Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
НОВОСТИ
24.05.11
Семинар по проблеме "Рост и структура полупроводниковых пленок и кристаллов"
CEMИНАР по проблеме "Рост и структура полупроводниковых пленок и кристаллов" состоится в конференц-зале ЛТК 25 мая 2011 г в среду в 15-00.

И.Д. Лошкарев:
1. Статья НАПРЯЖЕННОЕ СОСТОЯНИЕ И ДИСЛОКАЦИОННАЯ СТРУКТУРА ГЕТЕРО-СИСТЕМ ГЕРМАНИЙ/КРЕМНИЙ С ИНТЕРФЕЙСАМИ (001), (111) И (7 7 10)
Е.М. Труханов, И.Д. Лошкарев, К.Н. Романюк, А.С. Ильин, А.К. Гутаковский, А.В.Колесников
Впервые теоретически показано, что при переходе высоконапряженной псевдоморфной фазы Ge на кремниевой подложке в ненапряженную, содержащую дислокации несоответствия (ДН), отношение линейных плотностей дислокаций N составляет N(001)/ N(111)= 1.5 для интерфейсов с кристаллографическими ориентациями (001) и (111). Для этих ориентаций значения уровней нормальных дальнодействующих напряжений, создаваемых системами ДН, равны, соответственно, 5.7 и 3.8 ГПа. В гетеросистеме с интерфейсом (7 7 10), содержащем дислокационные террасы (111), вычисленное значение N(111) позволило корректно установить тип дислокационной структуры, возникшей в процессе молекулярно лучевой эпитаксии: частичные 90о-ДН Шокли, залегающие в трех направлениях . Обсуждаются особенности формы ДН, расположенных в пленке и в подложке.

К.Б. Фрицлер:
2. Статья РЕАЛЬНАЯ СТРУКТУРА И КРИСТАЛЛОГРАФИЯ ФАЗОВОГО ПЕРЕХОДА ПРИ ВЫРАЩИВАНИИ Si [111] МЕТОДОМ БЕСТИГЕЛЬНОЙ ЗОННОЙ ПЛАВКИ
К.Б. Фрицлер, В. В. Калинин, Е. М. Труханов
На основе модели образования (в расплаве кремния) и встраивания (в растущую твердую фазу) координированных группировок атомов Si рассмотрено возникновение реберных выступов (РВ), а также полос наклонных граней {111} и наростов на боковой поверхности слитка кремния в процессе его выращивания в направлении [111] методом бестигельной зонной плавки. На этой основе впервые установлены геометрические факторы, позволяющие идентифицировать РВ октаэдра, ромбического додекаэдра и тетрагонтриоктаэдра. Для РВ и наростов различных типов определено их положение на поверхности слитка, а также установлены размеры и особенности формы. Выявлено различное влияние механических вибраций на форму РВ октаэдра и ромбического додекаэдра. Установлены зависимости структурных и электрофизических параметров монокристаллов кремния от условий кристаллизации. Впервые обнаружено, что рост дислокационного кристалла Si происходит на основе гранной формы октаэдра, а бездислокационный кристалл растет при реализации форм ромбододекаэдра, тетрагонтриоктаэдра и октаэдра. Это позволило разработать in situ контроль структурного качества растущего кристалла. При росте в рамках гранных форм ромбододекаэдра и тетрагонтриоктаэдра вблизи характерных морфологических образований слитка (наростов) выявлена существенная неоднородность распределения времени жизни неравновесных носителей заряда