Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ
2015
N. Poccia, Т.И. Батурина, F. Coneri, C.G. Molenaar, X.R. Wang, G. Bianconi, A. Brinkman, H. Hilgenkamp, А.А. Голубов, V.M. Vinokur
Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников А3В5.
MESA+ Institute for Nanotechnology, University of Twente, Netherlands.
Rome International Center for Materials Science Superstripes, Roma, Italy.
Materials Science Division, Argonne National Laboratory, Argonne, USA.
School of Mathematical Sciences, Queen Mary University of London, London, UK.
Московский физико-технический институт, Москва.
Е.Б. Ольшанецкий, З.Д. Квон, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий
Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников A3B5.
Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений A2B6.
Д.А. Козлов, З.Д. Квон, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, Д.Г. Икусов, И.Н. Ужаков, Р.В. Меньшиков
Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников A3B5.
Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений A2B6.
Д.А. Козлов, З.Д. Квон, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий
Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников A3B5.
Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений A2B6.
В.М. Ковалев, А.В. Чаплик
Лаборатория теоретической физики.
Л.С. Брагинский, М.В. Энтин
Лаборатория физических основ интегральной микрофотоэлектроники.
Лаборатория теоретической физики.
О.А. Ткаченко, В.А. Ткаченко, И.С. Терехов, О.П. Сушков
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
Институт ядерной физики СО РАН.
Университет Нового Южного Уэльса (Сидней, Австралия).
А.А. Быков, И.С. Стрыгин, Е.Е. Родякина
Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников A3B5.
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
А.И. Якимов, В.В. Кириенко, А.А. Блошкин, В.А. Армбристер, А.В. Двуреченский
Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем.
А.Ф. Зиновьева, А.В. Ненашев, Ж.В. Смагина, А.В. Двуреченский
Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем.
А.В. Ненашев, А.Ф. Зиновьева, А.В. Двуреченский, Т.С. Зароднюк, А.Ю. Горнов
Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем.
Институт динамики систем и теории управления СО РАН, Иркутск.
А.И. Якимов, В.В. Кириенко, В.А. Армбристер, А.А. Блошкин, А.В. Двуреченский
Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем.
Д.С. Абрамкин, К.М. Румынин, Д.А. Колотовкина, А.К.Бакаров, А.К. Гутаковский, Т.С. Шамирзаев
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии соединений A3B5.
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
В.В. Бакин, К.В. Торопецкий, Г.Э. Шайблер, А.С. Терехов
Лаборатория неравновесных процессов в полупроводниках.
В.В. Бакин, К.В. Торопецкий, Г.Э. Шайблер, А.С. Терехов, L.B. Jones, B.L. Militsyn, T.C.Q. Noakes
Лаборатория неравновесных процессов в полупроводниках.
STFC Daresbury Laboratory, ASTeC and the Cockcroft Institute, Warrington, United Kingdom.
В.М. Базовкин, С.А. Дворецкий, А.А. Гузев, А.П. Ковчавцев, Д.В. Марин, В.Г. Половинкин, И.В. Сабинина, Г.Ю. Сидоров, В.В. Васильев, В.С. Варавин, М.В. Якушев, Н.А. Валишева
Лаборатория физических основ интегральной микрофотоэлектроники.
Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений A2B6.
Лаборатория физико-технологических основ создания приборов на основе полупроводников A2B6.
В.А. Гайслер, А.В. Гайслер, А.С. Ярошевич, И.А. Деребезов, М.М. Качанова, Ю.А. Живодков, Т.А. Гаврилова, А.С. Медведев, Л.А. Ненашева, К.В. Грачев, В.К. Сандырев, А.С. Кожухов, В.М. Шаяхметов, А.К. Калагин, А.К. Бакаров, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев, А.Л. Асеев
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений A3B5.
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников A3B5.
Лаборатория физической химии поверхности полупроводников и систем полупроводник-диэлектрик.
З.Д. Квон, А.К. Бакаров, Е.Е. Родякина, А.В. Латышев
Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников A3B5.
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
А.А. Шевырин, А.Г. Погосов, М.В. Буданцев, А.К. Бакаров, А.И. Торопов, Е.Е. Родякина, А.А. Шкляев
Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем.
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений A3B5.
