Dvurechenskii. Hole spin relaxation at the tunneling between coupled self-assembled quantum dots. Phys. Rev. B. 2005, 71, 033310.
  34. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, В.В. Кириенко, А.И. Никифоров. Ge/Si фотодиоды и фототранзисторы со встроенными слоями квантовых точек Ge для волоконно-оптических линий связи. ФТТ, 2005, 47, вып. 1,с. 37-40.
  35. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров. Фотоприемники на базе гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge для волоконно-оптической линии связи. Нано- и микросистемная техника, 2005, 5, 19-29.
  36. А.Ф. Зиновьева, А.В. Ненашев, А.В. Двуреченский, Спиновая релаксация дырок в Ge квантовых точках, Письма в ЖЭТФ, 2005, том 82, вып. 5, с. 336-340.
  37. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, V.A. Volodin, M.D. Efremov, A.I. Nikiforov, G.Yu. Mikhalyov, E.I. Gatskevich, G.D. Ivlev. Effect of pulsed laser action on hole energy spectrum of Ge/Si self-assembled quantum dots. Phys. Rev. B, 2005, 72, № 11, 115318.
  38. A. V. Dvurechenskii, J.V. Smagina, R.Groetzschel, V.A. Zinoviev, V.A. Armbrister, P.L. Novikov, S.A. Teys, A.K. Gutakovskii. Ge/Si quantum dot nanostructures grown with low-energy ion beam-epitaxy. Surface & Coating Technology, 2005, 196, No. 1-3, 25-29.
  39. A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, A. A. Bloshkin, A. V. Nenashev, V. A. Volodin. Electronic states in Ge/Si quantum dots with type-II band alignment initiated by space-charge spectroscopy. Phys. Rev. B, 2006, v. 73, 115333.
  40. А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, А. А. Блошкин, А. В. Ненашев. Связывание электронных состояний в многослойных напряженных гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками 2-го типа. Письма в ЖЭТФ, 2006, т. 83, вып. 4, с. 189-194.
  41. А.И. Якимов, А.И. Никифоров, А.В. Двуреченский. Связывающее состояние дырки в двойных квантовых точках Ge/Si. Письма в ЖЭТФ, 2007, т. 86, вып. 7, с. 549-552.
  42. A.I. Yakimov, G.Yu. Mikhalyov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov. Hole states in Ge/Si quantum-dot molecules produced by strain-driven self-assembly. J. Appl. Phys., 2007, v. 102, № 20, p. 093714-11.
  43. N.P. Stepina, A.V. Dvurechenskii, V.A. Armbrister, V.G. Kesler, P.L. Novikov, A.K. Gutakovskii, V.V. Kirienko, Zh.V. Smagina. Pulsed ion-beam induced nucleation and growth of Ge nanocrystals on SiO2. Appl. Phys. Lett., 2007, v. 90, p. 133120.
  44. А.Ф. Зиновьева, А.В. Ненашев, А.В. Двуреченский. Механизм спиновой релаксации при прыжковом транспорте в двумерном массиве асимметричных квантовых точек. ЖЭТФ, 2007, т. 132, с. 436-446.
  45. A.I. Yakimov, G.Yu. Mikhalyov, A.V. Dvurechenskii. Molecular ground hole state of vertically coupled GeSi/Si self-assembled quantum dots. - Nanotechnology, 2008, v. 19, p. 055202.
  46. A.I. Yakimov, A.A. Bloshkin, and A.V. Dvurechenskii. Enhanced oscillator strength of interband transitions in coupled Ge/Si quantum dots. - Applied Physics Letters, 2008, v. 93, № 13, p. 132105.
  47. A.I. Yakimov, A.A. Bloshkin, and A.V. Dvurechenskii. Asymmetry of single-particle hole states in a strained Ge/Si double quantum dots. - Phys. Rev. B, 2008, v. 78, № 16, p. 165310.
  48. Смагина Ж. В., Зиновьев В. А., Ненашев А. В., Двуреченский А. В., Армбристер В. А., Тийс С. А. Самоорганизация Ge наноостровков при импульсном облучении пучком низкоэнергетических ионов в процессе гетероэпитаксии Ge/Si(100). - ЖЭТФ, 2008, т. 133, вып. 3, c. 593-604.
  49. A.F. Zinoveva, A.V. Dvurechenskii, N.P. Stepina, A.S. Deryabin, A.I. Nikiforov. R. Rubinger, N.A. Sobolev, J.P. Leit?o, M.C. Carmo. Spin resonance of electrons localized on Ge/Si quantum dots. - Phys. Rev. B, 2008, v. 77, p. 115319.

Последнее обновление: 05.07.2010

© www.isp.nsc.ru/24