Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
2010-2012

В рамках основных научных направлений в Институте проводятся исследования по программам СО РАН II.6.1, II.6.2, II.6.3, II.7.3, II.8.2, II.9.1 и IV.32.1

Программа СО РАН №II.6.1.

"Физика полупроводниковых наноструктур и квантовые эффекты в полупроводниках"
(Координатор - академик А.Л.Асеев)

II.6.1.1. "Физико-химические принципы формирования и электронные процессы в сверхтонких (1-20 нм) пассивирующих пленочных наноструктурах на полупроводниках типа А3В5"
Руководитель - д.ф.-м.н. Г.Л.Курышев.

II.6.1.2. "Атомные и электронные процессы на поверхностях соединений А3В5 с нанометровыми (Cs,O) покрытиями"
Руководитель - д.ф.-м.н., профессор А.С.Терехов.

II.6.1.3. "Исследование фотоэлектрических и электрофизических свойств гетероструктур на основе квантоворазмерных слоев А3В5, нанометровых вакуумных зазоров и термоэлектрических свойств наноразмерных слоев оксидов ванадия"
Руководитель д.ф.-м.н., профессор В.Н.Овсюк.

II.6.1.4. "Электронные и оптические свойства одно- и двумерных нано гетероструктур на изоляторе в деформационных и электромагнитных полях"
Руководитель - д.ф.-м.н. В.П.Попов.

II.6.1.5. "Разработка одно фотонных излучателей на основе полупроводниковых квантовых наноструктур"
Руководитель - д.ф.-м.н. В.А.Гайслер.

II.6.1.6. "Атомная и электронная структура диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью"
Руководитель - д.ф.-м.н. В.А.Гриценко.

II.6.1.7. "Квантовые явления в низкоразмерных системах и наноструктурах"
Руководители - академик, профессор А.В.Чаплик, д.ф.-м.н., профессор З.Д.Квон.

II.6.1.8. "Физико-технологические основы эпитаксии гетероструктур CdxHg1-xTe с нанослоями с локальным легированием акцепторными и донорными примесями и исследование их фотоэлектрических свойств"
Руководитель - д.ф.-м.н. Ю.Г.Сидоров.

Программа СО РАН №II.6.2.

"Физика твердотельных устройств микро- и наноэлектроники"
(Координатор - член-корреспондент РАН И.Г.Неизвестный)

II.6.2.1. "Высокоскоростная система для генерации квантового ключа в оптоволоконных линиях связи"
Руководители - д.ф.-м.н. И.И. Рябцев, член-корр. РАН, профессор И.Г. Неизвестный.

II.6.2.2. "Исследования и разработка физико-химических основ создания наноструктурированных и нанокомпозитных материалов, приборных структур для интегрированных микро- и наносенсоров. Исследование физических процессов в сенсорных гетероструктурах. Создание газовых микро- и наносенсоров на основе наноструктурированных материалов"
Руководитель - д.ф.-м.н., профессор В.В.Болотов.

II.6.2.3. "Разработка физических основ низкотемпературной технологии получения пленок нано- и микрокристаллического кремния и гетероструктур полупроводниковый нанокластер/диэлектрическая матрица"
Руководитель - к.ф.-м.н. М.Д.Ефремов.

II.6.2.4. "Базовые технологии функциональных оптоэлектронных материалов и волновые процессы в микро- наноразмерных и интегрально-оптических структурах"
Руководитель - к.ф.-м.н., доцент В.В.Атучин.

II.6.2.5. "Развитие МЛЭ технологии низкоразмерных гетероструктур на основе соединений типа А3В5 для полевых СВЧ приборов"
Руководитель - д.ф.-м.н. К.С.Журавлев.

II.6.2.6. "Инжекционные структуры на основе PbSnTe:In для фотоприемных матриц ИК и терагерцового диапазона излучения"
Руководители - д.ф.-м.н. В.Н.Шумский, член-корр. РАН, профессор И.Г.Неизвестный.

Программа СО РАН №II.6.3.

Комплексная нанодиагностика систем пониженной размерности, нанолитография и нанометрология
(Координатор - член-корр. РАН А.В.Латышев)

II.6.3.1. "Методы создания и структурно-химической диагностика на атомарном уровне полупроводниковых систем пониженной размерности"
Руководитель - член-корр. РАН А.В.Латышев.

II.6.3.2. "Нанодиагностика и исследование механизмов молекулярно-лучевой эпитаксии квантово-размерных структур на основе кремния, германия и соединений А3В5, включая нитриды металлов третьей группы"
Руководитель - д.ф.-м.н., профессор О.П.Пчеляков.

II.6.3.3. "Оптическая диагностика полупроводниковых квантово-размерных наноструктур с высоким пространственным разрешением"
Руководители - к.ф.-м.н. А.И.Торопов, к.ф.-м.н. А.М.Гилинский.

Программа СО РАН №II.7.3.

Перспективные полупроводниковые материалы наноэлектроники и нанофотоники
(Координатор член-корр. РАН, профессор А.В.Двуреченский)

II.7.3.1. "Плотные и разреженные ансамбли квантовых точек в полупроводниковых наноструктурах"
Руководитель - член-корр. РАН, профессор А.В.Двуреченский.

II.7.3.2. "Эпитаксиальные слои халькогенидов свинца на кремнии для тепловизионных устройств нового типа"
Руководитель - д.ф.-м.н. А.Э.Климов.

II.7.3.3. "Исследование оптических свойств нанокристаллов и нанопористых материалов в условиях плазмонного резонанса"
Руководители - д.ф.-м.н. А.Г.Милёхин, к.х.н. О.И.Семенова.

II.7.3.4. "Создание и исследование новых полупроводниковых и графеновых наноструктур, материалов и метаматериалов для фотоники, плазмоники и электроники"
Руководитель - д.ф.-м.н., профессор В.Я.Принц.

Программа СО РАН № II.8.2.

Фундаментальные проблемы взаимодействия излучения с веществом
(Координатор - академик, профессор А.М.Шалагин)

II.8.2.6. "Когерентные и нелинейные оптические процессы в газах, конденсированных средах, микро- и наноструктурах при воздействии излучения, электронного пучка и разряда"
Руководитель - д.ф.-м.н. Н.Н.Рубцова.

Программа СО РАН №II.9.1.

Актуальные проблемы оптико-информационных технологий
(Координатор - д.т.н. Ю.В.Чугуй).

II.9.1.3. "Разработка научных основ оптико-информационных технологий создания многоканальных и мультиспектральных систем технического зрения с высоким пространственным и спектральным разрешением"
Руководитель - к.т.н. В.Н.Федоринин.

Программа СО РАН IV.32.1.

Архитектура, информационная безопасность, системные решения и программное обеспечение информационно-вычислительных систем новых поколений
(Координаторы - член-корр. РАН, профессор В.Г.Хорошевский, член-корр. РАН В.В. Шайдуров)

IV.32.1.1. "Архитектура, проблемы функционирования и моделирование большемасштабных распределенных вычислительных систем"
Руководитель - член-корр. РАН, профессор В.Г.Хорошевский