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
С.А. Кузнецов, А.В. Гельфанд
Научно-исследовательский отдел фотохимических технологий Новосибирского филиала ИФП СО РАН "КТИ ПМ".
Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера СО РАН.
Ю.С. Воробьёва, А.Б. Воробьёв, В.Я. Принц, А.И Торопов, D.K. Maude
Лаборатория физики и технологии трехмерных наноструктур.
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений A3B5.
Laboratoire National des Champs Magnétiques Intenses, CNRS-UJF-INSA-UPS, Grenoble, France.
В.Я. Принц, Д.Б. Султанов, А.В. Принц, А.Ф. Булдыгин
Лаборатория физики и технологии трехмерных наноструктур.
И.В. Антонова, И.А. Котин, Н.А. Небогатикова, В.Я. Принц
Лаборатория физики и технологии трехмерных наноструктур.
И.И. Куркина, Н.А. Небогатикова, И.В. Антонова, С.А. Смагулова
Лаборатория физики и технологии трехмерных наноструктур.
Д.В. Гуляев, А.К. Бакаров, А.И. Торопов, Д.Ю. Протасов, А.К. Гутаковский, К.С. Журавлев
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений A3B5.
Лаборатория кинетических явлений в полупроводниках.
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
В.А. Гриценко, Д.Р. Исламов, О.М Орлов
Лаборатория физических основ материаловедения кремния.
ОАО «НИИМЭ и Микрон», Москва.
В.А. Гриценко, Д.Р Исламов, Т.В. Перевалов, В.Ш. Алиев, В.А. Воронковский, А.К. Герасимова, В.Н. Кручинин
Лаборатория физических основ материаловедения кремния.
Лаборатория физической химии поверхности полупроводников и систем полупроводник-диэлектрик.
Лаборатория эллипсометрии полупроводниковых материалов и структур.
М.С. Аксенов, А.Ю. Кохановский, П.А. Половодов, С.Ф. Девятова, В.А. Голяшов, А.С. Кожухов, И.П. Просвирин, С.Е. Хандархаева, А.К. Гутаковский, Н.А. Валишева, О.Е. Терещенко
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений A3B5.
Лаборатория физических основ интегральной микрофотоэлектроники.
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
А.П. Ковчавцев, А.В. Царенко, А.А. Гузев, М.С. Аксенов, В.Г. Половинкин, А.Е. Настовьяк, Н.А. Валишева
Лаборатория физических основ интегральной микрофотоэлектроники.
В.С. Варавин, Д.В. Марин, М.В. Якушев
Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков полупроводниковых соедине- ний A2B6.
В.П. Попов, М.А. Ильницкий, Э.Д. Жанаев, А.В. Мяконьких, К.В. Руденко
Лаборатория физических основ материаловедения кремния.
Физико-технологический институт Российской академии наук, Москва.
АО «Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ», Новосибирск.
О.В. Наумова, Э.Г. Зайцева, Б.И. Фомин, М.А. Ильницкий, В.П. Попов
Лаборатория технологии кремниевой микроэлектроники.
Лаборатория физических основ материаловедения кремния.
В.А. Володин, Л.В. Соколов
Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем.
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений A3B5.
С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, Д.Г. Икусов, И.Н. Ужаков, Р.В. Меньшиков
Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений A2B6.
Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород.
М.П. Гамбарян, В.А. Володин, А.Г. Черков, В.И. Вдовин
Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем.
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
А.Г. Милёхин, Е.Е. Родякина, Л.Л. Свешникова, Т.А. Дуда, А.В. Латышев
Лаборатория физической химии поверхности полупроводников и систем полупроводник- диэлектрик.
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
Н.Д. Махаматов, Д.И. Рогило, С.С. Косолобов, А.В. Латышев
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
Д.И. Рогило, Л.И. Федина, С.С. Косолобов, А.В. Латышев
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
А.К. Гутаковский, А.В. Шевлягин, Е.А. Чусовитин, Н.Г. Галкин
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток.
В.Г. Мансуров, T.В. Maлин, Ю.Г. Галицын, K.С. Журавлев
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений A3B5.
А.К. Гутаковский, А.И. Торопов
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений A3B5.
В.А. Тимофеев, А.И. Никифоров, С.А. Тийс, А.Р. Туктамышев, О.П. Пчеляков
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений A3B5.
Е.А. Емельянов, А.В. Васев, Б.Р. Семягин, А.П. Василенко, А.А. Команов, А.К. Гутаковский, М.А. Путято, В.В. Преображенский
Лаборатория физических основ эпитаксии полупроводниковых гетероструктур.
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений A3B5.
Лаборатория физики и технологии трёхмерных наноструктур.
Ж.В. Смагина, П.А. Кучинская, В.А. Армбристер, А.Ф. Зиновьева, В.А. Володин, В.А. Селезнев, А.К. Гутаковский, А.В. Двуреченский
Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем.
Ю.Г. Сидоров, М.В. Якушев, В.С. Варавин, А.В. Колесников, Е.М. Труханов, И.В. Сабинина, И.Д. Лошкарев
Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений A2B6.
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений A3B5.
А.А. Шкляев, К.Е. Пономарёв
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск.
А.А. Шкляев, Л. Болотов, В. Поборчий и Т. Тада
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Ibaraki, Japan.
Б.И. Фомин , И.Б. Чистохин, О.В. Наумова, В.В. Преображенский, О.П. Пчеляков
Лаборатория физических основ эпитаксии полупроводниковых гетероструктур.
Лаборатория технологии кремниевой микроэлектроники.
А.С. Кожухов, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
Ю.В. Настаушев, Л.С. Голобокова, Т.А. Гаврилова А.С. Кожухов, О.В. Наумова, А.Б. Талочкин, Ф.Н. Дульцев, Н.В. Крыжановская, Э.И. Моисеев
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников A3B5.
Лаборатория технологии кремниевой микроэлектроники.
Санкт-Петербургский Академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН.
Р.А. Жачук, J. Coutinho
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений A3B5.
Department of Physics, University of Aveiro, Aveiro, Portugal.
С.А. Рудин, А.В. Ненашев, В.А. Зиновьев, П.Л. Новиков, А.Ю. Поляков, Ж.В. Смагина, А.В. Двуреченский
Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем.
Лаборатория вычислительных систем.
Р.М. Тазиев
Лаборатория оптических материалов и структур.
Н.Л. Шварц, М.А. Василенко
Группа моделирования электронных и технологических процессов микроэлектроники.
Д.Б. Третьяков, А.В. Коляко, А.С. Плешков, И.И. Рябцев, И.Г. Неизвестный
Лаборатория нелинейных резонансных процессов и лазерной диагностики.
Группа моделирования электронных и технологических процессов микроэлектроники.
И.И. Бетеров, M. Saffman
Лаборатория нелинейных резонансных процессов и лазерной диагностики.
Department of Physics, University of Wisconsin-Madison, Madison, Wisconsin, USA.
Д.Б. Третьяков, В.М. Энтин, Е.А. Якшина, И.И. Бетеров, И.И. Рябцев
Лаборатория нелинейных резонансных процессов и лазерной диагностики.
В.Г. Гольдорт, В.Н. Ищенко, С.А. Кочубей, В.А. Решетов, Н.Н. Рубцова, Е.Б. Хворостов
Лаборатория лазерной спектроскопии и лазерных технологий
Тольяттитнский государственный университет.
А.Н. Акимов, Д.В. Ищенко, А.Э. Климов, В.А. Лунегов, И.Г. Неизвестный, В.Н. Шумский, В.С. Эпов
Лаборатория физики и технологии гетероструктур.
Г.М. Борисов, В.Г. Гольдорт, Д.В. Ледовских, А.А. Ковалёв, Н.Н. Рубцова
Лаборатория лазерной спектроскопии и лазерных технологий.
О.И. Семенова, М.Л. Косинова, А. Немкова, Yude Yu
Лаборатория физической химии поверхности полупроводников и систем полупроводник- диэлектрик.
Лаборатория эпитаксиальных слоев ИНХ СО РАН.
Institute of Semiconductors CAS, Beijing, China.
М.А. Паращенко, Н.С. Филиппов, В.В. Кириенко, С.И. Романов
Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем.
Ф.Н. Дульцев
Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников A3B5.
Г.Е. Журов, М.Ю. Цивинский
Отдел моделирования оптико-электронных приборов Новосибирского филиала ИФП СО РАН "КТИ ПМ".
К.В. Павский
Лаборатория вычислительных систем.